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yyy992812

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2020-8-10 21:57:39

10问答币

如图所示，N+缓冲层为什么能阻挡耗尽层的扩展呢？
N+缓冲层的存在，为什么会使得IGBT失去反向阻断能力呢？
求大神们告知

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haohaobaxia

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PT结构具有一个额外的缓冲层，该缓冲层执行两个主要功能：（i）避免由于穿通作用而导致的故障，因为施加的高电压下的耗尽区扩展受该层限制，（ii）降低了尾电流由于空穴是由P +集电极注入的，在该层中部分地重新结合，从而缩短了IGBT的下降时间，并缩短了IGBT的下降时间。 N+缓冲层为什么能阻挡耗尽层的扩展呢在同等条件下，提高参杂浓度，会降低耗尽层。 N+缓冲层的存在，为什么会使得IGBT失去反向阻断能力呢？ IGBT的反向阻 ...

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		2 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131400 \| 主题：37517 \| 帖子：55626 访问空间发消息积分:131400 版主 2020-8-10 22:58:03
		重扩散；意味着载流子多，材料电阻率低；耐压能力低。但它却能很好吸收对面扩散过来的反极性导电子，增加对面低扩散的反极性材料抗击穿和耐压能力。于是乎；就得到了你的答案。回复 \| 举报 \|

			5 yyy992812 yyy992812 离线 LV8 副总工程师积分：3354 \| 主题：96 \| 帖子：485 访问空间发消息积分:3354 LV8 副总工程师 2020-8-11 21:06:39
			N+的多子为电子，你说吸收扩散来的反极性“导电子“”应该是P阱空穴吧回复 \| 举报 \|

		3 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131400 \| 主题：37517 \| 帖子：55626 访问空间发消息积分:131400 版主 2020-8-10 22:59:30
		所以；高耐压元件的PN结，至少有一面材料是低扩散的，以达到耐压里，另一面；多是重参杂，以得到低阻抗压降。回复 \| 举报 \|

			7 yyy992812 yyy992812 离线 LV8 副总工程师积分：3354 \| 主题：96 \| 帖子：485 访问空间发消息积分:3354 LV8 副总工程师 2020-8-11 21:15:21
			那N+和N-之间在没有通电的时候，为什么不会相互流动以达到平衡呢？回复 \| 举报 \|

				9 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131400 \| 主题：37517 \| 帖子：55626 访问空间发消息积分:131400 版主 2020-8-11 21:56:05 倒数10
				你看看空缺、电子对是咋形成的。你以为可以随意移动？没有亿万年，能均匀扩散？回复 \| 举报 \|

					11 yyy992812 yyy992812 离线 LV8 副总工程师积分：3354 \| 主题：96 \| 帖子：485 访问空间发消息积分:3354 LV8 副总工程师 2020-8-12 21:30:59 倒数8
					正向阻断，会使得耗尽层N-变薄，然后N+的作用是阻止N-变薄吗？回复 \| 举报 \|

						13 xkw1cn xkw1cn 离线 LV7 版主积分：131400 \| 主题：37517 \| 帖子：55626 访问空间发消息积分:131400 版主 2020-8-13 22:57:51 倒数6
						变厚回复 \| 举报 \|

		4 haohaobaxia haohaobaxia 离线 LV8 副总工程师积分：2715 \| 主题：2 \| 帖子：166 访问空间发消息积分:2715 LV8 副总工程师 2020-8-11 20:47:48
		PT结构具有一个额外的缓冲层，该缓冲层执行两个主要功能：（i）避免由于穿通作用而导致的故障，因为施加的高电压下的耗尽区扩展受该层限制，（ii）降低了尾电流由于空穴是由P +集电极注入的，在该层中部分地重新结合，从而缩短了IGBT的下降时间，并缩短了IGBT的下降时间。 N+缓冲层为什么能阻挡耗尽层的扩展呢在同等条件下，提高参杂浓度，会降低耗尽层。 N+缓冲层的存在，为什么会使得IGBT失去反向阻断能力呢？ IGBT的反向阻断能力本身就很差。因为C极的PN节正偏，可以等效为二极管。回复 \| 举报 \|

			6 yyy992812 yyy992812 离线 LV8 副总工程师积分：3354 \| 主题：96 \| 帖子：485 访问空间发消息积分:3354 LV8 副总工程师 2020-8-11 21:12:32
			在同等条件下，提高参杂浓度，会降低耗尽层——那耗尽层降低了，是否耐压也降低了呢？因为C极的PN节正偏，可以等效为二极管——意思是IGBT反偏时，相当于EC之间有个二极管可直接导通，类似于MOSFET？回复 \| 举报 \|

