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未解决

高压电源MOS管串联,芯片发热

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momene
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本网技师
  • 2019-6-11 15:01:27
10问答币
各位大虾,本人对电源不是很专业。为了实现AC600V的输入,开关电源采用了外部MOS管和芯片串联的方式提高耐压要求。
       电源可以工作,甚至可以到AC700V或者更高,但是当电压超过AC550V后,芯片发热验证,有个别会热保护而关机。

      S脚和地之间串联了电阻,发现过程中电流在600mA以下,并没有特别大。

      检测D脚波形,发现高压后,波形很异常,但是不知道什么远远。请大侠指导,应该如何调整。

     三个波形依次是电压不断升高,测得的画圈处波形。我认为发热是这个引起的,但不知道这个是什么原因导致的。需要如何调整?

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111.PNG

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nc965
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版主
  • 2019-6-11 15:26:24
 
不靠谱
momene
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LV2
本网技师
  • 2019-6-11 15:43:48
 
哪里不对,砖头尽快砸来,虚心学习

nc965
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版主
  • 2019-6-11 17:21:38
 
我是说这种拓扑不靠谱,没说你。
st.you
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总工程师
  • 2019-6-11 17:46:12
 
记得没错的话,这个是PI推荐的应用于高压场合的拓扑。早些年国内有厂家推出单级高P的LED隔离电源芯片,内置低压MOS,就是这类拓扑,所谓的源极驱动,用在常规的AC-DC反激上,效果还不错的。原理上也是可行的,也批量应用了。
nc965
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版主
  • 2019-6-11 18:35:04
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源极驱动当然靠谱,源极驱动以后再重叠一个源极驱动可能就不靠谱了,玩玩也许可以,但很少见成功应用。
st.you
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总工程师
  • 2019-6-12 09:31:16
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楼主的结构就是一个基本的源极驱动,没看到你说的源极驱动重叠。
nc965
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版主
  • 2019-6-12 09:44:15
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它这种(简约引脚的)IC,多半就是一个(内置一个高压MOS的)源极驱动IC。如你所说,源极驱动需要内置一个低压(而不是高压)MOS
st.you
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总工程师
  • 2019-6-12 10:12:19
  • 倒数3
 
看6楼,看不出IC本身是源极驱动。
nc965
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版主
  • 2019-6-12 10:17:24
  • 倒数2
 
也许吧,源极驱动的特征是无需VCC供电。
edie87
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LV8
副总工程师
  • 2019-6-11 15:50:01
 
MOS与IC串联来提高耐压?头一回见
你要提高耐压也是两个MOS管串联啊,
一个小IC能承受多少功率???
momene
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本网技师
  • 2019-6-11 16:14:30
 
IC芯片内部有725V的mos管的。  电源功率不大,也就芯片能够提高的功率以下,6W左右。
在三相四线系统中,线电压480V的时候,很多时候都是这么用的。  只是现在电压更高了,芯片发热。

momene
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本网技师
  • 2019-6-11 16:18:09
 
这个是芯片的框图,内部mos管

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ruohan
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副总工程师
  • 2019-6-11 17:50:17
 
你z4,z5用多少V的稳压管
这种串接的线路,很多厂家在用,

momene
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本网技师
  • 2019-6-12 08:24:23
  • 倒数8
 
200V+350V,串联
st.you
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总工程师
  • 2019-6-11 17:57:06
 
用TVS当稳压管,200和350好像电压都很高,取值不合理,在IC导通的时候MOS的栅源电压会不会超过极限了?
momene
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本网技师
  • 2019-6-12 08:22:29
  • 倒数9
 
这个两个管子电压在550V,参数误差会导致电压高低。大概在600多V,从波形可以看到,外部输入不断加大,D脚的峰值始终在600多,不会再高。芯片内部mos管725V,应该没有问题。

momene
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LV2
本网技师
  • 2019-6-12 08:30:28
  • 倒数7
 
现在波形3是输入在600Vac的时候,在此时外加mos管已经开始有电压,D脚波形振铃后的波形不知是啥?从波形上看,和低压的区别,这里比较明显。
qiuyuqiang01
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高级工程师
  • 2019-6-12 08:31:54
  • 倒数6
 
这种电路的原理没什么问题,很多电表,集中器的电源用这种架构,问题是这种架构只能用在暂态的高压,不能一直长时间高压工作否则上面的MOS管会发热严重,而你这个是芯片发热,不正常。你看一下是不是输入电压超过某个值后芯片突然开始发热而不是温度随着输入电压升高逐渐发热?
wiseyongchao
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本网技师
最新回复
  • 2023-8-5 15:28:21
  • 倒数1
 
带不带R由测试决定 电容从10pF开始测试,和变压器和mos管由关系。

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