|
| | | | | | | 另外尝试了500ns的二极管是没有问题的,所以现在也认为是二极管反向恢复时间的问题,但是一般这个只影响MOS原极尖峰电压和RCD的能量吸收,不应该导致输出的异常。我想知道根本的联系在哪里
|
|
|
| | | | | | | | | 根本联系是DRAIN与SOURCE之间在芯片内部有联系:
|
|
|
| | | | | | | | | | | 这个我知道,应该是和启动电路有关,但是还是没有办法去理论上说通这个事情,另外,今天在二极管上串联一个1k电阻,也可以解决这个问题。我的理解是,增加的这个电阻相当于限流,减小了二极管反向恢复时间。
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | VCC供电电路,多半是一个JFET(结型场效应器件)
|
|
|
|
| | | | | | | 以后还可能遇到这样的问题,知道原因的话就知道如何解决了
|
|
|
| | | | | | | | | 有大神遇到过类似的情况吗?如何解释通这个现象,下图为缓慢增加输入电压时,VDD脚上的波形,电压会不断增加
|
|
|