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 |  | | | | 5路输出的20V 10W的反激式开关电源。发现它接上5路负载（负载主要是三相全桥的驱动电路）之后，在还没有接上IGBT的时候，电路就会对整个附近的其它完全隔离的电路（另一个可调开关电源供电）产生十分大干扰的。但是在没有接上5路负载时却没有问题。 |
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| | | | | | | 还是没描述清楚，请用具体数据说话
发现它接上5路负载之后，在还没有接上IGBT的时候，会对另一个可调开关电源供电产生十分大干扰
只接4路就没有干扰？
什么负载？空载有没有干扰？
接上IGBT就没有干扰？
什么干扰？不能运行？运行不稳定？输出电压变了？或者只是纹波增加？
十分大是多大？九分大呢？无法用数据说话？
你自己这5路没有被干扰？一切正常？
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| |  |  | | | | | | 干扰分两种，一种是LAYOUT的布线干扰，如功率线干扰信号线，另一种为元器件干扰。
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| | | | | | | 其实很简单，你可以用近场探头来测下，分析一下干扰情况，另外你可以拿去实验室测下干扰。知道了干扰信号，自然就好处理了。
开关电源本身干扰是比较大的，三相逆变干扰更大，要先处理开关电源干扰问题还不如先把你其它电路抗干扰能力做好。
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| | | | | | | | | 要分开，分区域来分析，找到干扰源，可以采用屏蔽隔离来找干扰源。
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| | | | | | | 没有接上5路负载时却没有问题,你可以5路负载一路一路接，看5路中是哪路出了问题，就找哪路。
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| | | | | 共模干扰：检查你的PCB布局和变压器参数或工艺……
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| | | | | | | 蓝色为开关电源的mos管G引脚对地
黄色为5路输出电源线附近，即：探头短路接近输出电源线测得的波形。(电源轻负载，占空比10%)
下图，蓝色为开关电源的mos管G引脚对地黄色为其他电路板输出的方波被附近开关电源干扰波形。
说实话，感觉这就是极好一个反面教材了，各种问题。
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| | | | | | | | | 应该说是正面的教材吧，各种问题，实战呀！
去年整改过类似案子，电源干扰比较大，在图可以看到电源开关时产生很大的干扰，我修改了变压器参数，也修改相关电路。
在我整改的例子中，开关电源只为驱动提供电压，输出电压为12V带载不超过100mA，其实这种功率很小，原变压器设计使电源工作占空比太小，而导致峰值电流几倍的增加，让电源工作进入CCM模式，峰值电流进一步减小，接下来提高驱动电阻，原来驱动MOS电阻用22R的改为了330R，虽然电源损耗大了些，但对于这么小功率来说也多大影响，但干扰小了很多。
另外抗干扰设计也相当重要，我前面整改是为了让产品能通过EMC测试，而您的电路已受到干扰工作异常，若不提高电路抗干扰能力，最终产品也通不过相关测试。
干扰可能会让MCU死机，让数字电路误动作，让模拟电路中电压电流采样不稳定以及各种保护可能失效等。
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| | | | | | | | | 您好！从电源波形看，现在占空比确实也比较小，正如我前面所说，你也可以让开关电源工作于CCM模式，利于降低峰值电流。
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| | | | | | | 他这种情况是辐射干扰，不是传导，改变地线走法是无济于事的。
应该减小主环路的长度，最好将主环路的高压端于低压端走线重叠（一个在顶层，一个在底层），或者平行走线；另一个主要是变压器抗干扰要处理好，一定要加Y电容；
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| | | | | | | 两个完全隔离电路的干扰，绝大多数是属于RFI的问题，EMI的可能性很小。
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| | | | | | | | | | | 你仔细看看楼主的贴，人家特别说明了是干扰另外两个完全隔离的电路；
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看看这图是不是根您的测试差不多？
频普分析仪
您的电源功率不大，非常容易整改。
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| | | | | | | 嗯嗯，这看起来干扰也很大。你有解决思路没有？我计划重新做个变压器(重新算的参数，匝数减少些)试试。
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| | | | | | | | | 图片是之前整理的案子，早就处理完了，发上来给您参考一下，可以参考我17楼提出的思路。
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| | | | | | | 感谢热心帮助，最近重新改了一下变压器，效果不明显。试着改了mos管驱动电阻，改成680Ω MOS管发热非常严重，后面改成200Ω 好很多，噪声幅度降低了一半。没有增大变压器负载去保证变压器工作在CCM模式，而是在匝数和磁芯不变的情况下，增大了变压器的Lp电感，现在电感为11mH，但情况并没有好转。
黄色为MOS管Vds电压(我是采用分压方式测量的D极，1000KΩ:1KΩ) 。蓝色为电流检测电阻上电压。
