全桥LLC上臂驱动异常-综合电源技术-世纪电源网社区

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2018-12-12 14:49:43

10问答币

LLC全桥采用的是自举驱动芯片。当上电后的最初几个周期，上臂驱动的电源处于充电状态，即欠压驱动封锁状态。此时，下臂正常开关。却对上臂的驱动波形造成影响，看波形，有上下管直通的风险。开关管采用GANFET，门极电压为2V左右。虽然实测并未出现直通炸管的情况。但是，感觉这种波形应该是不正常的。请教各位高工，该如何改进电路，才能改善上管的驱动波形。
如下图，黄色为下桥臂驱动，紫色为上桥臂驱动和上桥臂VDS波形。

上管驱动正常时的上下管死区时间和驱动波形如下：

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收藏1

		2 星宇星宇离线 LV7 版主积分：18270 \| 主题：29 \| 帖子：4753 访问空间发消息积分:18270 版主 2018-12-12 22:26:04
		你的软启动采用的是PWM调宽方式？回复 \| 举报 \|

			3 qingclei qingclei 离线 LV6 高级工程师积分：1954 \| 主题：198 \| 帖子：556 访问空间发消息积分:1954 LV6 高级工程师 2018-12-13 08:20:44
			不是的，是调频的方式。控制芯片NCP1397B，驱动芯片SI8230。谐振频率250K，软启动频率测试大约为700K。回复 \| 举报 \|

				6 星宇星宇离线 LV7 版主积分：18270 \| 主题：29 \| 帖子：4753 访问空间发消息积分:18270 版主 2018-12-13 09:17:59
				你都上全桥了，可见功率不小，为什么还要用llc呢？llc有啥好处啊？回复 \| 举报 \|

					13 ailuer_shijidianyuan ailuer_shijidianyuan 离线 LV8 副总工程师积分：7867 \| 主题：18 \| 帖子：937 访问空间发消息积分:7867 LV8 副总工程师 2018-12-15 10:01:58 倒数5
					星版，咨询你一个问题，移相全桥的变压器电感分开的方式和磁集成的方式，变压器的磁材总体积能否缩小？电气性能会有多大影响？我没有做过磁集成，但是想把手头的移相全桥的体积缩短，想考虑下磁集成回复 \| 举报 \|

						14 星宇星宇离线 LV7 版主积分：18270 \| 主题：29 \| 帖子：4753 访问空间发消息积分:18270 版主 2018-12-15 10:45:09 倒数4
						你指的是把那个谐振电感用漏感？我个人觉得不好，首先漏感多余的能量无法钳位，这样就会传输到副边去！这样无疑增加了副边整流管尖峰，你再去想办法吸收尖峰的话，得不偿失了！回复 \| 举报 \|

							15 ailuer_shijidianyuan ailuer_shijidianyuan 离线 LV8 副总工程师积分：7867 \| 主题：18 \| 帖子：937 访问空间发消息积分:7867 LV8 副总工程师 2018-12-15 10:56:49 倒数3
							不是指谐振电感，是输出电感，普通的有全波整流和全桥整流，还有一种倍流整流，倍流整流可以把输出电感跟变压器做到一起，但这种我不知道具体怎么样，见过**做过回复 \| 举报 \|

								16 星宇星宇离线 LV7 版主积分：18270 \| 主题：29 \| 帖子：4753 访问空间发消息积分:18270 版主 2018-12-15 11:24:40 倒数2
								我没有见过，可以尝试一下！回复 \| 举报 \|

			4 qingclei qingclei 离线 LV6 高级工程师积分：1954 \| 主题：198 \| 帖子：556 访问空间发消息积分:1954 LV6 高级工程师 2018-12-13 08:24:08
			上管的驱动紧随上管VDS波形在变化。不像是驱动线耦合，倒像是米勒电容耦合过来的。我看SI8230的手册，当上管欠压保护的时候，VOA是会拉低的。但是当刚上电，VDDA在0V附近的时候，输出电压是否能正常工作并可靠拉低呢，还是也可能处于高阻态。这样的话，下管导通，上管的米勒电容充电使上管的VDS电压上升到385V，充电电流流过驱动电阻和10K对地电阻，会造成一个较大的压降，从而造成这样的驱动波？回复 \| 举报 \|

			5 qingclei qingclei 离线 LV6 高级工程师积分：1954 \| 主题：198 \| 帖子：556 访问空间发消息积分:1954 LV6 高级工程师 2018-12-13 08:25:34
			还有就是我这个管子的开通和关断的米勒平台波形对么，感觉开通还好，关断波形怪怪的，没见到过这种。虽然一般的MOS管开关过程分析中都有提到，开和关时都有米勒平台。但是实际测试的MOS管，基本都是开通时有明显的米勒平台，而关断时却观测不到明显的平台。回复 \| 举报 \|

				7 guinan1688 guinan1688 离线 LV6 高级工程师积分：1957 \| 主题：21 \| 帖子：498 访问空间发消息积分:1957 LV6 高级工程师 2018-12-13 14:27:48
				你的是多少W？回复 \| 举报 \|

					8 qingclei qingclei 离线 LV6 高级工程师积分：1954 \| 主题：198 \| 帖子：556 访问空间发消息积分:1954 LV6 高级工程师 2018-12-13 15:00:25 倒数10
					3KW 回复 \| 举报 \|

		9 yubofeng1 yubofeng1 离线 LV8 副总工程师积分：3037 \| 主题：5 \| 帖子：105 访问空间发消息积分:3037 LV8 副总工程师 2018-12-13 19:11:27 倒数9
		GAN的驱动好做么？回复 \| 举报 \|

			10 qingclei qingclei 离线 LV6 高级工程师积分：1954 \| 主题：198 \| 帖子：556 访问空间发消息积分:1954 LV6 高级工程师 2018-12-14 14:15:43 倒数8
			CASCODE结构的GAN驱动会好做很多回复 \| 举报 \|

				11 yubofeng1 yubofeng1 离线 LV8 副总工程师积分：3037 \| 主题：5 \| 帖子：105 访问空间发消息积分:3037 LV8 副总工程师 2018-12-14 16:26:34 倒数7
				CASCODE结构有什么特点？那种不好做的是哪种结构？回复 \| 举报 \|

					12 qingclei qingclei 离线 LV6 高级工程师积分：1954 \| 主题：198 \| 帖子：556 访问空间发消息积分:1954 LV6 高级工程师 2018-12-14 17:29:48 倒数6
					CASCODE的GANFET是采用耗尽型GAN和低压MOS级联的结构，实际上驱动的是MOS管，门限电平为2~4V，最大驱动电压限制为20V左右，类似于普通的MOS管驱动。另一种技术路线是EMODE结构，即增强型GAN。这种管子，驱动门限很低约为1V，最大驱动电压约为6V，驱动易受干扰。回复 \| 举报 \|

						17 CDM CDM 离线 LV4 初级工程师积分：392 \| 主题：0 \| 帖子：63 访问空间发消息积分:392 LV4 初级工程师最新回复 2018-12-17 00:50:46 倒数1
						是不是隔离驱动？回复 \| 举报 \|