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| | | | | | | 走过路过的大神请指点一二,这14W多点的功率损耗怎么就这么热呢?PS:输入输出的电压电流都是用万用表和钳流表实际测量的。
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| | | | | | | | | 这个热阻是晶体到mos管表面的,还要考虑管子到散热器的热阻,散热器到空气的热阻,这样才是你管子相对空气的温升。14W还是很大。
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| | | | | | | | | | | 您说得对,我现在使用矽胶片垫在MOS和散热片之间,矽胶片热阻貌似是0.4℃in²/W,这个参数是我在淘宝上找到的,对于散热方面您有没有比较好的建议,请指教,谢谢!!
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| | | | | | | | | | | | | 看你的应用场景,对于mos管,如果单纯管子温升40摄氏度,你的环境最高温度叠加上去,温度不超过120℃(个人意见),管子不会有问题,这个是正常现象。从减小损耗来看,选管子Rdson选更小的管子,但同时成本得考虑。
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| | | | | | | | | | | | | | | 请教一下,普通的BOOST效率区间在多少比较正常? |
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| | | | | 拼命降低内阻(而不是热阻)吧,看看有没有更小内阻(7910为15mR)的MOS,升压比超过3了,导通损耗为主。
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| | | | | | | 感谢李老师回复!7190的内阻大约为5.5mR,您看使用TO247封装的管子、或者并联两个TO220管子,散热效果会不会好一些?如果优化当前效率(大约92%)、减小损耗,需要在哪些方面入手呢?
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| | | | | | | | | 15A5.5mR,导通损耗不到1.5W,看来损耗以其他成分为主,你可以追究一下。至于发热,增加散热即可,10来W的功率,容易解决。
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| | | | | | | | | | | 您看我这MOS驱动波形怎样改进优化一下呢?是不是这些震荡造成了损耗。
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| | | | | | | | | | | | | 这些振荡多半是VDS弥勒过来的,要看VDS波形,还要看电路图和PCB,应该有优化余地(正常情况下应该看不出来有振荡)。只看驱动的话,电压不到8V,偏低。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | L8拿掉(短路),PCB还可优化(还看得出有尖峰)
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 你好,采用同步整流了吗?你的驱动波形异常,震荡太厉害了,要考虑下驱动能力是否够?
还有,下管开通的Rg和关断的Rg怎么都取10Ω?一般要快关的话,关断的Rg要取小一点。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 你好,采用同步整流了吗?你的下管关断太慢,关断时间在100ns以内合适,否则关断损耗太大。
你的驱动波形异常,震荡太厉害了,要考虑下驱动能力是否够?关断、开通慢可能都是驱动能力的问题。
还有,下管开通的Rg和关断的Rg怎么都取10Ω?一般要快关的话,关断的Rg要取的小一些。
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