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| | | | | | | 这是3*90V输入电压,主路满载,另外一组空载,VDS电流和电压波形
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| | | | | | | 首先,不知道您做好散热措施没?其次,建议您看看DS电压电流波形,看看开通关断快不快,顺便用示波器看看mos功耗多少,不知道你图三是不是。
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| | | | | | | | | 您可以给mos管做个rc吸收,转移一部分热
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| | | | | | | | | | | 首先,这个芯片是内置mos管,封装是SO-16,不知道怎么加散热,即使能加也不会考虑涉及成本问题。
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| | | | | | | | | 我上面的波形图蓝色是VDS电压波形,紫色的是ID电流波形
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| | | | | | | 没有测试效率,一直在想怎样降温,估计高压效率不高的,温度都这么大了还会热保护
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| | | | | 开关频率能选择的话,选最低的,能调整的话,用20K左右的。所有的开关节点的二极管,反向恢复时间,能用多快就用多快。变压器可以的话,用疏绕,层间多几层胶带,这时候变压器利用率低,但是这个电压功率级别,铜损可以不太考虑。 评分查看全部评分
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| | | | | | | 这个芯片是定频60khz,为什么要疏绕呢,之前看过一些帖子每层绕组最好能绕满,现在就是3*230V输入电压,ID漏级尖峰比3*90V输入电压尖峰要大几倍,VDS也大几倍,造成功率损耗太大,现在不知道要怎样消掉漏级电流尖峰来降低功率?
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| | | | | | | 主路用的整流二极管是ES3GB,手册写的反向恢复时间35nS。另外一组输出绕组和辅助电源整流二极管用的是US1G,反向恢复时间50nS,初级吸收用的二极管为US1M,反向恢复时间75nS,不知道这些二极管反向恢复时间够快吗?如果不够还有什么其他型号可供选择,另外层间绕组之间多绕几层胶带,我现在层与层之间都是两圈,要加多到多少合适,加多胶带目的在什么,请指出?
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| | | | | | | | | | | 早上重新搞了一款变压器,相比原来减少初级感量,降低初级绕组匝数,增加初级绕组线径,增加胶带圈数,具体如下;
△B由原先的0.2更改为0.3
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| | | | | | | | | | | | | 现在在想漏极的尖峰电流能降低,但是VDS在380VAC输入电压也达到了720V左右,那这样是不是只能稍微降低损耗,电流尖峰能完全消除还是只能降低到一定幅度,我刚才用原先变压器在380VAC空载情况下,芯片温度从60多度都慢慢往上升估计加电几个小时是不是也会热保护了。
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| | | | | | | | | | | | | | | 既然发热量减不下来,芯片又没法散热,是否可以考虑采用外部mos呢?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 外置MOS管有其他方案了,本次降本才采用单片开关电源芯片的
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| | | | | 感觉感量低了点 最好做90连续模式,230V临界或断续模式 |
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| | | | | | | 从90V和230V漏级电流波形来看是断续模式的,我看一些反激资料小功率最好用断续模式,不知做90V连续、230V断续是出于什么意思?另外这个是三相四线电源,额定电压是380VAC,波动范围是正负10%,设计做到110V是基于只要1路相线电压
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