工作在DCM模式下的波形如下
黄色为附近的噪声，蓝色为电流检测电阻上的电压，ccm模式 mos驱动电阻200Ω
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| | | | | | | | | 从CS波形来看，变压器电流饱和严重；
再根据你的回帖描述和波形来分析，变压器匝比稍高了一些，也就是说应该让退磁时间更长一些，以增大占空比；另外电感量增大之后，匝数也需要增加，否则，变压器进入饱和状态。至于增加多少，需要精确计算才行，你不妨将参数报上来，大家帮你算一下。
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| | | | | | | | | | | 输入民用电220V 输出22V 单路额定100mA 五路输出均一致(不含辅助绕组)，目前均用的EFD25 pc40磁芯Ae=58(mm2) Ve=3300(mm3) 开关频率60KHz目前做了两个变压器。
第一个变压器初级80匝，辅助绕组12匝 输出19匝，Lp=1.16mH。情况就是
第二个变压器初级80匝 辅助绕组13匝 输出22匝。Lp=4.2mH
这个情况如下
这是第二个变压器调整气隙后Lp=2.4mH时的情况。
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| | | | | | | | | | | | | 我帮你算了一下，原边Np=55Ts，副边Ns=13Ts 5股，辅助Nf=8Ts；原边电感量为Lp=1.8mH；
你照这个参数绕一个变压器试试
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| | | | | | | | | | | | | | | 下午按照以上参数重新绕了一个
气隙也是按照要求来的。但是情况没有好转。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 你这个还是PCB布局有问题，上一个照片来看一下；
这个参数是有点饱和一样，你的工作频率是多少？估计没有60KHz吧；这导致变压器计算不准确；你将电感量减小到1.5mH
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| | | | | | | | | | | | | | | 版主大人好，楼主是用了大磁芯做小功率。所以不应该用正常的计算公式。增加圈数，可以减小层间漏感，使各组电压稳定更好。变压器推荐以下参数及绕法。
1/2NP 0.2mmX116T 绕两层，每层58T
N1 -- 0.3mmX46T 单层绕满
N2 --- 0.3mmX46T 单层绕满
N3 ---- 0.3mmX46T 单层绕满（反馈绕组)
N4 -----0.3mmX46T 单层绕满
N5----- 0.3mmX46T 单层绕满
1/2NP 0.2mmX116T 绕两层，每层58T
NS （IC供电绕组) 0.2mmX 28T
LP=4mH;
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 已经重新绕了一个，情况如下：
我在初次极之间加了一个电容，如下图。
加电容之后的情况，
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 楼主您好！0.1u确实太大，通常用2.2nF就可以了。波形看起来还不错，就是开通尖峰大了些，加大驱动电阻会降下去的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 电路也按设计进工作于CCM模式。变压器我感觉应该没问题了，再微调些参数，应该就能满足您的要求。
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BingSun兄，你好。
昨天那个我还真不好意思，整错了，好在没有烧。今天重新绕了一个232匝的。情况如上图。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 虽然是DCM模式，看起来还好！ 您测下参数，有没有变好一点？
MOS管用2N60-4N60 就好，驱动电阻在220R-330R之间，这样应该能降低开通及关闭时损耗。
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| | | | | | | | | | | | | 看波形是开关管，驱动波形干扰，要调节驱动，优化驱动走线。
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| | | | | | | | | 你第三个图也根本没工作在CCM模式哦，依然是DCM模式；要是变压器工作在CCM模式，需要改变匝比；减小匝比才行
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| | | | | 感谢大家的热心指导，最近在这个基础上重新制作了变压器，主要增加了对漏磁的屏蔽。
比之前好了很多。
这是以前的情况，黄色为附近线路上的干扰，蓝色为电流
这是现在的情况，感觉已经好了很多。
电流探头对于实际干扰也有一些影响，这是撤掉探头后的情况。注意：为了更好的显示，示波器档位已调整，测量的位置不变。
说一下整改，内层初级，其次是同向辅助(对初级起一定屏蔽作用)，然后再是次极绕组，外面加绕一层(作为法拉第笼)，最后包了一层铜皮在变压器在外。变压器初级80匝 辅助绕组13匝 次极绕组22匝
介于之前改进的有所好转，但还是有不小的干扰，在变压器上在下已经想不到其他改进了。为了能够消除开关管上打开瞬间的反向高压脉冲，我在整流桥前增加了一个π型滤波器。增加以后的情况如上图，黄色为MOS管ds之间的电压，蓝色为电流采样电阻电压(电流)。感觉增加以后，主要变化的地方是黄色线(即MOS管ds电压)在下降前出现了一个小斜坡。
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| | | | | | | | | 磁芯EFD25
初级--80T 4.6mH
辅助--13T
次级--22T --反馈
次级--22T
次级--22T
次级--22T
次级--22T
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