两种沟道MOS管电路的问题-综合电源技术-世纪电源网社区

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2019-5-10 20:48:58

30问答币

如图下
用NMOS和PMOS当做防止电源反接的保护电路
【1】其中PMOS管的电路图好理解，对于NMOS管的电路图（最上面一个图）
输入Vin是直接连在其栅极处，但是MOS管的Vgs是有限度的，如果输入电压Vin过大是不是就不能采用NMOS管来做反接保护？
而PMOS管就没有这样的问题，但是PMOS管的导通内阻Rds又大于NMOS管。

【2】两种沟道的MOS管防止反接电路中，都在栅极处加上电阻，起到什么作用？

【3】既然两种沟道MOS管防止反接电路，都利用了MOS管自身的寄生二极管的导通作用
那么在图中最下方的推挽输出拓扑中，没有考虑寄生二极管的作用呢？
在H全桥拓扑中，只把与MOS管并联的二极管当做续流的作用来看待？

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deep_thought

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P_MOSFET与N_MOSFET一样都有Vgs耐压问题。一般是要求小于20V，解决方法一般是G与S间并联一个12V的稳压管钳位。G脚串联电阻与GS间结电容形成RC滤波作用，保护MOSFET免于静电或瞬态电压浪涌引起的损坏。 H桥电路中的MOSFET体二极管是否有作用，要根据实际电路而分析。第3图下MOSFET体二极管方向反了。。。 ...

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		2 huangxvyao huangxvyao 离线 LV8 副总工程师积分：8303 \| 主题：19 \| 帖子：419 访问空间发消息积分:8303 LV8 副总工程师 2019-5-11 11:28:04 倒数7
		输出电压高的时候，可以先进行分压，再取电压去驱动NMOS。回复 \| 举报 \|

		3 huangxvyao huangxvyao 离线 LV8 副总工程师积分：8303 \| 主题：19 \| 帖子：419 访问空间发消息积分:8303 LV8 副总工程师 2019-5-11 11:40:40 倒数6
		G极加电阻，按照你这个电路，就是限流的作用。正常来讲，都要先进行分压再取合适的电压到G极，来驱动MOS管。另外，也不是依靠体二极管来导通，是要依靠驱动去导通MOS，MOS不导通，依靠体二极管，损耗得多大。MOS管导通后，电流由S到D（Nmos），和体二极管并联，很少电流会从体二极管流过,都是从s到d流过。回复 \| 举报 \|

			7 shaorc shaorc 离线 LV8 副总工程师积分：2754 \| 主题：192 \| 帖子：485 访问空间发消息积分:2754 LV8 副总工程师 2019-5-13 11:38:06 倒数2
			“另外，也不是依靠体二极管来导通，是要依靠驱动去导通MOS，MOS不导通，依靠体二极管，损耗得多大。” 先谢谢谢你的回答，如本楼顶部的引用，是您的部分回复，有以下疑问追问一下如图下，在PMOS防反接的电路中如果极性连接正确，PMOS是会导通，然而PMOS的导通条件是Vs＞Vg，即图中PMOS的右端电压S极电位大于栅极电位然后Vs通过电阻R1、R2串联分压，R2上的电压为Vg电压，小于Vs，使得PMOS导通。这个原理实现的前提不就是因为，正确上电的时候，Vin通过体二极管导通使得Vs等于Vin-0.7V吗？那为什么说不是依靠二极管导通？ 1.jpg (310.63 KB, 下载次数: 41) 下载附件 2019-5-13 11:35 上传回复 \| 举报 \|

				8 huangxvyao huangxvyao 离线 LV8 副总工程师积分：8303 \| 主题：19 \| 帖子：419 访问空间发消息积分:8303 LV8 副总工程师最新回复 2019-5-13 11:55:02 倒数1
				我理解错了你的意思。是要通过体二极管，Pmos才能开通。回复 \| 举报 \|

		4 huangxvyao huangxvyao 离线 LV8 副总工程师积分：8303 \| 主题：19 \| 帖子：419 访问空间发消息积分:8303 LV8 副总工程师 2019-5-11 11:49:09 倒数5
		第三个图也是一样的道理。mos导通后的Rds远远小于体二极管的内阻，基本上电流不会经过体二极管，都是流过mos。 MOS管体二极管相当于普通二极管，反向恢复很慢。回复 \| 举报 \|

		5 deep_thought deep_thought 在线 LV8 副总工程师积分：6838 \| 主题：1 \| 帖子：1128 访问空间发消息积分:6838 LV8 副总工程师 2019-5-11 17:04:36 倒数4
		P_MOSFET与N_MOSFET一样都有Vgs耐压问题。一般是要求小于20V，解决方法一般是G与S间并联一个12V的稳压管钳位。G脚串联电阻与GS间结电容形成RC滤波作用，保护MOSFET免于静电或瞬态电压浪涌引起的损坏。 H桥电路中的MOSFET体二极管是否有作用，要根据实际电路而分析。第3图下MOSFET体二极管方向反了。。。回复 \| 举报 \|

		6 古通88 古通88 离线 LV6 高级工程师积分：1999 \| 主题：6 \| 帖子：411 访问空间发消息积分:1999 LV6 高级工程师 2019-5-11 17:23:01 倒数3
		首先，最上面的图和最下面H桥图里的Nmos中二极管画反了。接着回答你的问题： 1.如果VIN过大，自然就不能用来做反接保护，除非更换更大耐压的管子。 2.接电阻是起限流保护和连接作用。 3.最下面H桥图中的二极管在上管开通比下管关断速度慢的时候，在全桥拓扑时候上管Pmos的二极管是会有续流作用。回复 \| 举报 \|