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| | | | | 特别之处是 Stacked MOSFETs,Source driven ?
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| | | | | | | 是的,这个电路实现了使用普通的700V MOS的就可以实现三相母线辅助源设计,不需要选用特殊的高压管。 |
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| | | | | | | | | PWM芯片用TNY280系列这种内置MOS的,电路会更加简单;
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| | | | | 一般仿真测试是用哪个软件好点,MATLAB simulink? |
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| | | | | | | | | Q1导通后VD钳位Q2的驱动电压12V,基本上Q1 Q2同时导通,同时关断,关断后受Q1上stress受到稳压管钳位,可以实现两管电压的分压可控。
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| | | | | | | | | | | Q1需要先拉到地来实现Q2的导通,就会导致Q2的stress上升,接近Q1+Q2的stress,这样Q2就会输入电压的stress。
这样是不是就失去了降低的意义?
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| | | | | | | | | | | | | 实际中需要考虑Q2ds的充电时间,仿真进一步优化一下。
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| | | | | | | | | | | | | | | 添加DS寄生电容后,仿真OK,ds电压得到有效钳位,在驱动时间的差异瞬间不会有大的电压突变。
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| | | | | | | | | | | | | 您指的VDR2是什么?如果不自驱动,高压管子需要额外的单独驱动电路 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 这个电路的关键是上管要并联一个小电容,保证下管关断的时候,下管分的电压大于上管;
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 我这几天也刚分析过这个电路,讲讲我的理解(有错误的请多多补充指教):
1、上管驱动的能量靠上拉的电阻供电12V稳压管嵌位(防止过压),选择合适的阻值,就可以可靠驱动,关断时通过高压TVS管释放能量,还有电压12V稳压管正向导通嵌位;
2、上管是先开通于下管的,所以上升沿还是由下管来决定;关断时上管慢于下管,下降沿主要是高压TVS释放能量,取决于TVS;
3、上管DS并联一个电容,确保了下管关断时分压大于上管,当下管DS电压超过TVS电压,下管DS电压被嵌位,多余电压分配到上管,实现了上下管电压的分配,又保证了下管电压不会超压;
下面放几张仿真的波形:
输入电压为500V仿真数据
输入电压为600V仿真数据
从仿真波形上看,下管由于500V嵌位二极管的作用,当输入电压越大时,下管DS最大电压被嵌在500V,其它电压分配到了上管DS;
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 是会开通的,由于谐振DS电压低于500V,这时候上管由于有上拉电阻是会开通一下的,但是不会有影响,下管一直是关断的
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 有的,我叠加在管子下面了上管加了200p下管100p |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您好,我刚仿真试了一下,发现一个问题,一旦加了寄生电容,仿真就会震荡很厉害。
在没有电容的时候,DCM模式下就是会震荡导致上管误触发导通,但是因为稳压管钳位,Vds2没有超过限幅。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 需要在VD上串一个电阻,来避免导通时的振铃效应,您看一下是不是。
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| | | | | | | | | | | 源极驱动批量生产的可靠性和单端反激相比如何,之前听说有研发时ok,批量生产出现个别不同时导通炸机的。 |
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| | | | | | | | | | | | | 当初在它的基础上改了一下参数,应用得很好,换了不同型号的管子,参数是要修改的。
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| | | | | | | | | | | | | | | 这电路的关键,就是要选用上管寄生DS电容比下管大的,为了保证上管DS电容比下管的大,常见的就是在上管DS上并联一个小电容,去匹配不同的管子;
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| | | | | 也试着分析一下,电路中上管是射随结构响应速度快可以满足开关边沿的动态要求,稳压二极管上接的电阻为MΩ级的直接驱动MOS管速度会很慢所以稳压二极管(高压)的寄生结电容很关键,或者如29楼电路那样在稳压管旁边并联个小电容。也做了两个仿真电路略有变化实现两管均匀承压。
输入100V
输入600V
输入100V 输入电压600V
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| | | | | | | Mos2 没有误开通,是nVo 太低,还是电路做了手脚?
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| | | | | | | | | 可能和稳压管加的电容有关,不然的话仿真的结果,一旦下管Vds但是震荡就会有上管导通的现象。
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| | | | | | | | | 应该是也有导通,Vor设置的大一些更明显
低反射电压
高反射电压
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| | | | | | | | | | | | | 请教一下,你在上管加的一个RC的作用是什么?一般我们只是加一个电容。
还有驱动并联的电容是不是防止上管震荡阶段导通?
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| | | | | | | | | | | | | | | 这是快两年的事。大家有说到这个电路,所以凑凑热闹。当时这个电路调试时碰到的问题是上管DS电压震荡,上下管的上升时间和下降时间不一致这三个问题。
所以一直在调整这几个元件。现在记不起到底是哪个元件影响到这几个问题。我理论知识不够,所以不能具体说到哪个元件影响到电压震荡。
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| | | | | | | | | | | 问您一个问题,您左图上面第一个波形应该是mos管驱动脉冲电压波形吧,为什么在开通前有震荡呢是和mos管关断后的lm激磁电感和寄生电容产生的lc震荡引起的吗,具体是怎么影响的您能给学生解释下吗?感谢!
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| | | | | | | | | | | | | 震荡是有Lm和寄生电容产生,举个例子如下:
假设上管由400V恒压驱动(实际电路不可,损耗会非常大),当下管Vds震荡时上管的驱动电压为400V-Vds震荡波(近似,还需考虑驱动电阻的影响)。
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| | | | | | | | | | | | | | | 好的,谢谢。如果是简单的单管反激也会出现这样的驱动波形吧?
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