				8 haohaobaxia haohaobaxia 离线 LV8 副总工程师积分：2715 \| 主题：2 \| 帖子：166 访问空间发消息积分:2715 LV8 副总工程师 2020-8-11 21:51:44
				那耗尽层降低了，是否耐压也降低了呢这不是一个连锁反应。我说的是同等条件下改变参杂浓度，即耐压是不变的。不过相对于NPT , PT的耐压低。PT一般做到600V就算很高了，NPT能做到1200V. 意思是IGBT反偏时，相当于EC之间有个二极管可直接导通，类似于MOSFET？这个反向特性要比二极管差很多，因此IGBT都会反并联一个二极管。之前说错了，这个pn节不是正偏，是被击穿，类似于二极管被击穿。特性曲线如图。回复 \| 举报 \|

					10 yyy992812 yyy992812 离线 LV8 副总工程师积分：3354 \| 主题：96 \| 帖子：485 访问空间发消息积分:3354 LV8 副总工程师 2020-8-12 21:25:48 倒数9
					还是没太明白。在门极不施加驱动信号时，在IGBT的CE之间增加正电压，那么理论上耗尽层N- 会变薄对吧？而耐压的主要是耗尽层N-厚薄和掺杂浓度决定，那加了N+之后，意思是在即使在CE间加正电压，有N+的存在也会阻止耗尽层N-变薄对吗？回复 \| 举报 \|

						12 haohaobaxia haohaobaxia 离线 LV8 副总工程师积分：2715 \| 主题：2 \| 帖子：166 访问空间发消息积分:2715 LV8 副总工程师 2020-8-13 17:13:26 倒数7
						在IGBT的CE之间增加正电压，那么理论上耗尽层N- 会变薄对吧不对。这里有概念混淆。n－层并不是耗尽层。耗尽层是pn节之间产生的，也叫空间电荷区。当ce加正电压，c极pn节反偏，空间电荷区（耗尽层）变厚。当n+层存在时，高参杂使得同电压下空间电荷区较薄，从而可以让n－层变薄。耐压的主要是N-厚薄和掺杂浓度决定，这两个条件要根据需要和价格去平衡。耐压越高，参杂的成本也越高。所以高压（1200V以上）的IGBT以NPT类型为主流。回复 \| 举报 \|

							14 yyy992812 yyy992812 离线 LV8 副总工程师积分：3354 \| 主题：96 \| 帖子：485 访问空间发消息积分:3354 LV8 副总工程师 2020-8-14 10:22:36 倒数5
							是我搞错了，N-是漂移区。无驱动信号，在CE加正电压耗尽层是变厚，N+的缓冲层是作用是阻止耗尽层穿通N-漂移层吧回复 \| 举报 \|

							15 yyy992812 yyy992812 离线 LV8 副总工程师积分：3354 \| 主题：96 \| 帖子：485 访问空间发消息积分:3354 LV8 副总工程师 2020-8-16 21:55:40 倒数4
							同为MOS的结构图，这两种画法让我有点晕，请问图1的耗尽层是哪个啊？图1的N-对应图2哪个部分啊图1.png (43.45 KB, 下载次数: 61) 下载附件 2020-8-16 21:54 上传图1 图2.png (56.53 KB, 下载次数: 68) 下载附件 2020-8-16 21:54 上传图2 回复 \| 举报 \|

								16 haohaobaxia haohaobaxia 离线 LV8 副总工程师积分：2715 \| 主题：2 \| 帖子：166 访问空间发消息积分:2715 LV8 副总工程师 2020-8-17 14:12:07 倒数3
								图一中的耗尽层在n－和p之间。耗尽层只存于pn节处，且pn节不处于正偏。图二中的mosfet已经有门电压，并且形成了n通道。此时n－层一部分是通道，一部分形成耗尽层。回复 \| 举报 \|

									17 yyy992812 yyy992812 离线 LV8 副总工程师积分：3354 \| 主题：96 \| 帖子：485 访问空间发消息积分:3354 LV8 副总工程师 2020-8-19 20:20:32 倒数2
									图2的N-在哪个区域呢？图中没标回复 \| 举报 \|

									18 yyy992812 yyy992812 离线 LV8 副总工程师积分：3354 \| 主题：96 \| 帖子：485 访问空间发消息积分:3354 LV8 副总工程师最新回复 2020-9-14 21:00:13 倒数1
									请教个问题，IGBT的闩锁效应该如何测试呢，如果外围电路不带过流保护功能，是不是将电流持续增大就一定会触发闩锁效应呢？回复 \| 举报 \|