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未解决

关于PFC BOOST升压电路mos并联与IGBT并联的区别

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gong777802664

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2019-1-28 16:58:00

10问答币

目前本人在搞一款2.2KW的大功率 PFC电路，单个mos带满载没事，但是温升高，换两个mos后，一上辅助供电就炸其中的一个管子，但是用两个IGBT并就没事，考虑到是不是由于并联不均流，线路阻抗参数不匹配造成的原因外，其他的找不到了，求助万能的大佬们

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收藏1

		2 gong777802664 gong777802664 离线 LV6 高级工程师积分：1462 \| 主题：27 \| 帖子：220 访问空间发消息积分:1462 LV6 高级工程师 2019-1-28 17:04:46
		目前来说，在炸管子的瞬间，测电感输出的电流波形，发现开始能正常软启动，后来就突然突然炸掉，求助有遇到类似问题的吗，单个管子就没事 QQ图片20190128170420.jpg (177.06 KB, 下载次数: 47) 下载附件 2019-1-28 17:04 上传回复 \| 举报 \|

		3 wangdongchun wangdongchun 离线 LV12 专家积分：41120 \| 主题：751 \| 帖子：6830 访问空间发消息积分:41120 LV12 专家 2019-1-28 22:11:31
		就是同一型号的管子也难免存在参数上的差异所以电流不平衡是非常可能造成炸管的回复 \| 举报 \|

			4 gong777802664 gong777802664 离线 LV6 高级工程师积分：1462 \| 主题：27 \| 帖子：220 访问空间发消息积分:1462 LV6 高级工程师 2019-1-29 08:02:41
			单管mos就没事，一并联就炸，是不是均流没处理好或者其他原因回复 \| 举报 \|

				6 wangdongchun wangdongchun 离线 LV12 专家积分：41120 \| 主题：751 \| 帖子：6830 访问空间发消息积分:41120 LV12 专家 2019-1-29 12:43:37
				均流均压都要注意的回复 \| 举报 \|

					8 gong777802664 gong777802664 离线 LV6 高级工程师积分：1462 \| 主题：27 \| 帖子：220 访问空间发消息积分:1462 LV6 高级工程师 2019-1-29 14:03:55
					均压指的是？用两个IGBT并联就一点事情没有回复 \| 举报 \|

						10 wangdongchun wangdongchun 离线 LV12 专家积分：41120 \| 主题：751 \| 帖子：6830 访问空间发消息积分:41120 LV12 专家 2019-1-29 21:51:46
						不好意思输入错误回复 \| 举报 \|

		5 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 在线 LV7 版主积分：109874 \| 主题：142 \| 帖子：45925 访问空间发消息积分:109874 版主 2019-1-29 12:39:37
		你这个好像不是MOS管并联吧？只坏MOS管，二极管没问题？回复 \| 举报 \|

			7 gong777802664 gong777802664 离线 LV6 高级工程师积分：1462 \| 主题：27 \| 帖子：220 访问空间发消息积分:1462 LV6 高级工程师 2019-1-29 14:03:22
			是啊王工，只坏mos，而且大部分情况下只坏其中一个，二极管啥事都没有，用单个mos没事，两个mos就炸，用两个IGBT并联也没事，不知道是驱动不合理还是均流没做好？另外就是均流没做好的话，IGBT不也应该炸吗回复 \| 举报 \|

				9 ad596142041 ad596142041 离线 LV6 高级工程师积分：1683 \| 主题：1 \| 帖子：71 访问空间发消息积分:1683 LV6 高级工程师 2019-1-29 19:19:17
				看一下能否用双脉冲的方式测一下两个IGBT和MOSFET的均流效果,还有你说的两个IGBT和MSOFET的电流是一样的么?还有炸机是在带载的条件下还是没有带载的条件下出现的. 回复 \| 举报 \|

					11 gong777802664 gong777802664 离线 LV6 高级工程师积分：1462 \| 主题：27 \| 帖子：220 访问空间发消息积分:1462 LV6 高级工程师 2019-1-30 08:43:59
					都是在带同样的满载的情况下一上电就炸管的，满载峰值电流（加电感纹波）为28A，我单个mos电流是47A，就算不均流，单个mos也够了吧，IGBT的电流是32A的两个回复 \| 举报 \|

			12 gong777802664 gong777802664 离线 LV6 高级工程师积分：1462 \| 主题：27 \| 帖子：220 访问空间发消息积分:1462 LV6 高级工程师 2019-1-30 14:37:08
			王工有什么好的思路吗，本来就是打算用IGBT，但是不懂为什么mos就一上电就穿一个回复 \| 举报 \|

			15 gong777802664 gong777802664 离线 LV6 高级工程师积分：1462 \| 主题：27 \| 帖子：220 访问空间发消息积分:1462 LV6 高级工程师 2019-1-31 15:20:15 倒数10
			王工，你看看14楼的波形，看一下，是因为电流环的事吗回复 \| 举报 \|

