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|  |  | | | | | 常规来说5MHZ以上的频段超标是因为PCB布线，变压器绕制工艺和元件参数选择方面的问题，不知道你是否愿意上传你的原理图和PCB图，这样或许更能帮助到你。
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 |  | | | | 可能是MOS管高速开关引起的吧。1.增大驱动电阻
2.RCD的D和VCC的D，用4007
3.实在不行DS并联100p以下的电容
挨个试.
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| | | | | | | 你说的这3种我都试过，效果不明显。Y电容用102会比222好，Y电容初级接高压会比接地好。
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| | | | | | | | | | | | | 查看了一下你的PCB布局：1.Y电容是应该连接在热地与冷地之间，你却连接在冷地与热端正极之间，难怪容量减少；
2.如果把MOS管更换成TO220F封装（可以多试几个型号）的，把管外包上铜箔接地，还可以减少布线环路面积；
3.不知道你的尖峰脉冲二极管使用的什么型号？如果是快恢复二极管反而不好，可以考虑换成慢管试试，另外尖峰电容一定要连接在二极管负极和300V正极之间；
4.在EC4两端并联1支270pf的陶瓷电容试试。
由于本人水平有限，只能给你这一点点建议，祝你成功！
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| | | | | | | | | | | | | | | 谢谢指点，学习了！Y电容是因为接在热地和冷地之间效果没有高压对地效果好，所以才这么接的。
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| | | | | | | | | | | | | 1.MOS管旋转90°，减小主功率面积，另外RCD的回路也可以一起跟着减小（D可以改成贴片）
2.换其他厂商的MOS试试效果（可能换家MOS就过了）
3.改变下变压器的绕线结构（1/2的初级，线屏蔽，次级，VCC和屏蔽共绕，1/2初级）
4.优化吸收，让你的VDS电压波形震荡减缓.
24W这EMI配置（输入输出共模+X电容）都可以做无Y了（变压器顺序绕法）
另外，我很好奇电解电容的温度
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| | | | | | | | | | | | | | | 谢谢指点！对我很有帮助。我想说的是MOS管不同品牌对EMC影响确实很大，变压器绕线结构很重要。RCD吸收D改为贴片怕温度高，因为都跟MOS挤到一起了。电解电容温度并不高，主要是MOS管和吸收二极管温度高。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 请问整改过了吗？可否指点一二，我也遇到一样的问题，在40MHz附近emc超标
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 请问整改过了吗？可否指点一二，我也遇到一样的问题，在40MH'z |
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| | | | | 你把PCB和原理图还有结构安装发出来，这样大家才好分析，有时候因为结构问题导致干扰源之间相互干扰是很难整改的，我发表一下个人观点：
1、可以测一下初级次级的Y电压，通过调整变压器屏蔽层的圈数调整一下Y电压，最好调在5V以内；
2、变压器可以增加屏蔽层，磁芯接地；
3、初级和次级的RCD吸收，可以加大一点容量减小一点阻值，初级的吸收二极管可以用满管，这样整改会降低效率，注意温升；
4、初级对次级用双Y的做法，即初级地对次级地放个Y电容，初级正对次级地放个Y电容；
5、初级的滤波大电解并一个103的贴片电容；
6、MOS管的DS脚并一个22pF的贴片电容。
其中根据第1点调整的好的话，才24W的功率应该容易过的，3、4、5点是对30M-70M作用比较大的 |
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