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单周期mos内阻过流保护原理交流

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PROKTV_LGJ
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高级工程师
  • 2019-11-15 11:11:33
单周期mos内阻过流保护原理交流
保护.png
未保护.png
原理图.png
PROKTV_LGJ
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LV6
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  • 2019-11-15 11:13:05
 
蓝色驱动信号 红色mos驱动信号 绿色电流
nc965
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  • 2019-11-15 11:35:57
 
做保护是可以的,做控制就别想了。
xkw1cn
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  • 2019-11-15 11:38:16
 
保护都没机会。这电路迟钝且保护与压降有关。氮化镓上路就挂。
PROKTV_LGJ
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LV6
高级工程师
  • 2019-11-15 13:49:18
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驱动跟保护比速度,为快必破。由于环路就具备阻抗,本身就具备电感,有电感就有延时
xkw1cn
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  • 2019-11-15 16:03:50
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3nH电感延时有几分
氮化镓几乎都是PQFN封装,连脚都藏起来了,顶多0.5nH量级。莫非你设个绊马索;把电流撩趴下?
PROKTV_LGJ
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LV6
高级工程师
  • 2019-11-16 09:22:38
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基本上都是相互相成,最直接的现场监控下都无法处理,那更何况其它旁门的检测会快到拿去
xkw1cn
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  • 2019-11-17 00:03:12
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1uS以上的延时,即便现场又如何?
PROKTV_LGJ
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高级工程师
  • 2019-11-18 10:26:47
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在当下材料使用中分析、驱动延时20ns跟着就是过载检测时间再次就是单周期关闭,在一个us内完全可以实现单周期过载锁定保护,
xkw1cn
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最新回复
  • 2019-11-18 23:40:09
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20nS。。。楼主电路里;一级三极管是否能充分反应?
xkw1cn
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  • 2019-11-17 00:04:23
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把IGBT的驱动搬到MOS?
PROKTV_LGJ
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  • 2019-11-15 13:59:45
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只要能实现单周期保护,在通过积分叠加,再把叠加量反馈就可实现实时控制啦。
nc965
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  • 2019-11-15 14:40:54
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这种电路很早就有了,落木源的IBGT驱动模块大约就是这样,但一定要靠逻辑和电平触发,不能靠积分,一积分,啥时机都贻误了。显然电路要改一下。
xkw1cn
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  • 2019-11-15 11:36:20
 
额(︶︿︶)=凸是要氮化镓承受多长短路时间
l0ve-
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LV6
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  • 2019-11-16 07:18:23
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一看楼主就是生长在象牙塔里的人,接过地气的人铁定不会干这事
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