		13 zhuliu09 zhuliu09 离线 LV8 副总工程师积分：4283 \| 主题：0 \| 帖子：849 访问空间发消息积分:4283 LV8 副总工程师 2019-1-30 16:40:04
		你的结果，应该可以不考虑稳定过温导致器件损坏。那么就剩下过电压或者过电流两种情况了。PFC电路，开关管的漏极通过二极管被输出电压钳位，过电压损坏的可能性也不大。所以，我认为应该是过电流导致MOS损坏。接下来就是分析，过电流损坏是怎么发生的。我觉得应该是发生在开通切换的过程中，也就是off-on切换的过程，如果并联的两个MOS不是同时动作的，先动作的管子通过的电流包括电感电流+二极管结电荷充放电电流（假设采用SIC，不考虑反向恢复电流）+两个MOS的输出节电容充放电电流，如果这个切换动作很快，时间很短，那么结电容（二极管+两个MOS的输出电容）电荷一定的情况下，这个充放电电流会很大，比使用一个MOS情况下要大很多的，有可能造成先动作的MOS过电流损坏。使用IGBT时，OFF-ON的切换速度很慢，动作的时间很长，故结电容的充放电电路可能会小一些，同时，IGBT的电流能力也比MOS大一些。所以，我认为，是由于在OFF-ON切换的时候，由于并联的两个MOS动作不一致，先动作导通的MOS通过的结电容充放电电流过大导致MOS损坏。可以尝试增加驱动电阻，减小驱动电流（注意开关损耗的增加）的方式，减慢OFF-ON的切换速度。也需要优化一下PCB布线，尽量保证两颗MOS的栅驱动回路一致。回复 \| 举报 \|

			14 gong777802664 gong777802664 离线 LV6 高级工程师积分：1462 \| 主题：27 \| 帖子：220 访问空间发消息积分:1462 LV6 高级工程师 2019-1-31 15:19:41
			mos损坏瞬间的波形是这样的，300W或者500W启动的时候是没事的，满载1KW启动就会出现炸管子的情况，另外就是捕捉到的炸管子瞬间电感电流波形（蓝色10A/div）和输出电压（黄色200V/div） QQ图片20190131150520.jpg (80.27 KB, 下载次数: 49) 下载附件 2019-1-31 15:05 上传回复 \| 举报 \|

				16 zhuliu09 zhuliu09 离线 LV8 副总工程师积分：4283 \| 主题：0 \| 帖子：849 访问空间发消息积分:4283 LV8 副总工程师 2019-1-31 16:35:39 倒数9
				输出电压还没有上升到正常值，电源启机就坏掉了。你试过增加栅极驱动电阻，减慢开关速度没？如果软启动过程可调，建议增加软起动的时间。回复 \| 举报 \|

					19 pdma pdma 离线 LV6 高级工程师积分：626 \| 主题：17 \| 帖子：101 访问空间发消息积分:626 LV6 高级工程师 2019-2-12 09:07:23 倒数6
					仔细看图片，可以看到电感电流很大的时候，输出电压并没有上升，是不是在MOS坏之前的这段大电流没有完全通过二极管流到输出？这样的话，占空比一直就会很大，电流就会很大。回复 \| 举报 \|

				18 ad596142041 ad596142041 离线 LV6 高级工程师积分：1683 \| 主题：1 \| 帖子：71 访问空间发消息积分:1683 LV6 高级工程师 2019-2-9 12:11:59 倒数7
				你能分别测量在1KW时刻两个管子的电流么?看一下是什么样的回复 \| 举报 \|

			24 redphenix redphenix 离线 LV2 本网技师积分：146 \| 主题：1 \| 帖子：4 访问空间发消息积分:146 LV2 本网技师最新回复 2019-10-8 11:17:34 倒数1
			分析的很好，应该是这个原因，我也遇到这个问题，判断下来因该是这个问题。回复 \| 举报 \|

		17 han1985 han1985 离线 LV6 高级工程师积分：877 \| 主题：0 \| 帖子：19 访问空间发消息积分:877 LV6 高级工程师 2019-2-1 17:19:52 倒数8
		并联的两个mos，栅极是直接连的还是分别用2个驱动电阻（如10欧姆）连的？一般情况下栅极电阻是不能直接连的回复 \| 举报 \|

			22 gong777802664 gong777802664 离线 LV6 高级工程师积分：1462 \| 主题：27 \| 帖子：220 访问空间发消息积分:1462 LV6 高级工程师 2019-2-12 14:30:42 倒数3
			肯定两个驱动电阻，这点常识还是有的回复 \| 举报 \|

		20 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：93641 \| 主题：115 \| 帖子：27350 访问空间发消息积分:93641 版主 2019-2-12 11:52:40 倒数5
		MOS与IGBT耐压是否相同？MOS是否总是损坏某个位置的还是随机的？此外，你的电路图和PCB画的不敢恭维啊。回复 \| 举报 \|

			21 gong777802664 gong777802664 离线 LV6 高级工程师积分：1462 \| 主题：27 \| 帖子：220 访问空间发消息积分:1462 LV6 高级工程师 2019-2-12 14:29:33 倒数4
			PCB不是我画的，尴尬，PCB走线确实有点问题回复 \| 举报 \|

				23 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：93641 \| 主题：115 \| 帖子：27350 访问空间发消息积分:93641 版主 2019-2-12 18:12:49 倒数2
				如果IGBT比MOS耐压高，炸MOS而不炸IGBI很正常如果布线不好，可能会炸多管并联的均流不仅仅是布线对称、驱动分开。如果可能，二极管也应分开，如果电感也分开（或者绕组分开），基本上就和单管没啥区别了。回复 \| 举报 \|

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