SICMOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,适用于高温、高频、大功率等应用场合。
SIC MOSFET对门极驱动器(驱动光耦、容耦、磁耦等)的有何设计要求呢?
1、要求驱动器具有更高的门极峰值输出电流、更高的dv/dt耐受能力。
2、要求驱动器的传播延迟很低且抖动量很小,以便有效传递高开关频率下的非常短的脉冲。
3、要求驱动器具有双路输出端口。
4、支持高开关频率(开关频率至少支持400KHz)
5、支持高安全隔离电压
6、3-5V的负压关断,开启要18V-20V。