 |  | | | | 1.反激是如何工作的，在Q1关断时刻，变压器原边电流首先给Coss充电，副边二极管未导通，只有将MOS电压充至Vin+n（Vo+VF)，即变压器副边端电压变化，足以实现二极管导通，此时才会有副边的二极管导通，然后变压器端电压被钳位了，变压器中存储的能量，也就是激磁电感能量，通过副边绕组继续续流此时原边漏感能量没有完全释放，就和Coss震荡起来了。然后产生了尖峰。
2.C1两端电压还需要你的变压器的漏感等参数，你如果绕制三明治绕法，估算3%左右，分析反激吸收电路，你可以区大概2~3被变压器端电压，即2~3* n*(VF+Vo)
3.D1在Q1导通时D1承受Vin和Vc电压，Vc电压为吸收电压，高于此NVo
评分查看全部评分
|
|
|
|
|
 | | | | | 1、C1两端电压大小取决于你的参数设计，次级折射电压Vor=3*50=150,C1两端电压一般设置为Vor的1.4倍，即Vc=1.4*Vor=210V
2、D1两端电压大约在Q1导通瞬间最大，其值等于Vin+1.4*Vor=450V 评分查看全部评分
|
|
|
| | | | | | | 感谢大大的回复。
针对问题1，您的观点与1楼大大的观点相差较大（2~3 vs 1.4），我也不懂，就不管了。
针对问题2，我有疑问。
在MOS管关断期间，C1吸收完漏感后，已经开始向电阻放电，在MOS管导通瞬间，其两端电压应该小于1.4Vor了吧？
|
|
|
| | |  | | | | | | 吸收电容C1比较大，我们一般都认为其上的电压是恒定的，其实不是，充放电时上面有一个纹波，尖峰应该比计算的大一点
具体多少取决于电容的大小
|
|
|
收藏
分享
津公网安备 12010402000296号