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| | | | | | | | | | | 记得没错的话,这个是PI推荐的应用于高压场合的拓扑。早些年国内有厂家推出单级高P的LED隔离电源芯片,内置低压MOS,就是这类拓扑,所谓的源极驱动,用在常规的AC-DC反激上,效果还不错的。原理上也是可行的,也批量应用了。 |
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| | | | | | | | | | | | | 源极驱动当然靠谱,源极驱动以后再重叠一个源极驱动可能就不靠谱了,玩玩也许可以,但很少见成功应用。
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| | | | | | | | | | | | | | | 楼主的结构就是一个基本的源极驱动,没看到你说的源极驱动重叠。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 它这种(简约引脚的)IC,多半就是一个(内置一个高压MOS的)源极驱动IC。如你所说,源极驱动需要内置一个低压(而不是高压)MOS。
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| | | | | MOS与IC串联来提高耐压?头一回见
你要提高耐压也是两个MOS管串联啊,
一个小IC能承受多少功率???
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| | | | | | | IC芯片内部有725V的mos管的。 电源功率不大,也就芯片能够提高的功率以下,6W左右。
在三相四线系统中,线电压480V的时候,很多时候都是这么用的。 只是现在电压更高了,芯片发热。
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| | | | | | | | | | | 你z4,z5用多少V的稳压管
这种串接的线路,很多厂家在用,
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| | | | | 用TVS当稳压管,200和350好像电压都很高,取值不合理,在IC导通的时候MOS的栅源电压会不会超过极限了?
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| | | | | | | 这个两个管子电压在550V,参数误差会导致电压高低。大概在600多V,从波形可以看到,外部输入不断加大,D脚的峰值始终在600多,不会再高。芯片内部mos管725V,应该没有问题。
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| | | | | | | | | 现在波形3是输入在600Vac的时候,在此时外加mos管已经开始有电压,D脚波形振铃后的波形不知是啥?从波形上看,和低压的区别,这里比较明显。
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| | | | | 这种电路的原理没什么问题,很多电表,集中器的电源用这种架构,问题是这种架构只能用在暂态的高压,不能一直长时间高压工作否则上面的MOS管会发热严重,而你这个是芯片发热,不正常。你看一下是不是输入电压超过某个值后芯片突然开始发热而不是温度随着输入电压升高逐渐发热?
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| | | | | 带不带R由测试决定 电容从10pF开始测试,和变压器和mos管由关系。
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