| | | | | 不知道开关频率实开到多少khz啊
那个管子看到官网标识2MHZ开关频率
小米的嗨使用了一颗7NS上升下降的半桥驱动芯片。
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| | | | | | | 倍思采用的方案是反激电路,驱动IC是NCP1342(目前能够提供高频的IC AC-DC),开关频率工作的采用150Khz;还没有抬太高;
根据变压器的Ae等参数。
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| | | | | | | | | | | 同问,150K为什么不用Si MOS呢,还便宜。是不是应该频率上得更高,这样能够发挥GAN的优势。
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| | | | | | | 东微的竞品是英飞凌、ST等国际一线MOS品牌厂商,CooL MOS,目前在PD快充行业,很多客户使用东微超级硅产品,性价比非常好。刚在华为、O\V、小米等知名客户通过认证,进入代工厂商的MOS品牌供应序列。
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| | | | | 谢谢分享,还想知道满载时变压器温升多少
感觉 rm8 做到这个功率,也压力山大了吧,那个大金属框,应该有很大部分散热的考虑
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| | | | | | | 采用RM8 做65W GaN, 在常规温度下26度,变压器的温升有50度;倍思此款产品在散热上也是做了处理。
但是 输出Tybe C 部分小板子插板,走线上有点细,温度有点高;
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| | | | | 大佬的说明写的非常专业,结合设计资料进行详细的分析,特别专业,不过这个65wGaN 真香,现在手上对体积不敏感的我还是用20V电源加上车充方案,也挺香 |
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| | | | | 楼主分析的非常彻底,对氮化镓的充电器又有更深的认识。
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| | | | | 5.如下电路板所示,白色框部分 主控芯片+氮化稼GaN功率器件。周围电阻电容采用了0402封装,这对生产加工提出了极大考验;封装小(如0402),采用锡膏工艺;封装大(1206),可采用红胶工艺; 该电路板2种工艺都采用了;白色框内即锡膏工艺,应该采用了与白色框大小的特定治具, 保证了锡膏+红胶的双生产工艺;[启示四] ----- 有一种叫做选择性波峰焊,即SMT先过,然后治具包裹,再红胶波峰焊。 |
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| | | | | | | 双口type C和单口 USB A,是不是要用三路PD controller 芯片?有没有一路芯片能够控制三路输出?
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| | | | | | | | | 氮化镓和PD快充方案供应商 微信18814309568
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| | | | | 变压器的拆解有吗?原边是不是也要用多股litz线?
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| | | | | | | | | LN连接那块有一个使用金属弹片连接的?可靠吗?时间长弹片会不会失去弹性造成接触不良?
150K,这个电源用不用GaN效率提升能多少,感觉没啥意思了。
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