 |  | | | | 这类专用芯片多少都有短路保护机制，只是做得好与做得差的区别，你再仔细调整看看。重点是短路时打嗝状态的占空比和脉冲个数，涉及CS、FB端子的前沿消隐、对地钳位，Rcs电阻和阈值，Rgs电阻、VCC供电，频率等因素。
|
|
|
| | | | | | | 输入低压85VAC的时候带不了满载，输出额定电流是1.1A，我把电流调了一下，输入高压的时候，OCP好大，接近4A才保护，是不是OCP太大了导致的？
|
|
|
| |  |  | | | | | | 你输入电压太宽，性能难以周全，大打折扣，不是好的设计。
OCP是芯片有内设的，与内设值不符有两个原因，一是前沿消隐不当，二是弥勒冲击延时，你反常规用到高压，芯片的典型设置就难以满足
|
|
|
| | | | | | | 你说重点是短路时打嗝状态的占空比和脉冲个数，短路的时候，占空比多少算是正常的？脉群个数多少才是对的？
|
|
|
| | | | | | | | | 占空比越小越好，脉冲个数与占空比有关，只要占空比足够小，脉冲个数越大越好，最好不打嗝（短路电流）也能稳住，看（这颗料应该没这）本事，最后以短路状态整机损耗（与满载损耗相比）论英雄。
|
|
|
| | | | | | | | | | | 我想应该是在输入为高压的时候OCP太大了，我想从输入端接一个补偿电阻到CS脚进行补偿，看看短路保护有没有效果
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | OCP阈值是芯片内设的，它不会随输入电压增加而增加（有的芯片会减少）。
从输入端接一个补偿电阻到CS脚进行补偿叫线电压补偿，是另外一个意思。
你真正需要（用示波器）看看的是上述占空比和脉冲计数。
|
|
|
| | | | | 抓波形，同时抓VDS,VGS,ID。注意电压探棒要用锡丝绕圈圈去测，把测试点放在MOS的PIN脚处。电流探头注意复位问题和延时补偿问题。
1、观察VGS的波形，观察最高平台电压是否足够（最好在8~12V之间），观察弥勒平台是否正常，是否弥勒平台震荡厉害了。震荡幅值是否超规格书了，通常是±30V。
2、观察VDS的峰值电压是否超MOS规格了
3、观察ID和VDS的交叉区域，比对MOS规格书的SOA安全区域曲线，评估是否超规格使用了。
如果以上都排除了，那就看下短路保护机制是否有问题了。
短路的时候，是不是没有保护，而是维持大电流输出。此时输入MOS一直在很大的交叉损耗下工作，会热死。
短路如果能够彻底保护，保护是否是打嗝保护，打嗝的时间间隔是否太短？每次打嗝时，打出的驱动波形个数是不是维持很久，如果维持很久才保护，也会让MOS热死。可以用热成像仪观察短路时MOS的温升
|
|
|
收藏
分享
津公网安备 12010402000296号