返回顶部

未解决

mos容易烧是咋回事？

[复制链接]

查看: 2173 |回复: 18

1

dywhys02

dywhys02
离线
LV6
高级工程师

积分：1985
|
主题：56
|
帖子：290

积分:1985

LV6

高级工程师

2020-1-17 20:20:44

10问答币

各位大师，最近用LTC4359做了一个电路，控制一个背靠背的MOS管。输入最高是DC60V，在测试时，前面的MOS容易烧坏。
测试环境是：输入ACDC电源（DC60V,20A最大）；输出接一个20欧姆滑动变阻器。
我是参考官方原理图做的。我是并联两个MOS。坏的时候是其中一个先坏。
已经坏过好几次了。请大师们指点一下哪里因素造成的。
附件是参考原理图。

LTC4359qudong.pdf

58.22 KB, 下载次数: 25, 下载积分: 财富 -2

LTC4359

收藏3

		2 dywhys02 dywhys02 离线 LV6 高级工程师积分：1985 \| 主题：56 \| 帖子：290 访问空间发消息积分:1985 LV6 高级工程师 2020-1-17 20:21:29
		靠近输入端的MOS容易损坏。回复 \| 举报 \|

			3 dywhys02 dywhys02 离线 LV6 高级工程师积分：1985 \| 主题：56 \| 帖子：290 访问空间发消息积分:1985 LV6 高级工程师 2020-1-17 20:33:21
			图片中的MOS管。如果用示波器的单通道去测G,S，可以吗？需要两个通道去测吗？回复 \| 举报 \|

				4 dywhys02 dywhys02 离线 LV6 高级工程师积分：1985 \| 主题：56 \| 帖子：290 访问空间发消息积分:1985 LV6 高级工程师 2020-1-17 20:40:44
				测试过程中，很明显地看到，是通过SHDN关闭芯片驱动输出，然后再使能SHDN驱动输出的过程中，靠近输入的MOS是击穿了。回复 \| 举报 \|

		5 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：93647 \| 主题：115 \| 帖子：27352 访问空间发消息积分:93647 版主 2020-1-18 08:39:51
		典型应用是单向，理想二极管，你背靠背算什么？回复 \| 举报 \|

			8 dywhys02 dywhys02 离线 LV6 高级工程师积分：1985 \| 主题：56 \| 帖子：290 访问空间发消息积分:1985 LV6 高级工程师 2020-1-18 16:48:27
			版主好。背靠背是让前面的管子充当一个负载开关。有这样的用法，上传的是官方DEMO的参考原理图。 LTC4359qudong.pdf 2020-1-18 16:48 上传点击文件名下载附件下载积分: 财富 -2 58.22 KB, 下载次数: 8, 下载积分: 财富 -2 LTC4359 回复 \| 举报 \|

		6 alpha_wang alpha_wang 离线 LV6 高级工程师积分：1281 \| 主题：1 \| 帖子：154 访问空间发消息积分:1281 LV6 高级工程师 2020-1-18 11:34:22
		1, 为啥别个帮你看问题，下载还需要扣积分； 2，你的问题看了几遍没看明白；你说的并联到底是左右两个模块并联起来用呢，还是左右各自模块里的充放电管有两个或多个？而且你的测试条件和测试方法也可以更详细的描述下，要不别人也不好替你分析原因，，哪个算前面的？到底哪个管子坏了，怎么测试坏的，看得我一头雾水呀。。回复 \| 举报 \|

			7 dywhys02 dywhys02 离线 LV6 高级工程师积分：1985 \| 主题：56 \| 帖子：290 访问空间发消息积分:1985 LV6 高级工程师 2020-1-18 16:47:11
			不好意思。我没注意，下载需要扣分吗？是不是没有设置好？回复 \| 举报 \|

			12 wjhld wjhld 离线 LV6 高级工程师积分：731 \| 主题：0 \| 帖子：81 访问空间发消息积分:731 LV6 高级工程师 2020-1-20 12:35:45 倒数8
			我也上当了回复 \| 举报 \|

		9 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131400 \| 主题：37517 \| 帖子：55626 访问空间发消息积分:131400 版主 2020-1-19 00:14:46
		这是个只适合36V及以下电路的开关电路，尤其是你设计的参数；甚至只能安全承受12V的环境。 MOSFET不只VDS和RDSON！想想人家数据表好坏差不多十页，这点参数绝对花不了那么大劲。唉！说清楚又得几百贴讨论。。。回复 \| 举报 \|

