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| | | | | 这个主要靠变压器工艺,其次靠PCB布局,再其次是电路。
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| | | | | | | NC965大神,我看过您的三圈两地发表,在layout时也特别注意此问题,但是依然解决不了问题,我不知道是不是初级用的是cool mos的原因,有空了我上个PCB图给大家指点指点。因为是DIY自己搭建的电路,所以原理图还没有画,只是把基本特性调了出来
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| | | | | | | | | | | 好勒,大神,我上个PCB,是PDF档,如果到时要原档,我也可以上上来,这里面有两种layout,但两者都没有改善到30-50M左右的辐射。一种是储能电感在负端,一种储能电感在正端。我一直怀疑不知是不是我用cool mos的原因。但我将驱动电阻加到很大时,依然不能解决该问题。因为正常上班,工作太忙,只能在有空时研究一下。
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| | | | | | | | | | | | | 这两个板都没有太大问题,板画得不错,点一个赞。帮你贴出来,大家学习:
排除了布线问题,剩下的只能从波形和电路上看看有没有什么问题,变压器也有关系,晒晒?
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| | | | | | | | | | | | | | | 谢谢大神的赞,我现在上一下变压器图,平时上班忙,有空我就来折腾一下,使下浑身解数,但波形就是纹丝不动
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 磁复位我用的是FR207, 不知道这个复位二极管有没有什么影响?是不是在加上DCD这种方式来复位?我看了一下MOS基本没有什么尖峰,反倒是肖特基,尖峰有点大,而且加大RC或减小都无法解决。
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| | | | | | | 谢谢这位朋友,您的心意我感受到了,我把资料完善一下,上传上来,我找遍全网也是没有看到几遍关于正激辐射处理手法的文章极少,仅看到一遍关于此问题的处理,但是依照他的方法却无效,小弟我实在无策,所以才来电源网征询大师们的高见。
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| | | | | 东微的竞品是英飞凌、ST等国际一线MOS品牌厂商,CooL MOS,目前在PD快充行业,很多客户使用东微超级硅产品,性价比非常好。刚在华为、O\V、小米等知名客户通过认证,进入代工厂商的MOS品牌供应序列。
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