氮化镓GaN（gallium nitride）作为第三代半导体材料的代表之一，具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度高等优点，在电力电子领域有广泛的应用前景。GaN基器件具有击穿电压高、开关频率高、工作结温高、导通电阻低等优点，可以应用在新型高效、大功率的电力电子系统。总结了AlGaN/GaN异质结肖特基二极管SBD（Schottky barrier diode）目前面临的问题以及目前AlGaN/GaN异质结SBD结构、工作原理及结构优化的研究进展。重点从AlGaN/GaN异质结SBD的肖特基新结构和边缘终端结构等角度，介绍了各种优化SBD性能的方法。最后，对器件的未来发展进行了展望。
欢迎大家下载学习：
AlGaNGaN异质结肖特基二极管研究进展.pdf
(1.41 MB, 下载次数: 25)
| 作者 | 单位 | E-mail | | 唐玄武 | 中 国科学院微电子研究所,北京100029 | kangxuanwu@ime.ac.cn | | 郑英奎 | 中 国科学院微电子研究所,北京100029 | | | 王鑫华 | 中 国科学院微电子研究所,北京100029 | | | 黄森 | 中 国科学院微电子研究所,北京100029 | | | 魏珂 | 中 国科学院微电子研究所,北京100029 | | | 吴昊 | 中 国科学院微电子研究所,北京100029 | | | 孙跃 | 中 国科学院微电子研究所,北京100029 | | | 赵志波 | 中 国科学院微电子研究所,北京100029 | | | 刘新宇 | 中 国科学院微电子研究所,北京100029 | |
论文出处：中 国电源学会——电源学报
http://www.jops.cn/dy/ch/reader/view_abstract.aspx?flag=1&file_no=201903030105&journal_id=dy |
收藏
分享
津公网安备 12010402000296号