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 |  | | | | FCC包括所有的电子器件，只要产生的信号大于10KHz,FCC和VDE规范互相紧随，FCC A级规范复盖商业，消费类及工业环境，而FCC B级仅复盖常住居民区。主要不同见图1。频率跨度由两个区域复盖。VDE频率范围对EMI及RFI发射复盖从10KHz到30MHz而FCC频率跨度为450KHz~30MHz.
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| | | | | EMI噪声源及控制它的方法 设计考虑要进入随后的区域，即典型的RF射频区域。 l DC隔离 l 电路接地 l 对音频，射频噪声传导最敏感的电源及功率通路。 l 射频接口及敏感区 l 开启及关断瞬间 注意快速上升的电流尖刺，例如变压器整流的二极管快速反偏。 在变压器中的振铃会用放置吸收回路的方法箝制。吸收回路可减小开关瞬态的损耗，也可将能量回馈输入端的方法减少损耗。
采用一颗小磁珠放在主功率MOSFET开关器件的引线上可以抑制开关阶段的高频振铃。
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|  | | | | | | 对于MOS,开启及关断瞬间,会产生很大的di/dt,一般驱动电阻加大或‘’G‘’脚加磁珠，DS加吸收都可以。
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| | | |  | | | | | | | 开关速度不要太快，驱动电阻适当加大。这样修改对电源的转化效率应该有影响吧？
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对于AC线路，用一个有非常小的杂散电容的耦合电感，两个安全的经认证的电容（X电容）放在输入线路间即可， 并在每个线路到地放一个小的Y电容，则可以有效地抑制开关噪声。 这些电容和电感典型值如下：
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| | | | | | | x电容用大了会影响轻载效率及PF值，Y电容用大了，漏电流会变大。
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| | | | | | | | | | | 如果EMI能够过，当然是越小越好。是从成本考虑，还是其它？
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| | | | | | | | | | | | | 有多方面原因，除了成本因数，还有噪声要求，安规要求等。
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| | | | | | | 楼主描述的这段话有很大的问题，
1）Cy = 2200pF to 33000pF 是违反安规的。
2）Cx = 0.1uF - 2uF，请问楼主你这样用过2uF这么大的 X 电容吗？如果这是开关电源的输入端，拔下插头后 多久才能放完电？手摸到插头不把人电个半死吗？
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| | | | | | | | | 2uF这么大的 X 电容放电时间会很长的。安规肯定是不允许的。
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| | | | | | | | | | | 如有轻载效率要求，一般都会加放电IC来做放电。在关机是导通放电。
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| | | | | EMI conductive 衰減比率之計算:
1. 假設Switching Noise 之頻率為1MHz. 則C1 之阻抗為= 0.159Ω非常低已可濾除大部分Noise . 2. L1與C2 之衰減比例為
倍 3. L2與C3 之衰減比例為
倍 4. Switching Noise 從Bridge Diode 傳至AC INPUT 端總共衰減 11.849 x55739=660.451.4111 6.6億倍 5. 由上證明重點在 C裡面的內阻及PCB layout, 而C值可以降低, 成本可以降低.
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| | | | | 以上conductive EMI 主要描述下列4點 1. 雙, LC 濾波衰減幅度非常巨大, 所以電容值及電感值可以大幅下降, 來降低成本. 以上衰減值若頻率上升一倍至2MHz則XL 2倍。XC 1/2 倍, 所以衰減幅度再增
加4倍. 若頻率是一半500KHz. 則XL 是1/2倍, XC 是2倍. 所以衰減幅度減少4倍.
Layout 方面要經過電容以後再拉線出來, 例如右圖電容上拉線有0.2µH之電感則在1MHz 時阻抗為, XL = 2fc =6.28 x 1MHz x 0.2µH =1.256Ω 4. 零件排列的關係讓AC 輸入端本身就交連很多Switching Noise, 雙LC 濾波就大打折扣.
