小白求问： IGBT和FET驱动区别-综合电源技术-世纪电源网社区

asCarey

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LV6

高级工程师

10问答币

面试的时候被问到1.IGBT和FET都是压控原件，驱动设计上有什么区别
2.如果一个之前IGBT的板子换成同频率的FET，电路需要有什么改动。

希望大家不吝赐教。

1、IGBT最好有负压驱动，因为其拖尾效应 2、驱动电路不用改动。

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nc965

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版主

1、IGBT最好有负压驱动，因为其拖尾效应
2、驱动电路不用改动。

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			3 夜雨雨夜夜雨雨夜离线 LV8 副总工程师积分：4445 \| 主题：62 \| 帖子：686 访问空间发消息积分:4445 LV8 副总工程师 2019-11-16 22:10:57 倒数3
			您好，不大认同，现在TO-247的IGBT，都是可以0-15V驱动，Tdf都只有200多ns，关断都很快了，比如英飞宁的IKW系列，我们应用中就有这样使用，没有负压。我觉得主要是驱动电压的差异，MOS10V-12V，很多为了降低损耗甚至8V驱动。而IGBT随着电压Vf是有变化的，datasheet上要12V以上性能最优，所以驱动电压一般设置15V。回复 \| 举报 \|

		4 gaohq gaohq 离线 LV10 总工程师积分：12606 \| 主题：249 \| 帖子：3247 访问空间发消息积分:12606 LV10 总工程师 2019-11-17 18:36:32 倒数2
		MOSFET 和IGBT 驱动器选择.pdf (487.98 KB, 下载次数: 66) 2019-11-17 18:36 上传点击文件名下载附件下载积分: 财富 -2 回复 \| 举报 \|

		5 xbl8848 xbl8848 离线 LV2 本网技师积分：104 \| 主题：1 \| 帖子：7 访问空间发消息积分:104 LV2 本网技师最新回复 2020-2-6 19:58:59 倒数1
		FET用SiC的话，也需要负压关断的回复 \| 举报 \|

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