			10 dywhys02 dywhys02 离线 LV6 高级工程师积分：1985 \| 主题：56 \| 帖子：290 访问空间发消息积分:1985 LV6 高级工程师 2020-1-19 12:47:45 倒数10
			版主你好。我上传的是DEMO板图。我的图是在这个基础上，更换了元件参数的，耐压都是选择100V的。没有按36V耐压做。回复 \| 举报 \|

				11 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131400 \| 主题：37517 \| 帖子：55626 访问空间发消息积分:131400 版主 2020-1-19 23:06:42 倒数9
				VDS耐压基本与实际开关电压，在这种应用里没啥关系。设计也不是以此为据。回复 \| 举报 \|

					13 dywhys02 dywhys02 离线 LV6 高级工程师积分：1985 \| 主题：56 \| 帖子：290 访问空间发消息积分:1985 LV6 高级工程师 2020-1-21 12:04:35 倒数7
					你好，我在实际设计时用的是英飞凌的一个NMOS，VDS=100V,ID=150A。其他电容参数也是100V的。回复 \| 举报 \|

						14 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131400 \| 主题：37517 \| 帖子：55626 访问空间发消息积分:131400 版主 2020-1-21 23:23:00 倒数6
						这些只是基本的必要底线但远没充分，用你现在电路中，根本不够！如果电压电流参数就够了；相信这帮厂家们傻的也不至于仅需两行的数据弄成本书^_^^_^^_^ 回复 \| 举报 \|

							16 dywhys02 dywhys02 离线 LV6 高级工程师积分：1985 \| 主题：56 \| 帖子：290 访问空间发消息积分:1985 LV6 高级工程师 2020-2-2 22:42:49 倒数4
							版主，我在ADI论坛看到有好几个人都遇到一样的问题，就是说烧前面那个MOS。负载电流很小时，只有5A左右。也会烧。 ADI的原厂技术支持也没给啥明确答复。有个人倒是提了一下，说LTC4359可能驱动控制是有些问题，单一驱动一个后面的MOS当理想二极管还可以，如果再去驱动一个前面的MOS当负载开关，是有点能力不足。他的GS电压是动态调节的。回复 \| 举报 \|

								17 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131400 \| 主题：37517 \| 帖子：55626 访问空间发消息积分:131400 版主 2020-2-2 23:04:20 倒数3
								你让他加个图腾柱试试，看看是不是死的更欢！^_^ 把栅电阻弄到1k欧，看看还坏不。。。回复 \| 举报 \|

									18 dywhys02 dywhys02 离线 LV6 高级工程师积分：1985 \| 主题：56 \| 帖子：290 访问空间发消息积分:1985 LV6 高级工程师 2020-2-4 16:47:42 倒数2
									版主。是建议把栅极电阻加到1K吗? 回复 \| 举报 \|

										19 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131400 \| 主题：37517 \| 帖子：55626 访问空间发消息积分:131400 版主最新回复 2020-2-4 17:04:32 倒数1
										是滴回复 \| 举报 \|

		15 dw772 dw772 离线 LV6 高级工程师积分：705 \| 主题：3 \| 帖子：45 访问空间发消息积分:705 LV6 高级工程师 2020-1-27 00:02:14 倒数5
		最好是把你原理图上传上来，比如元件型号等，别人才好分析回复 \| 举报 \|

热门技术、经典电源设计资源推荐

世纪电源网总部

地址：天津市南开区黄河道大通大厦8层

电话：400-022-5587

传真：(022)27690960

邮编：300110

E-mail：21dy#21dianyuan.com(#换成@)

世纪电源网分部

广东：(0755)82437996 /(138 2356 2357)

北京：(010)69525295 /(15901552591)

上海：(021)24200688 /(13585599008)

香港：HK(852)92121212

China(86)15220029145

网站简介 | 网站帮助 | 意见反馈 | 联系我们 | 广告服务 | 法律声明 | 友情链接 | 清除Cookie | 小黑屋 | 不良信息举报 | 网站举报

Copyright 2008-2024 21dianyuan.com All Rights Reserved 备案许可证号为：津ICP备10002348号-2 津公网安备 12010402000296号