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LV8

副总工程师

2019-7-22 16:31:40

介绍了一种适用于600 V耗尽型氮化镓GaN（gallium nitride）器件的栅极驱动策略以及对应的驱动电路，并分析了采用耗尽型GaN功率器件的原因。驱动电路在功率管开启过程的2个阶段采用2种驱动强度的电流，在减小功率管开启过程中dv/dt的同时，保证功率管的开启速度。基于0.35 μm BCD工艺对电路进行仿真验证，结果表明：在600 V输入电压的半桥驱动应用下，驱动电路在GaN功率器件阈值电压前提供700 mA驱动电流，达到阈值电压后提供190 mA稳定驱动电流，开关节点的dv/dt为150 V/ns，传输延迟加开启延迟为20 ns。

欢迎大家下载学习：

600 V耗尽型GaN功率器件栅极驱动方案设计.pdf (1.01 MB, 下载次数: 90)

作者	单位	E-mail
潘溯	电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室，成都610054
胡黎	电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室，成都610054
冯旭东	电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室，成都610054
张春奇	电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室，成都610054
明鑫	电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室，成都610054	mingxin@uestc.edu.cn
张波	电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室，成都610054

论文出处：中国电源学会——电源学报

http://www.jops.cn/dy/ch/reader/view_abstract.aspx?flag=1&file_no=201902220078&journal_id=dy

收藏1

		2 hello521 hello521 离线 LV10 总工程师积分：14271 \| 主题：67 \| 帖子：1052 访问空间发消息积分:14271 LV10 总工程师 2019-7-22 18:31:20 倒数4
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			3 c0sm0s c0sm0s 离线 LV8 副总工程师积分：2662 \| 主题：0 \| 帖子：665 访问空间发消息积分:2662 LV8 副总工程师 2019-7-28 23:24:18 倒数3
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		4 大宝z 大宝z 离线 LV3 助理工程师积分：269 \| 主题：3 \| 帖子：16 访问空间发消息积分:269 LV3 助理工程师 2020-8-16 17:06:56 倒数2
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		5 flyedsky2021 flyedsky2021 离线 LV3 助理工程师积分：248 \| 主题：0 \| 帖子：4 访问空间发消息积分:248 LV3 助理工程师最新回复 2021-4-26 18:22:30 倒数1
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