| | | | | 一般是过零开通,就是MOS的开通前,Vds的电压为零,一般的做法是开通前,体内二极管有电流流过,使得关断的mos的Vds电压变为零,所谓的零电压关断你可以再理解理解 |
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| | | | | | | 零电源开通可以理解,
我一直想不明白的是 llc 在关断的时候是不是零电压关断。
我分析认为不是, 但是看波形又像是,
主要是ch1 dv/dt 比较慢,驱动都关闭了ch1 才上升,不是应该在ch2米勒平台处就上升吗?
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| | | | | ZVS关断条件是在Vds(Coss)被充电升上来之前,MOS已经关断完成。
简单说就是MOS驱动关断够快就行。
再说白了点,因为有Coss存在,理论上只要关断速度够快,硬开关的也可以做到ZVS关断。
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| | | | | | | 话说LLC工作在感性区的时候,是不是要等mos管电容完全被充起来,然后同一桥臂的另外mos的体二极管才会导通续流,正是由于Coss的存在,导致了关断变慢,所以损耗更严重了,这个有道理么??? |
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| | | | | | | MOS从导通到关断,导通的时候mos,mos的Vds电压为零,这时只要保证流过MOS的电流已经为零,我们认为是ZCS,ZVS是关断到导通的过程,不是导通到关断的过程。
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| | | | | | | 谢谢你的回答
还有一事不明 如何让半桥中点的dv/dt 上升比较缓慢呢?
在我自己的设计中因为dv/dt 上升太快造成 栅极振荡特别大,dv/dt做不到图中这么缓慢,试过调整驱动电阻了。
用的是coolmos,加了磁珠有些许改善,但是栅极振荡还是很大,如何降低半桥中点dv/dt
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| | | | | | | | | 半桥中点波形就是下管MOS的波形,coolmos本来就开关速率快,调节驱动电阻
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| | | | | | | | | 让中点变化慢,可以:1. 减小上下管转换时的电流。
2. 加大管子的Coss。
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| | | | | | | | | | | 请教一下,加大管子的Coss是否能够减小管子的关断损耗。
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| | | | | | | | | | | | | 一般来说是可以,或者说关断损耗不会变大。
但开通损耗会不会变大,那就要看具体情况。
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