| | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | 有可能是死区时间内GS电压没有降低到关断值,存在瞬时直通造成的,还有
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| | | | | G极驱动电阻减小一些 GS泄放电阻换成10K试试看
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| | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | 这个问题,在我的驱动专题中讲了N多次。只要将驱动电压降到12V以下,这种标准高压MOSFET就基本不会在空载半桥产生炮弹电流。
加反向二极管后;在标准配比下,可以在更高电压下避免这种问题。
至于1N4148,实在有点复读机了。再次强调下:
1)市面上的1N4148有两种,一种是点触式。也是传统结构。只适合做检流不适用于此。2A峰值电流就会出现失效。
2)现在;有些厂家把BAV19当成1N4148在卖。由于管芯是0.5A二极管,还是可以的。
所以;不适所有1N4148都能用。需要定型定厂家。做好是别用;很容易搞错。
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| | | | | | | 多谢版主解答,请教H桥是否需要RCD吸收电路,,G级的反向二极管是不用为好还是更换型号
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 最新回复 | | | | 百度了一下,没有发现什么叫炮弹电流,不知道谁能给普及下
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| | | | | | | H桥的话只有这些 母线VCC和GND没有截到。驱动IR2110的电路没有放出来
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| | | | | | | | | 那你就不能叫逆变,只能输出产生带死区的SPWM信号
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| | | | | | | | | | | | | 你好,请问不接LC电路,直接用示波器探头测量逆变的输出,这样可以吗?
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| | | | | 这样并二极管是没多大用的,因为外部二极管和MOS的寄生二极管,压降相当,负载的交换电流,同样会流经体内二极管,产生反向恢复电流的问题,从而空载发热。 |
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| | | | | | | | | 保留,然后四个MOS的D极串一个大电流的肖特基,挡住MOS的体内二极管的反向电流路径。 |
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