| | xkw1cn- 积分:131244
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积分:131244 版主 | | | 这就是续流二极管反向恢复时的短路电流。电压越高;恢复电荷越大,电流就会越高。
建议都换成正确型号试试。
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| | | | | | | 反向恢复耦合过来有这么大电流?我输入才90V啊,实际要搞到390V,那得多大啊。不过二极管比较特殊,因为输出电压比较高,用的1200v的管子
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| | | | | | | 能不能推荐个200V 和300V恢复时间快的二极管,
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| | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | |
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| | | | | 从第二张图看,你的电路工作的不正常,MOS管关断后初级绕组复位,DS电压应该快速被嵌位在输入电压上,复位完成后DS电压变为输入电压的一半,你的图上DS电压是慢慢上升的,最后才被嵌位在输入电压上,说明你的复位一直没有完成啊,是不是你的电路或者变压器初级感量有问题?至于电流的尖刺,一般来说是变压器初级绕组的寄生电容导致,但是你这个电路有异常,所以也不好分析,建议你先确认你的电路有没有问题。
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| | | | | | | 发现驱动有问题,驱动的原边增加的隔直容就发现两MOS驱动电平有延迟,去掉隔直容就没有问题 |
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| | | | | 奇了怪了,mos关闭瞬间波形很奇葩。紫色是变压器原边电压,黄色是GS波形,蓝色是下管DS波形,绿色是上管DS波形
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| | | | | | | | | | | 磁芯没有复位完的波形,有可能是占空比太临界的原因,接近0.5了
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| | | | | | | | | | | | | 就算是0.5的占空比也不太应该这样,你可以算一下初级感量的励磁电流,续流所需的时间可以算出来,从图上看DS电压上升的速度比较慢,会不会是初级感量比较大,励磁电流很小,所以给DS电容充电时间比较长
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| | | | | | | | | | | | | | | 原边感量确实很大,3.8mH了,我计算时用的10%Ipk,帮忙看下计算过程有没有问题??
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| | | | | | | | | | | | | | | 原边感量降到1.3mH,波形正常很多,应该是您说的原因,我继续降点感量试下
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| | | | | | | | | | | 电路查了下,没有什么问题啊。变压器感量也没啥问题,气隙只有一丁点,按理说也不影响。感觉关闭瞬间,复位电路没通一样
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 也有可能是输入电压偏低的原因,你可以把输入电压再继续提高看看,输入电压低,复位的反向电压就低
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 一个双正激搞这么久,上次叫你看看别人的贴子,你还说没用!
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 之前没搞过,有空才搞搞当然久了。不知道才发帖啊,有什么好嫌弃的啊。我之前回的是有效果,但是没放在副边这么明显,没说没用。而且外加电感带重载后磁芯温度有点高,后来又去掉了。
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| | | | | | | | | | | 那怎么绕??我现在用的是三明治副原副。匝比准备改成27:29。
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