 |  | xkw1cn- 积分：131408
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积分:131408 版主 | | | 有！还极大！
LLC实现ZVS过程间隙就是死区时间。死区不适当；无零压！
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|  | | | | | | 在某个死区时间范围内实现零电压导通，在这个前提下，这段范围内死区时间怎么选择呢，越小越好吗 |
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| | | | xkw1cn- 积分：131408
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积分:131408 版主 | | | | | 原则上是这样。死区越小；电源利用率越高——同功率电流越小——整体效率越高
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| | | | | | | | | | | 为什么会这样呢，死区时间小一些只是另一桥臂Mosfet快一点导通，死区时间大一些电流同样会流经体二极管导通，为什么会影响谐振电流的大小呢，谢谢大佬解答
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| | | | |  | xkw1cn- 积分：131408
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积分:131408 版主 | | | | | | | 注意电源实际利用率，就是导通时间与半周期时间比。死区越小，分子比例越大，值越高。
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| | | | | | | 在某个死区时间范围内实现零电压导通，在这个前提下，这段范围内死区时间怎么选择呢，越小越好吗
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| | | | | 死区时间内Lr+Lm同时完成对mosfet输出电容的充放电，实现ZVS开通。
（1）死区时间设计的过小，就要求磁化电流ILm增加，增加了mosfet导通损耗。
（2）死区时间设计的过大，造成传输功率的时间（P状态）变短，死区时间内负载电流仅靠输出滤波电容放电供给，死区时间越长，输出电容上电压降低越多，下次进入P状态后谐振网络峰值电流越大，增加了初次级电流峰值，增加了初次级导通损耗。
（3）因此死区时间的选取，首先取决于mosfet驱动的上升沿和下降沿，这是安全性要求。建议死区时间为2倍的上升沿或下降沿，在保证安全性后，死区时间保持最小状态即可。如果开关频率不是提高太多，LLC较容易满足ZVS条件。
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| | | | | | | 关于第二条，为什么在死区时间内只有输出电容供电？在工作频率小于谐振频率时，副边没有电流这种情况不应该发生在死区时间之前么
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| | | | | | | | | 您画的没有问题，fs大于fr时，死区时间一开始的一段时间漏感能量转移到副边，这个时间较短，是我表述的不严谨；fs小于fr时也如您所说的副边没有电流在死区时间之前就发生了，但是与我的解释也不矛盾。 |
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| | | | | | | 您好！
当LLC死区时间过长时。谐振电流到零，但是开关管还是没有导通。
开关管上的Cds与谐振电容、谐振电感一起参与谐振。
这可能会造成Vds电压谐振，但是谐振电压不会超过Vin+Mosfet二极管内的导通压降。 |
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| | | | | | | | | 您好，我做的是LLC半桥1000W，死区时间，时间400ns，满载的时候死区时间内有震荡，这个震荡大吗？图片为320V输入的驱动波形，绿色为下管驱动波形。 |
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| | | | | | | | | | | | | 您好！
您的LLC下管驱动波形，在高电平期间发生了轻微的震荡。可能出现下面几个原因。
1、驱动芯片损坏。
2、通过Cgd电容耦合过来的，可以检测下管的Vds波形看下。
如果是这个原因的话，Vds也会震荡。
建议一起测量下管的Vgs、Vds波形来看下。
祝好！
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| | | | | | | | | | | | | | | 大佬您好，刚刚测试了确实是下管驱动芯片损坏了。。。，我上次就是上到350V的时候，测试的是上管的驱动波形和ZVS，然后驱动电阻突然炸了，当时MOS管温度50多，上管也实现了ZVS，一直不知道原因是什么，是因为死区时间内的震荡导致上下管直通了吗？图为350输入，黄色为上管驱动波形，绿色是上管的Vds,开关频率136KHZ，准备做的是1000W输出86V，输出电流12A |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 也在思考是不是死区时间震荡引起的直通，还是有其它原因吗？我之前做轻载，半载是没有问题的，半载以上到满载MOS管温度都比较高，上管都能实现ZVS，之前也做了一个750W的 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您觉得有哪些可能造成上下管直通了呢，您刚刚说的那个驱动芯片坏了的情况也是满载的情况出现的，还需要提供哪些条件哇，已经被这个情况折磨好久了，呜呜呜
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 把驱动电阻放大一倍，输入电压上到350V，再试一下看看。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 刚刚在重新焊驱动板子  ，您好，您是指把  这俩电阻都要扩大嘛？下面是导通电阻，上面是关断电阻
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 昨天焊的驱动电路，今天在320V测试了一下，黄色上管驱动，绿色是下管，蓝色是下管Vds，紫色是谐振电流波形。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您好，您看看这驱动波形还是有点抖动，这时候MOS管也实现了ZVS，管子温度35°，不敢上电了
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 35°壳温算是比较低的了，加个风扇继续上。不要怕嘛。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您好，主要是炸管子有阴影了。。。我分别测了上下管的波形，发现下管驱动波形震荡特别大，黄色为下管驱动波形，蓝色为上管的，绿色是Vds,这个震荡影响大嘛？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 死区时间是350ns,MOS管体二极管回复时间是230ns
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 感谢陈工，顺利完成了满载的实验！，330V之后管子温度变化不大，之后就是40°，没有太大温升了，陈工那个驱动负电压尖峰是为什么有那种震荡，我一直不敢上电，多亏陈工给我打气! 
