分享论文：《GaN基电力电子器件关键技术的进展》

      氮化镓GaN（gallium nitride）材料非常适合应用于高频、高功率、高压的电子电力器件当中。目前，GaN功率电子器件技术方案主要分为Si衬底上横向结构器件和GaN自支撑衬底上垂直结构器件2种。其中，横向结构器件由于制造成本低且有良好的互补金属-氧化物-半导体CMOS（complementary metal-oxide-semiconductor）工艺兼容性已逐步实现产业化，但是存在材料缺陷多、常关型难实现、高耐压困难以及电流崩塌效应等问题；垂直结构器件能够在不增大芯片尺寸的条件下实现高击穿电压，具有非常广阔的市场前景，也面临着材料生长、器件结构设计和可靠性等方面的挑战。基于此，主要针对这两种器件综述介绍并进行了展望。

欢迎大家下载学习：
      GaN 基电力电子器件关键技术的进展.pdf (2 MB, 下载次数: 51)

2019-7-22 14:07 上传

点击文件名下载附件
下载积分: 财富 -2

作者	单位	E-mail
彭韬玮	西安电子科技大学微电子学院,西安710071
王霄	西安电子科技大学微电子学院,西安710071	x.wang@xidian.edu.cn
敖金平	西安电子科技大学微电子学院,西安710071

论文出处：中 国电源学会——电源学报

http://www.jops.cn/dy/ch/reader/view_abstract.aspx?flag=1&file_no=201902280092&journal_id=dy