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未解决

请教三相维也纳PFC使用SiC为啥可以简化成三相全桥

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追梦银007

追梦银007
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2020-1-15 09:11:51

10问答币

请教一下，怎么分析使用SiC可以简化成三相全桥，谢谢！

SiC器件拓扑.png (35.12 KB, 下载次数: 99)

SiC器件拓扑

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Si器件拓扑

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		2 追梦银007 追梦银007 离线 LV2 本网技师积分：121 \| 主题：1 \| 帖子：17 访问空间发消息积分:121 LV2 本网技师 2020-1-15 10:34:49
		没人吗，自己顶一下回复 \| 举报 \|

		3 闪烁闪烁在线 LV7 版主积分：51778 \| 主题：49 \| 帖子：1240 访问空间发消息积分:51778 版主 2020-1-15 11:51:11
		si器件常规的都是650V左右的耐压，所以早期的前端三相PFC用的是维也纳整流（三电平，MOS管耐压低）维也纳只能单向整流（AC到DC）SIC器件耐压1200V，做三相PFC耐压轻轻松松，不用选用三电平，直接普通两电平可以解决，同时三相两电平支持双向整流（AC到DC DC到AC），在现在双向电源上面运用相当成熟，SIC器件成本也降了不少，所以很多电源模块也开始用两电平的三相逆变拓扑去替换之前的维也纳整流；回复 \| 举报 \|

			5 追梦银007 追梦银007 离线 LV2 本网技师积分：121 \| 主题：1 \| 帖子：17 访问空间发消息积分:121 LV2 本网技师 2020-1-16 08:07:41
			懂了，多谢闪烁大大，最近在看你的PSIM仿真贴，太强大了。1200V的SiC MOS也就这2年才出的吧。再问一下现在的Si MOS耐压有比较常用的1200V的吗，因为即使SiC的MOS成本下来了，但是听说浪涌抑制能力还是Si器件强，不知道使用SiC管后对于浪涌防护需不需要做额外的措施还是说只能选用好的厂家器件硬抗？回复 \| 举报 \|

			7 westgua westgua 离线 LV6 高级工程师积分：710 \| 主题：1 \| 帖子：21 访问空间发消息积分:710 LV6 高级工程师 2020-2-20 21:52:45
			IGBT的耐压可以达到1200V，但是由于导通时的压降以及二极管的反向回复效应导致热损耗很大，使得不能用1200V的硅管IGBT两电平PFC来替代维也纳？回复 \| 举报 \|

			8 westgua westgua 离线 LV6 高级工程师积分：710 \| 主题：1 \| 帖子：21 访问空间发消息积分:710 LV6 高级工程师 2020-2-20 21:54:30 倒数10
			1200V的IGBT是因为导通压降和二极管反向恢复损耗才不能用在两电平的三相PFC上吗回复 \| 举报 \|

				17 stevenqian stevenqian 离线 LV8 副总工程师积分：6715 \| 主题：42 \| 帖子：461 访问空间发消息积分:6715 LV8 副总工程师最新回复 2022-11-17 12:14:24 倒数1
				碳化硅MOS管发来贺电！碳化硅(SiC)MOS管应用设计碳化硅(SiC)MOS管应用设计.pdf (2.21 MB, 下载次数: 13) 2022-11-17 12:08 上传点击文件名下载附件碳化硅(SiC)MOS管应用设计下载积分: 财富 -2 双相交错PFC CCM 模式计算书双相交错PFC CCM 模式计算书.pdf (1.35 MB, 下载次数: 15) 2022-11-17 12:11 上传点击文件名下载附件双相交错PFC CCM 模式计算书下载积分: 财富 -2 PFC 技术 PFC 技术趋势.pdf (2.16 MB, 下载次数: 13) 2022-11-17 12:13 上传点击文件名下载附件 PFC 技术下载积分: 财富 -2 移相全桥ZVS DCDC变换器设计移相全桥ZVS DCDC变换器设计.pdf (1.81 MB, 下载次数: 21) 2022-11-19 12:06 上传点击文件名下载附件移相全桥ZVS DCDC变换器设计下载积分: 财富 -2 PFC 电感计算 PFC 电感计算.pdf (2.82 MB, 下载次数: 10) 2022-11-19 12:09 上传点击文件名下载附件 PFC 电感计算下载积分: 财富 -2 回复 \| 举报 \|

