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| | | | | 变压器漏感与Coss之间的震荡属于差模范畴,可通过吸收电路来解决;而变压器的分布电容造成的干扰属于共模干扰,对EMI影响非常大,吸收电路是解决不了的,一方面需要对变压器的绕制工艺进行优化来降低分布电容,另一方面,需要对变压器增加Y电容来解决。
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| | | | | | | 万分感谢您的回复!!就是说它对EMI有影响,对原边的电压电流波形没有影响。那在mos关断后原边MOS管上的震荡会对输出二极管的电压波形产生影响吗?
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| | | | | | | | | VDS波形上的那个震荡恰恰就是在MOS关断时刻造成的,不是在开通时刻造成的。
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| | | | | | | | | | | 您说的对,那在mos管关断后的lc震荡会通过变压器反射到副边去影响副边吗?
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| | | | | | | | | | | | | 会影响到副边的,不过副边的震荡不都是原边耦合过来的,二极管的寄生电容与线路杂散电感也会产生震荡,所以,整流管也要吸收电路的。
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| | | | | | | | | | | | | | | 您手边有反激断续模式输出二极管的波形吗?如果有的话 您方便贴上来让小弟看看吗?因为我刚学的开关电源只是做了仿真,还没开始做实验,想更直观的理解这个过程。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 暂时手里没有存测试波形,导致副边整流管的尖峰主要是电流(二极管的方向恢复造成的,即di/dt),这个吸收参数要根据实际情况来调试出最佳的吸收参数,计算往往误差很大。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 在反激断续模式下也会有输出二极管的反向恢复问题吗,并且这个尖峰是在mos管开通的时候出现吧。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | DCM模式确实不存在反向恢复的问题,MOS开通时刻的电流波形尖峰不太好处理,主要由线路的寄生电容和寄生电感在MOS开通瞬间形成谐振,可以通过降低MOS的开通速度来降低此尖峰。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 所以说就是上面第一张图的,dcm模式中副边输出二极管的电流iD震荡是mos开通时的震荡引起的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 以DCM为例,MOS原边电流(Id)的尖峰包括三部分:尖峰1:MOS开通时刻,变压器的分布电容产生的;尖峰2:MOS关断时刻,变压器漏感、MOS管寄生电容(Cds)产生的谐振尖峰;尖峰3:整流二极管关断后,变压器漏感、励磁电感与Cds产生的谐振尖峰(由于此时谐振回路阻抗大,故尖峰不明显)
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个过程讲的非常清楚谢谢您了!我还不太明白的是变压器初级侧寄生电容是怎么影响电路的,具体过程怎么样的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这里的分布电容其实可以叫做等效电容,是变压器的杂散参数造成的,包括匝间电容、层间电容等分布电容,还有就是副边等效到原边的电容;MOS开通瞬间,原边电压通过变压器的等效电容(等效电容与变压器原边绕组并联关系),再通过MOS对地形成短路,这个就形成高的di/dt,就是原边电流的第一个尖峰。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 还有个问题想问问您,反激式电路断续模式下,负载的大小对原副边电流电压的影响是什么样的,对于这个学生有点分析不明白。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 可以根据公式或者波形了分析(DCM模式)
1、负载增加,占空比D上升,原边峰值电流上升,副边峰值电流同样上升,输出电流增大
2、负载增加,D上升,反射电压上升(Vor=Vin*D/(1-D))
负载减小,与上述相反。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 真的是非常感谢!!对于电阻负载来说,满载和半载要改变的是阻值大小吗(输出电压和功率额定的情况下)。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 好嘞 谢谢了 所以说满载半载说的是电流的大小跟功率无关 。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不变,Vo,匝比没变嘛。您那公式不对。(我不是大师啦。)
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Vin不变,Vo不变,D增大(负载增加),Vor不变的话,变压器如何维持伏秒平衡呢
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | DCM,从伏秒平衡可知,Vor = Vin*D/D2 ,D2是副边导通占空比,是负载的函数,D+D2<1 ,D大D2也大,Vor 不变。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 恩,是我疏忽了,没有考虑整流管关断早的问题,整流管关断后,Vor就为零了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我把我在反激的疑惑都向前辈您请教请教吧,我一直搞不太懂RCD吸收电路和RCD钳位电路的区别,我看精通开关电源设计上写着 RCD吸收电路是全充全放 吸收电容C值很小,RCD钳位电路却不是 C值要比较大,那这个是用吸收电容C来钳位的吧,在仿真或实验中我们可以看到c上电压是随着开关导通关闭有个波动,c值越大波动越小,那这个钳位电路 钳位的是开关管上的电压吗?这个过程是怎样的呢?先谢谢前辈了 |
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| | | | | DCM模式下,振荡分两部分
1,输入电压+副边反射电压+由漏感引起的尖峰
2,输入电压+由励磁电感和Mos管结电容的谐振所引起的自由振荡
CCM模式,振荡只有一部分
输入电压+副边反射电压+由漏感引起的尖峰
可以参考张兴柱老师的文献和讲座
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