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| | | | | | | 我也看不太明白，楼主还是来一些实际经验方案比较好，什么频段不过采用什么改善对策。
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| | | | | | | 这样解释是有问题的，这样的滤波器至少是5阶，不是这么简单可以计算的。不知楼主摘自什么书？
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| | | | | | | | | | | | | EMI不良要看频段，不同的频段，产生的原因会不同。
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| | | | | 印刷电路板设计时应注意以下几点：
（1）高、中、低速逻辑电路同时应用时，高速应设计在电路板的入口处；
（2）信号入口加RC去耦滤波，消除长线传输干扰；
（3）电路中的电流环路应保持最小；
（4）信号线和回线应尽可能接近；
（5）使用较大的地平面以减小地线阻抗；
（6）电源线和地线应相互接近；
（7）在多层电路板中，应把电源面和地平面分开；
（8）圆弧布线，不突变；
（9）尽量缩短连线；
（10）模拟电路和数字电路分开，功率电路和控制电路分开。
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| | | | | | | 圆弧布线，不突变；
即不能有拉尖现象，拉尖辐射会差。
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| | | | | | | | | | | layout应该有定义吧，不能有走线铜箔90度走线。
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| | | | | | | | | | | PCB空余的地方，可以全面积铺GND来作为屏蔽，EMI可以有一定改善。
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| | | | | 接地设计
接地是开关电源设备抑制电磁噪声的重要方法。
接地的作用；
（1）提高系统工作的稳定性，若不与大地相接，易受地电容的干扰；
（2）泄放静电感应在机箱上的静电，避免高压放电；
（3）操作安全。
不考虑安全接地，仅从电路参考点的角度考虑，接地可分为悬浮地、单点接地、多点接地和混合接地。
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| | | | | | | 经验告诉我们，在EMI处理过程中，接GND处理很重要。
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| | | | | 屏蔽设计
屏蔽有两个目的，一是限制内部辐射的电磁能量泄漏出该内部区域，二是防止外来的辐射干扰进入该内部区域。电磁屏蔽的作用原理是利用屏蔽体对电磁能流的反射、吸收和引导作用，而这些作用是与屏蔽结构表面上和屏蔽体内感生的电荷、电流与极化现象密切相关的。
屏蔽体的设计原则：
（1）首先确定电磁环境，包括电磁场的类型、场的强度、频率及屏蔽体至源的距离等；
（2）确定接收机的敏感度以及对屏蔽体的屏蔽要求；
（3）根据电磁屏蔽的要求及电磁场的性质，适当选择材料的电导率、磁导率和厚度；
（4）在确定屏蔽材料之后，进行屏蔽结构的设计，对于电场屏蔽主要选择高电导率材料（如铜），对于磁场屏蔽，特别是低频磁场屏蔽；主要选择铁或其他高磁导率材料。若达不到要求，在允许的条件下，可以采用增大厚度的办法；
（5）如果单层屏蔽不能满足屏蔽要求，可用双层以上的屏蔽，以获得更好的屏蔽效果；
（6）当屏蔽室需要透明时，可采用金属网屏蔽，金属网屏蔽的效能显然比不上金属实壁屏蔽体，所以一般采用双层屏蔽；
（7）对于通风孔、探测器的开口屏蔽壳体、电缆进出口接插件等开口处均按特殊要求进行设计。
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| | | | | | | PFC 包屏蔽下地,功率电感屏蔽并下地,对辐射有改善，请问对传导怎样？有改善吗？谢谢！
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| | | | | | | | | 对传导应该也会有改善吧，不过我认为包了屏蔽后，电感会发热。
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| | | | | | | | | | | 对传导也会有一定改善，只是对辐射改善更明显，至于发热是要考虑，特别是要注意电感出现热饱和现象。
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| | | | | | | | | | | 会影响温度是没错，一般在确定屏蔽材料之后，进行屏蔽结构的设计，对于电场屏蔽主要选择高电导率材料（如铜），对于磁场屏蔽，特别是低频磁场屏蔽；主要选择铁或其他高磁导率材料。若达不到要求，在允许的条件下，可以采用增大厚度的办法；放在通风口位置。
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| | | | | | | 此颗Y电容，如有跨初次级变压器，放在变压器旁边跨初次级地会比较好。
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| | | | | | | | | 此颗Y电容，如有跨初次级变压器，放在变压器旁边跨初次级地会比较好。为什么？有实际对比过吗？
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| | | | | | | | | | | 我也有看到是放在变压器旁边跨初次级地，对比确实会好一下。
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| | | | | | | 高压电容正负极并瓷片电或 SMD 电容，好像这样接，SMD容易炸裂。有点不是很可靠。
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| | | | | | | | | 不良还好，主要是不要受外力作用，不要受到冲击，使之电容断裂，一般不会有问题，有大量使用过。
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| | | | | | | | | SMD元件，高压1206封装耐压怕有点不够，还有安全距离。
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| | | | | | | 请问对于EMI传导方式和辐射方式,他们不良对策分别是怎样？传导不良怎么改？辐射不过怎么改？谢谢！
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| | | | | 开关电源的电磁兼容性设计:
根据电磁骚扰的传播途径，开关电源的电磁兼容性设计包括：完善电路设计、接地设计、滤波设计、屏蔽设计。
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| | | | | | | 完善电路设计、接地设计、滤波设计、屏蔽设计,很经典，说起来容易，做好却很难。
