| | | | | 如果Qrr和Cj值有确定的关系,那只需给出一个参数,否则就会出现歧义,这样去想问题。
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| | | | | 记得Cj 是反偏时的电容,而和Qrr有关的是正偏时的 Diffussion 电容。
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| | | | | | | 是的,Cj是反偏的时候产生的,此时的Cj值应该和反向电压是有关系的,一般来说应该是VF值越大,Cj值越小吧,但是具体快管和慢管的这个关系会差异很大么?比如Vf为0V时,快管和慢管都是20pF,那么加大到Vf=100V时两者的差异会有多大,也就是下降斜率的差异有多大
正偏的时候会有这个扩散电容,其实也就是从反偏到正偏时,PN结空间电荷区宽度变化的一个过程,那么我有一个疑问,正偏时PN结上面应该也有个结电容在的,相当于并在Vf这个正向导通压降上面的一个电容,那么这个电容快管和慢管的那个会比较大?
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| | | | | 两者是有积分关系的,同时类似于MOSFET的Coss,都是随反向电压变化Cj而变化的,之前做过mathcad的计算,来计算开关损耗。
下图是ST的一款sic的参数,你可以参考一下。
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| | | | | | | 找了一个英飞凌的mosfet 的参数,MOSFET 二极管Qrr可以看出来就是反向部分的能量,但是很多不会给你Cj随电压的变化曲线。
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| | | | | | | | | “Qrr可以看出来就是反向部分的能量” - 我觉得Qrr是正向时储存在Cd的"能量",反向时被扫走(被恢复)的"能量" 。
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| | | | | | | | | | | PN结正常的没有任何外加本身的多子少子的扩散建立的势垒电势可以算在Qs里面,但我们可以认为这部分都是反向势垒的部分。对于二极管本身是没有关系的 |
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| | | | | | | | | | | | | 记错了?,您查查看,二极管有两个电容,Transition Cap. (CT, 或 Cj) ,和 Diffusion Cap (Cd) 。
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| | | | | | | | | | | | | | | 二极管流过正向电流IF ,内部会储存载流子,制作快管的时候内部扩散了杂质,使载流子快速减少来缩短恢复时间
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 这个学习了,的确有道理,或者掺杂溶度变低也应该有用吧。 |
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| | | | | | | 谢谢,这是我一直再找的东西,Cj值的确是会随着VF电压的升高而降低,因为Vf电压升高后PN结的空间电荷区是会变大的,自然Cj值就会变小,但是您那边还有快管和慢管这个Cj值得变化曲线么?这个我比较好奇
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| | | | | | | | | Microsemi DQ系列快管 600V/15A,请参考
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