| | | | | 这么高的电压 还是双管反激较为稳妥 毕竟管子的耐压 电流都在那放着
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源自(点我): 疑似陶显芳 写的内容。
论坛 搜索关键字 沙占友 拓扑 ,其有2篇文章总结了适合各种功率的拓扑及 优缺点。
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其实我想说双管正激(但一看 输入范围那么大,有些问题) 。
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| | | | | 反激短路过流之类的更容易保护,但变压器要仔细处理;效率也会低一些
LLC用分槽变压器更容易提高耐压,但输入电压范围宽、功率器件也要多一些
散热、体积、成本综合考量,没有一票否决的话,还是反激稍微占优
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| | | | | 我认同双管反激,原因是:输入电压太高,管子不好选用。
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| | | | | 不好选。
LLC嘛,输入电压太宽。
双管反激嘛,这电压,变压器分布电容影响有得受。
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| | | | | | | 还是要看你选用的器件
1、如果你只用普通器件,那要多电平
2、如果你只用1只高压器件,那可以Buck到500V再半桥
3、如果你有2只用高压器件,那就半桥。
性价比建议2
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| | | | | | | | | 半桥的话,那两颗电容需求大体积也不小了,老师,我这里可以使用1700V的SIC器件,需要将体积尽可能做小。
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| | | | | | | 400W搞两级确实性价比最佳,2500V/5A的IGBT都不便宜,高压MOSFET更贵
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| | | | | | | | | | | 李工说的先buck再LLC。不过1700V的管子做1500V输入的buck有点悬
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| | | | | | | | | | | | | | | 高压的电容个头不小,引线和PCB上的走线做不到低压那么短,高压器件Coss也小(SiC应该更小),边沿快一点就要命
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| | | | | | | 您好!除了功率,还要看其它要求,160W的或用双管反激,400W可用双管正激。 要求高点可以上LLC,上全桥感觉就没必要了,而且成本会增加很多。
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| | | | | 打算采用双管反激1700V的管子,PQ40,使用QR芯片为NCP1380,副边打算同步整流。
但发现NCP1380消隐时间最大为4us,不适合用作超200kHz,我打算做的频率范围为100-230kHz.,还有没有其他芯片推荐。最好是那种高压轻载情况下能以低频方式运行的。多谢各位大师赐教 |
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| | | | | | | | | | | | | 使用NCP1380怎么样,设计按照最低100kHz计算磁性元件的。计算最大频率会达到230kHz,退磁时间小于了IC消隐时间,可以吗?
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| | | | | | | | | | | | | | | 我没了解过这棵芯片,您选一个您用过,也比较熟悉的芯片,后面调式也会方便点。
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| | | | | | | 频率超200kHz,有点高,容易受到干扰,建议频率设定在100K-200KHZ之间比较合理。
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| | | | | | | | | 最终将低压满载频率设定在80K,但是实测低压时带载能力不足。
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| | | | | 可以选择双管正激啊,可靠,成本也相对LLC来说便宜。我们有整套方案供您参考,18617191882
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