世纪电源网社区logo
社区
Datasheet
标题
返回顶部
讨论

分享论文:《基于p-GaN结构的GaN HEMT功率电子器件和数字电路单片集成技术》

[复制链接]
查看: 2934 |回复: 1
1
世纪电源网-SUN
  • 积分:1748
  • |
  • 主题:73
  • |
  • 帖子:216
积分:1748
LV6
高级工程师
  • 2019-7-22 16:18:01
         基于含p-GaN帽层的Si基GaN材料,实现了增强型GaN功率电子器件与数字电路单片集成技术的开发。在同一片晶圆上实现了增强型高压GaN器件、DCFL结构反相器和17级环形振荡器。高压GaN功率电子器件阈值电压VTH达到1.2 V,击穿电压VBD达到700 V,输出电流ID达到8 A,导通电阻RON为300 mΩ。基于E/D集成技术的DCFL结构反相器低噪声和高噪声容限分别为0.63 V和0.95 V;所研制17级环形振荡器在输入6 V条件下振荡频率345 MHz,级延时为85 ps。


欢迎大家下载学习:
       基于p-GaN结构的GaN HEMT功率电子器件和数字电路单片集成技术.pdf (623.77 KB, 下载次数: 7)
c0sm0s
  • c0sm0s
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:945
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:208
积分:945
LV6
高级工程师
最新回复
  • 2019-7-28 23:25:38
  • 倒数1
 
好资料     谢谢分享           
热门技术、经典电源设计资源推荐

世纪电源网总部

地 址:天津市南开区黄河道大通大厦5层

电 话:400-022-5587

传 真:(022)27690960

邮 编:300110

E-mail:21dy#21dianyuan.com(#换成@)

世纪电源网分部

广 东:(0755)28285637 /(13823562357)

北 京:(010)69525295 /(15901552591)

上 海:(021)24200688 /(13585599008)

香 港:HK(852)92121212

China(86)15220029145

网站简介 | 网站帮助 | 意见反馈 | 联系我们 | 广告服务 | 法律声明 | 友情链接 | 清除Cookie | 小黑屋 | 不良信息举报

Copyright 2008-2019 21dianyuan.com All Rights Reserved    备案许可证号为:津ICP备10002348