| | | 《电源学报》—2020年第4期—文章目录
宽禁带器件应用技术专辑主编评述…………………………………………………………………...宁圃奇(1)
平面栅SiC MOSFET设计研究……………………………………………………韩忠霖,白云,陈宏,杨成樾(4)
3 300 V SiC MOSFET栅氧可靠性研究………………………………………..陈宏,白云,陈喜明,李诚瞻(10)
无压低温烧结纳米银封装电力电子器件的进展与思考……………….…..闫海东,梁陪阶,梅云辉,冯志红(15)
基于桥式电路的氮化镓开关损耗测试……………………………………..罗欣儿,张雅静,童亦斌,李建国(24)
SiC MOSFET与Si IGBT器件温度敏感电参数对比研究……………………...俞恒裕,王俊,江希,陈建军(28)
基于遗传算法的SiC MOSFET导通电阻模型……………………....曹瀚,余玮宸,柴晓光,宁圃奇,温旭辉(38)
高性能软件旋变-数字变换器在电机驱动中的应用…………..刘忠永,何国林,李琦,范涛,边元均,章回炫(45)
基于氮化镓功率器件的过流保护电路研究………………………….张雅静,李建国,李艳,郑琼林,王久和(53)
Si IGBT/SiC MOSFET混合器件及其应用研究……………...李宗鉴,王俊,江希,何志志,彭子舜,余佳俊(58)
基于碳化硅功率器件的高频感应焊机设计………………………………..柴艳鹏,王培光,宗晓萍,王贺瑞(71)
基于大电流通态压降的IGBT功率模块结温监测方法的研究……………...柴晓光,宁圃奇,曹瀚,温旭辉(77)
一种混合开关电感和开关电容的高增益DC/DC变换器……………………刘明杰,陈艳峰,张波,丘东元(85)
三端口直流变换器软开关分析的一种准确模型…………………………田昕,王聪,沙广林,洪君,王朋辉(94)
DCM模式下四通道交错并联磁集成BDC的ZVS控制的改进方法…….付兴武,邓成成,杨玉岗,邱尚龙(102)
采用SiC MOSFET与Si MOSFET的双有源桥效率仿真分析对比………………………刘昌赫,王学远(109)
基于GaN器件的固态射频电源应用研究………………………………..谭平平,桂成东,姜力铭,陈文光(116)
临界连续模式下高功率LED驱动电源谐振控制方法……………………………………….郑则炯,张华(123)
基于无源均流的单开关降压式四输出LED驱动器……………………...张哲丰,刘雪山,王春涛,万宇阳(131)
单相级联H桥光伏并网逆变器功率平衡控制策略研究…………………………………..叶满园,康力璇(137)
新型分布式光伏-储能系统设计及控制策略的研究……………………………..曾国宏,潘一飞,吴学智(144)
储能联合发电机组调频经济效益分析……………………孙钢虎,王小辉,陈远志,杨沛豪,寇水潮,郭霞(151)
并联型模块化级联超级电容多目标电能质量治理研究…………….许加柱,陈振海,夏静,项锦文,王涛(157)
电网电压不平衡下星形级联H桥STATCOM的三相直流电压偏离控制策略……华明,管松敏,朱永亮(165)
模块化串联结构高压电源的两级分组控制系统………………………………...龚青苑,姚文熙,吕征宇(172)
高频平面变压器绕组损耗分析及参数优化设计………………….徐祯祥,徐秀华,王令岩,张益齐,赵絮(178)
半导体GaN功率开关器件的结构改进…………………………………………………………….杨媛媛(186)
半导体GaN功率开关器件灵敏度测试技术……………………………………………...程俊红,肖震霞(193)
谈我国大功率低频电源的发展………………………………………………………………………李宏(200)
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2020-08-12
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