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|  |  | | | | | 首先非常感谢您愿意指点！如您图中指出，对Vds波形的影响主要有环路脉冲电流的磁场干扰，热点脉冲电压的电场干扰，滤波残留信号的干扰，还有GND的噪音电平。
我的理解是，先不考虑接地噪音电平和滤波残留信号，则对于Vds和Vd以及Ip的干扰主要是磁场干扰和电场干扰。取您标记的时刻分析，此时刻MOSFET从导通变为关断状态。MOSFET关断的前一刻，Vds=0、Vd=0、Ip=0、Co下正上负，关断后瞬间，Co放电（时间很短），所以D点电位差瞬间增大、Vd有尖峰、Ip有尖峰、与MOSFET串联的电感有感应电压 Vds有尖峰，这是电场干扰；磁场干扰的话 您说是Ip的干扰，我原本以为主要是Rz那条输出回路对MOSFET的干扰。如果是Ip的干扰，则是与MOSFET串联的电感的感应电压使Vds关断时会有尖峰。
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| | |  | | | | | | | | 还请您稍微具体些指点一下，我以前没有接触过用能量平衡的方式分析。 |
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| | | | |  | | | | | | | | 电场磁场，它是能量场，
磁场对应电感上的电流变化，可以看出，电流受环路影响甚小，它是拓扑器件在决定。这意味着能量仅与感量呈正比，你得控制感量（环路大小），才能减少干扰能量。至于这部分干扰能量的去处，只要它没有变为热量，就是干扰能量，总会以某种方式释放到系统中的某个地方，任何地方都是可能的。
电场对应电容上的电压变化，可以看见的就是这些电压毛刺，它的能量与电压变幅（dv/dt）和热点等效电容量呈正比，虽然毛刺本身就是不利信号，但它更大的影响是它的电场干扰，即该电场能量的释放，总会以某种方式释放到系统中的某个地方，任何地方都是可能的。
至于干扰能量究竟释放到哪里去了？干扰了谁？那取决于谁的结构更容易接受到这些能量。至少我们知道：对大地的干扰就是共模电流，对GATE的干扰就是弥勒。
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| | | | | | | | | 如何确定是由于主电路寄生电感干扰引起的呢？ 在调试中，我们常把可能受干扰的线远离主回路，如有网友调试NCP1654时就发现类似问题。
若影响到功率管开通或关闭，要么干扰太强，要么抗干扰能力太差。
拿出您实际碰到的问题，才可能做出更具体的分析。
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| | | | | | | | | | | 用的MOSFET是IXTQ130N10T，得到过检验，应该不是抗干扰能力的问题。
主要问题应该在PCB板的布局问题上，PCB产生的主电路电感可能比较高了，我先查资料计算一下寄生电感值。
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| | | | | | | | | | | | | 楼主好，电路图，PCB图放上来，才好分析。
对于这个功率管来说最低电压要达到2.5V才开通，干扰是瞬间的，G极电容能吸收掉这个干扰，所以应该是控制电路受到了干扰。
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| | xkw1cn- 积分：131400
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积分:131400 版主 | | | 距离产生美 
只要距离足够近，就能将寄生参数降到底。
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| | | | | | | 有时候已经尽可能近了  无奈还是大啊 先算PCB寄生电感值吧，然后改PCB比较麻烦的话考虑换耐压更好一些的MOSFET。
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