|
 |  | | | | 1W 的取样电阻不够，至少3W
校测一下你的电感峰值电流。
|
|
|
|  | | | | | | 好的，谢谢您了，电阻功率这块我会改大我检查电路，发现是芯片驱动那个位置虚焊了，上电应该没有驱动直接炸掉，后来我把整个电路检查一遍后，直接用直流源进行低压测试，没有炸电路，但是出现了新的问题；
就是上电后，直接用115V直流源测试，原本设定PFC输出400V，但是会一直冲到420V，之后掉到399V左右，接着在冲到420V
我抓取NCP1654 驱动的输出后，发现开机后芯片会输出PWM直到电压升至420V，之后就驱动就没有输出了，然后电压往下掉（因为我为了测试在输出电容那接了个680K的功率电阻放电）等到电压掉至399V左右，驱动又会输出一串PWM波，使电压升至420V，接着往复循环。。。。。。
NCP1654 200K的芯片，诶，要死了，参数是按照WORKSHEET取的
|
|
|
|
| | | | | RUD1 10K，CUD1 47NF ，RGS 100K 我没有看错吧，请问 这样的驱动前端有什么特点，和理由？ 特别是RGS 100K，什么道理？ 先不说炸鸡原因与这些有没有关系。但LZ的电路参数已经是很特别的偏离MOS管的特性。为什么MOS需要RGS？这个电阻的取值一般都在10K以内。因为它可以极速释放MOS空穴微积电荷，保护MOS的作用。。 上电开机时,MOS管上的如果有微积电荷存在，MOS内阻变小，形成回路。 这时的芯片VCC供电没有及时跟上处在不工作状态。驱动输出不能保证拉低机制。一方面还是依靠RGS对MOS提高阻抗。 因此这个电阻阻值越小越好，但为了不影响驱动过分的负担，适当的用3-10K范围就可以保证MOS安全。希望LZ纠正这弊端。下面在找故障原因。
例外上楼朋友说的对，采样电阻1W是不够。 60mR 2512封装应该是2W的电阻。不是功率烧坏的直接原因。
估计，开机就炸。你都测不到GS波形，
先把 驱动MOS几个元件改进成NCP1654的典型电路和参数。 然后把R5电阻改大，调低电流限制。在开机
|
|
|
| | | | | | | 您好，谢谢您的指点这个不是普通MOS，是氮化钾GS66502B，这个驱动我是根据官方给的EZDRIVER来的，200K的开关频率，IC芯片驱动输出是12V
RUD1 10K为了保持住驱动电压
CUD1 47NF 为了在关断时保持住负电压
RGS 100K没说
那个官网的资料在这里，您可以看下，确实和普通MOS差得很多，但是电路里驱动可以输出PWM，我用的外部逻辑电源12V直接给芯片供电，至于氮化钾管脚处的驱动波形我就没看了，我看的芯片驱动管脚处的波形，因为IC驱动电路输出如果不行的话，应该早把管子烧了，现在是IC芯片的工作模式不对
然后把R5电阻改大，电阻我该到了3.3K，还是不行，参数能改的我都试了下，很迷茫。。。。。还请致指点
|
|
|
| | | | | | | | | 这几个我可能理解的不对，因为是官方给的，我没深究了
RUD1 10K为了保持住驱动电压
CUD1 47NF 应该为了在关断时抑制负电压，用来吸收的
RGS 100K没说，
|
|
|
| | | | | | | | | | | 采样电阻在开机浪涌电流回路里面的，我这里一般都是使用插件的绕线电阻，而且两三颗并联，防止被浪涌电流冲坏
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 谢谢您，我这个是根据芯片的手册来的，跟普通那种采样不同，采样电阻功率我后面会改大，但是现在是这个NCP1654现在的工作模式不对诶，这个我现在解决不了，您看看我上面说的
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 楼主好！
论坛里有一个1200W的贴子，你可以参考下。另外频率太高，也容易受干扰，可能使芯片工作不太稳定。
你的GS66502B是要哪里买的 ？ 多少钱一片？
|
|
|
| | | | | | |  | | | | | | | | | | 您好，这个可以到GAN SYSTEM的官网买，也可以去贸泽买，都有 |
|
|
| | | | | 你用NCP直接驱动氮化镓管子吗？E-MODE的氮化镓驱动一般不能超过6V电压吧！cascode的氮化镓才可以，cascode的氮化镓兼容普通MOS！你用Transphorm的氮化镓试试，应该没有什么问题。用这个芯片的PFC+LLC电路我们做过：PFC开关频率200KHZ，LLC500KHZ！
|
|
|
| | | | | 楼主，我也在用这款芯片设计PFC电路，请问你有设计文档吗？可以分享给我吗？
|
|
|
收藏
分享
津公网安备 12010402000296号