			9 lizlk lizlk 离线 LV7 版主积分：6608 \| 主题：15 \| 帖子：1062 访问空间发消息积分:6608 版主 2020-3-6 18:19:07 倒数9
			赞同！回复 \| 举报 \|

		4 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：93647 \| 主题：115 \| 帖子：27352 访问空间发消息积分:93647 版主 2020-1-15 15:18:19
		两种拓扑不是一回事，根本原因是体二极管反向恢复特性。回复 \| 举报 \|

			6 追梦银007 追梦银007 离线 LV2 本网技师积分：121 \| 主题：1 \| 帖子：17 访问空间发消息积分:121 LV2 本网技师 2020-1-16 08:15:28
			使用SiC二极管替代Si二极管是因为反向恢复的原因，因为SiC二极管不存在反向恢复吧，我主要是不清楚为啥MOS管有这样一个替换关系，现在懂了，多谢。回复 \| 举报 \|

				10 乘风乘风离线 LV6 高级工程师积分：498 \| 主题：3 \| 帖子：50 访问空间发消息积分:498 LV6 高级工程师 2020-5-16 17:56:32 倒数8
				请参考单相图腾柱PFC，因为另一个MOS要做为续流二极管使用，对反向恢复有很高的要求，所以只能用SIC做图腾柱PFC。回复 \| 举报 \|

			14 阿甘阿甘离线 LV8 副总工程师积分：3062 \| 主题：51 \| 帖子：374 访问空间发消息积分:3062 LV8 副总工程师 2021-10-3 02:52:24 倒数4
			确实回复 \| 举报 \|

		11 厚劲薄发厚劲薄发离线 LV8 副总工程师积分：3924 \| 主题：163 \| 帖子：947 访问空间发消息积分:3924 LV8 副总工程师 2020-6-30 16:19:06 倒数7
		这两路LLC直接并联可行吗？交错控制吧？回复 \| 举报 \|

		12 dwl15858 dwl15858 离线 LV6 高级工程师积分：428 \| 主题：6 \| 帖子：48 访问空间发消息积分:428 LV6 高级工程师 2020-12-25 11:12:41 倒数6
		第一张图为两电平的PFC方案，第二章图为三相维也纳方案回复 \| 举报 \|

		13 kfhzy kfhzy 离线 LV6 高级工程师积分：761 \| 主题：16 \| 帖子：78 访问空间发消息积分:761 LV6 高级工程师 2021-3-26 15:32:27 倒数5
		记录一下，也是在讨论新方案用两电平回复 \| 举报 \|

		15 hwckent hwckent 离线 LV3 助理工程师积分：250 \| 主题：0 \| 帖子：10 访问空间发消息积分:250 LV3 助理工程师 2022-11-16 02:50:33 倒数3
		参考设计：3相AC 400V输入的PFC转换器.pdf 2022-11-16 02:50 上传点击文件名下载附件下载积分: 财富 -2 847.44 KB, 下载次数: 52, 下载积分: 财富 -2 回复 \| 举报 \|

		16 hwckent hwckent 离线 LV3 助理工程师积分：250 \| 主题：0 \| 帖子：10 访问空间发消息积分:250 LV3 助理工程师 2022-11-16 03:02:32 倒数2
		点左边下载:3相AC 400V输入PFC转换器参考设计使用第二代SiC MOSFET提高电源系统效率回复 \| 举报 \|

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