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| | | | | | | | | 正常,DS电压越高震荡越大。可以栅极串联电阻把开关速度降低,震荡会变小
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| | | | | | | | | | | 现在开关速度很慢了,开通电阻4.8欧姆,开通关断1-2us,然后查数据手册上输入电容也挺大的。试过加电阻到12欧姆,振荡比之前好些了,振荡到120V才出现,但是开通关断变得很慢。电压得加到300V,所以电阻还得加很多,那时候速度会极慢。有没有别的办法减弱这个振荡?
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| | | | | | | 图中是被测管子的原理图,和半桥的PCB,被测管子是4个并联,但是现在拆了三个,只测了一个管子。
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原理图
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PCB
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| | | | | G串过磁珠,加过驱动电阻,对GS的振荡没有什么作用,有没有人遇到过这种情况?
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| | | | | 一般我做双脉冲试验都是上管并联电感,下管给双脉冲,这样不用考虑浮地的问题。下管并联电感,一定要防止负载电流窜入驱动回路。 |
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| | | | | | | 嗯,现在已经改成上管并电感了,楼上就是上管并电感测下管的波形,但是还是振
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| | | | | | | | | 如果你的门极电压和你的UDS震荡频率相同,则是Cds和某个寄生电感产生了LC震荡。我看你最开始的测试,应该是这种情况
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| | | | | | | | | | | 嗯,gs和ds的振荡频率的确很接近。如果是这种情况的话估计不好消除了
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| | | | | | | | | | | | | 如果你只是测试MOSFET的开关特性,可用重新搭建双脉冲试验台,简化电路。
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| | | | | | | | | | | | | | | 不只是测开关特性的,主电路是两个半桥组成的电路,工作时的电流电压比较大,想用双脉冲实验测一下在额定工况下的过压过流情况,之后做系统调试的时候踏实一些
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 我之前跟你想法一样,通过双脉冲测试电路特性。然而被教授一顿猛喷,,双脉冲最好只测试mosfet的开关特性,对电路稳定性提供帮助几乎为0。如果你目标不是MOSFET特性而是电路,就会出现很多测试干扰,对实验结果影响很大。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 而且你这个本身还是在一个并联电路上做的测试,并联不均衡也会导致GS的震荡
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 嗯,测试这个双脉冲的确会有很多想不到的干扰,并联MOS现在已经拆的就剩一个了,而且现在这个管子并联的电感,且给的低电平。现在在找振荡得原因,也没有什么思路,哈哈,毕业好难
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你好,我也是做这个方向的,给你发私信了,希望能交流一下
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是啊,我的毕设 。我现在把驱动电阻减小了,DS电压往上加,会发现ds电压越大,第二个脉冲gs振完还会接着振,奇怪啊
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是啊,我的毕设 。我现在把驱动电阻减小了,DS电压往上加,会发现ds电压越大,第二个脉冲gs振完还会接着振,奇怪啊 |
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| | | | | 割线、飞线试试吧,你把驱动的地接到功率地上,距离MOS的S腿太远了,跑起大电流来这两点都不是一个电位;
从图中切断,然后直接最短的线飞到MOS的S;
可以参照下nc965版主的PCB布板的帖子找找灵感;
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