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6月25日 深圳 TI 系统级电源设计研讨会

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世纪电源网-锦秋
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  • 2019-5-31 13:15:53
TI 深圳系统级电源设计研讨会
驱动器设计·降低电源待机功耗·高密度电源解决方案
6月25日·深圳益田威斯汀酒店

本次研讨会将具体介绍 TI 高压电源产品线及其相关技术培训。具体会包含以下三个主题:
•MOSFET,IGBT 和宽带隙应用的栅极驱动器设计基础
•如何降低 75W-600W AC / DC 电源的待机功耗和系统成本
•用 GaN 设计可靠的高密度电源解决方案
【讲师介绍】
张巍(Wei Zhang):TI 高压电源系统工程师。负责多种 MOSFET,IGBT,GaN 以及 SiC 驱动器的定义、设计及其测试。在高频电力电子领域有 10 年以上科研及其工作经验。
林思聪(Stone Lin):TI 产品市场工程师。丰富的开关电源设计工作经验,熟悉电源管理 IC 的应用与推广。
傅力行(Lixing Fu):德州仪器氮化镓(GaN)产品线的系统工程师。拥有多年的关于氮化镓和碳化硅器件应用的经验,现在的工作主要是在德州仪器新的氮化镓功率芯片的研发和应用上,以及高·效率高密度电源解决方案。硕士毕业于美国俄亥俄州立大学电子和计算机工程专业。
【活动日程】
  
时间
  
主题
演讲嘉宾
13:30-14:00
签到
14:00-15:10
MOSFET,IGBT 和宽带隙应用的栅极驱动器设计基础
张巍
15:10-15:15
休息

15:15-16:25
如何降低 75W-600W AC / DC 电源的待机功耗和系统成本
林思聪
16:25-16:45
休息
16:45-18:00
用 GaN 设计可靠的高密度电源解决方案
傅力行
18:00-18:15
总结

【时间地点】
时间:2019 年 6 月 25 日(13:30 - 18:30)
地点:深圳益田威斯汀酒店宴会厅
地址:深圳市南山区深南大道9028号-2
交通:地铁1号线 世界之窗站
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