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| | | | | 你要先上两个电压点上的漏极波形图来分一下,这种情况很常见的。
对于内置三极管或MOS管的IC来说,MOS/三极管的的导通电压点直接决定了开关损耗,当导通电压点变高的时候,开关损耗变大,IC温升提高。我曾经用OB3398VAP的IC设计的50W产品,在输入电压为220V的时候,IC表面温度不到90℃,当输入电压降到185V时,IC的表面温度竟然达到了110℃,当输入电压达到245V时,IC的表面温度有115℃。后来,我放弃了该方案,改用了QR模式的IC……说明:都是装上外壳在密闭的环境中测试的
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| | | | | | | 为什么QR模式会没有问题?另温度高是因为输入电压导致导通电压高吗?三级管不是电流驱动的吗? |
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| | | | | | | | | 因为QR模式的特点就是:MOS/三极管是自动检测变压器退磁到最低电压时才开通的,那么,变压器上的漏感电流就小了很多,这样大大降低了MOS上的开关损耗。 |
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| | | | | | | | | | | | | 用QR的IC也是一样的高,只要380V输入就有问题。264V以下温度都没有问题。主要是输入功耗变大了,264V时输入功耗7.9W,380V输入时9.5W。内置三极管的PSR IC 都是这种情况的??
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| | | | | | | | | | | | | | | 难道你是用QR模式的IC?如果是这样,检查你的变压器参数,主要是主电感的L值太小,导致Ipk过大?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | NP 135 NS 9 VCC 20 LP=1.8MH,磁芯普通EE13,PC40
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这么小的功率,肯定和QR模式关系不是很大啦;1.8mH,AE=15.5左右,你的Bm太大了,当输入电压变高之后,估计已经饱和了;
我有空帮你算一个试试
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我算了一下,你这个参数要改成:L=10mH, Np=270Ts;Ns=9Ts。最好用三明治绕法,因为输入电压太高了,所以匝比要取大很多。否则,IC的Vds电压很高
不要有疑问,你先试一下再说……
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 非常感谢大侠的指导!把初级NP160T NS 10T,LP2.5MH,温度已经下了10多度了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你这个还不够,你测试一下工作频率,应该非常的高,或者变压器漏感非常的大
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