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您是用热电偶还是测温仪测温的呀，方便分享一下仪器型号吗？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您好，陈工，我用的是实验室的测温*，是FLIR E40 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您好陈工，最近在做闭环实验，前几天调试补偿值的时候下管驱动波形很正常，今天调试的时候，在160V输入的时候下管驱动波形就震荡了，之前没有出现过，我测试了驱动芯片，驱动电阻都是正常的啊，不理解。绿色是下管驱动波形，蓝色是二极管两端电压，紫色是二极管的电流。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 很玄学。。。，晚上在上电又好了，下管驱动不震荡了，奇怪。。。。。，但是在330V输入的时候，电压刚稳定到86，程序就报错了，害 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 陈工，您好，这闭环驱动程序报错，驱动电阻还调大吗？，现在驱动电阻是20 18欧姆，之前小于这个补偿值的时候，330V并不会报错，现在这个补偿值刚刚好，但是程序会报错。。。唉，尝试了好几次，程序错误代码都是154，是干扰。很难理解330V输入电压，电压刚稳定86V，频率开始上升，程序就报错。。。。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 感谢陈工帮忙哇，陈工您好，我在调试驱动电阻，发现有效果，现在大概是在390V输入运行一会的时候会报错，电压环也是没问题的，可以稳在86V了，会继续调试的，这个ZCS中二极管的电流电压波形惨不忍睹。。。，电压波形震荡归结于寄生参数的影响，电流波形也是这个原因吗？我想应该也和轻载的时候 功率低有关吧，这是250W的时候，还没做更高的功率，师兄征用了实验台，暂时得不到验证。（图片是前几天驱动波形抖动的，昨天晚上做的忘记截图了。。电流波形都是差不多的）
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您详细描述一下，您的拓扑，遇到的问题，疑惑吧。辅以相应波形，大家才好分析。
数字LLC的话，驱动波形出问题，大概率是硬件的原因。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 陈工您好，我做的是半桥LLC，变压器是可以切换，输入满载功率是1000W，谐振频率是200KHZ,恒压半载以下是122KHZ,恒压半载以上是142KHZ，输出是86V，电流12A。半载以下测试的ZCS波形中，电流波形很丑。。。刚刚在半载分别测试以142KHZ和122KHZ测试了，发现144KHZ的时候副边二极管波形很平滑，122KHZ的就很丑，为什么低频率就会这样？
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黄绿分别为上下管驱动波形，蓝色为二极管的电压，紫色是二极管的电流波形 ...
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黄绿是驱动波形，蓝色是二极管电压波形，紫色是二极管电流波形
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 二极管电压波形震荡没有随着频率的改变而变好，我看别人的二极管电压也震荡，比我这个好看多了
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 144kHz 与 122kHz对应的负载不同，您死区时间是固定的。
1、122kHz 下的副边二极管的电流，上面叠加了高频的谐波电流。可能原因如下：
1）LLC变压器副边寄生电容与整流二极管布线发生了谐振。
2）122kHz工作在半载的情况下，原边开关管会不会工作在ZCS区。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 陈工您好，原边在122KHZ的时候实现了ZVS呀，二极管电压波形原因和这个一样吗？ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 从波形来看，的确是实现了软开关。
您整流二极管的结电荷是不是太大呢？有没有条件换一个结电容小的试试？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 陈工您好，二极管结电容是150PF，跟MOS的Coss大小一样，MOS 类型STW25NM60ND 型 MOSFET，二极管类型Microsemi 公司的 APT30S20B(G)型
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