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| | | | | 完善电路设计:
所选择开关电源电路拓扑不宜产生过高的电压和过大的电流，以避免高电压电场干扰和大电流磁场干扰。在满足要求的情况下，放大器的频带尽量窄，使其不易受干扰。适当增加缓冲电路。
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| | | | | | | | | 应该是指吸收线路，如RC吸收，还有就是软启动之类线路的吧？
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| | | | | 印刷电路板设计时应注意以下几点：
（1）高、中、低速逻辑电路同时应用时，高速应设计在电路板的入口处；
（2）信号入口加RC去耦滤波，消除长线传输干扰；
（3）电路中的电流环路应保持最小；
（4）信号线和回线应尽可能接近；
（5）使用较大的地平面以减小地线阻抗；
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| | | | | （6）电源线和地线应相互接近；
（7）在多层电路板中，应把电源面和地平面分开；
（8）圆弧布线，不突变；
（9）尽量缩短连线；
（10）模拟电路和数字电路分开，功率电路和控制电路分开。
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| | | | | | | 对于LAYOUT对EMI的影响是深有体会，圆弧布线，不突变；尽量缩短连线；模拟电路和数字电路分开，功率电路和控制电路分开。总结的很是到位。
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| | | | | 接地设计:
接地是开关电源设备抑制电磁噪声的重要方法。
接地的作用；
1）提高系统工作的稳定性，若不与大地相接，易受地电容的干扰；
（2）泄放静电感应在机箱上的静电，避免高压放电；
（3）操作安全。
不考虑安全接地，仅从电路参考点的角度考虑，接地可分为悬浮地、单点接地、多点接地和混合接地。
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| | | | | | | 单点接地在处理多组电源共板时，为了防止相互干扰，常用到单点接地方法来布板。
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| | | | | 混合接地
如下图所示。实际情况比较复杂，很难仅通过一种简单的接地方式来解决，而是常常采用单点接地和多点接地组合成混合接地。
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| | | | | | | 从PCB LAYOUT布局，看来接地学问还是很多的。
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| | | | | | | | | 特别是EMI对地的要求，LAYOUT布局好，EMI就好解决。
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| | | | | 滤波设计
滤波是消除干扰经常采用的措施。在设计和选用滤波器时应注意以下几个问题：
（1）明确工作频率和所要抑制的干扰频率，如两者非常接近，则需要应用频率特性非常陡峭的滤波器，才能把两种频率分开；
（2）保证滤波器在高压情况下能够可靠地工作；
（3）滤波器连续通以最大额定电流时，其温升要低，以保证在该额定电流连续工作时，不破坏滤波器中器件的工作性能；
（4）为使工作时的滤波器频率特性与设计值相符合，要求与它连接的信号源阻抗和负载阻抗的数值等于设计时的规定值；
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| | | | | | | （5）滤波器必须具有屏蔽结构，屏蔽箱盖和本体要有良好的电接触，滤波器的电容引线应尽量短，最好选用低引线短电感的穿心电容；
（6）要有较高的工作可靠性，因为作防护电磁干扰用的滤波器，其故障往往比其他元件的故障更难找。
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| | | | | 安装滤波器时应注意以下几点：
1）电源线路滤波器应安装在离设备电源入口尽量靠近的地方，不要让未经过滤波器的电源线在设备框内迂回；
2）滤波器中的电容器引线应尽可能短，以免因引线感抗和容抗在较低频率上谐振；
3）滤波器的接地导线上有很大的短路电流通过，会引起附加的电磁辐射，故应对滤波器元件本身进行良好的屏蔽和接地处理；
4）滤波器的输入和输出线不能交叉，否则会因滤波器的输入―输出电容耦合通路引起串扰，从而降低滤波特性，通常的办法是输入和输出端之间加隔板或屏蔽层。
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| | | | | 屏蔽设计
屏蔽有两个目的，一是限制内部辐射的电磁能量泄漏出该内部区域，二是防止外来的辐射干扰进入该内部区域。电磁屏蔽的作用原理是利用屏蔽体对电磁能流的反射、吸收和引导作用，而这些作用是与屏蔽结构表面上和屏蔽体内感生的电荷、电流与极化现象密切相关的。
屏蔽体的设计原则：
（1）首先确定电磁环境，包括电磁场的类型、场的强度、频率及屏蔽体至源的距离等；
（2）确定接收机的敏感度以及对屏蔽体的屏蔽要求；
（3）根据电磁屏蔽的要求及电磁场的性质，适当选择材料的电导率、磁导率和厚度；
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| | | | | | | 4）在确定屏蔽材料之后，进行屏蔽结构的设计，对于电场屏蔽主要选择高电导率材料（如铜），对于磁场屏蔽，特别是低频磁场屏蔽；主要选择铁或其他高磁导率材料。若达不到要求，在允许的条件下，可以采用增大厚度的办法；
（5）如果单层屏蔽不能满足屏蔽要求，可用双层以上的屏蔽，以获得更好的屏蔽效果；
（6）当屏蔽室需要透明时，可采用金属网屏蔽，金属网屏蔽的效能显然比不上金属实壁屏蔽体，所以一般采用双层屏蔽；
（7）对于通风孔、探测器的开口屏蔽壳体、电缆进出口接插件等开口处均按特殊要求进行设计。
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| | | | | | | 屏蔽设计，我看还要注意元件的温度，一般元件加了屏蔽后，元件的温度都会提高。
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| | | | | | | | | 屏蔽元件一般多为功率器件，特别是磁器件，屏蔽后确实温度是个问题。
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| | | | | | | 如出现上图情况，多数为产品接地不好，改善产品接地，测试结果如下：
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| | | | | 为了将变压器产生的高频谐波减到最小，必须选择高级材料，这使电源只有很低的伏特安培及磁芯损耗，意味着更好的效率，更小的尺寸，减轻了重量，还有采用优质高频电容将射频噪声在发生源处去耦。这些电容要有极低的ESL和ESR,引线长度需要保持最短，防止RF能量幅射进入自由空间。光耦离开的引线可用小电容在延伸到复位电路前就局部导开能量。
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