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未解决

反激关断过快怎么怎么解决

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夜雨雨夜
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副总工程师
  • 2020-9-18 09:10:40
10问答币
反激辐射较差,希望降低关断时MOS Vds上升斜率,发现加大驱动电阻效果不明显,并联Cds效果较明显。
驱动电阻和Vds上升斜率什么关系?
下拉20欧姆 上升29.2us
下拉电阻200欧姆,关断上升46us


CH1Vdriver CH2VDD
1.png 2.png




nevou
  • nevou
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高级工程师
  • 2020-9-18 11:46:19
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Cgs充放电时间常数
zhenxiang
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LV8
副总工程师
  • 2020-9-18 20:48:52
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在DS间并电容或者RC来的直接吧
夜雨雨夜
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LV8
副总工程师
  • 2020-9-21 08:51:47
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并电容是直接,更改驱动的影响怎么理解
能源消耗
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总工程师
  • 2020-9-23 11:29:34
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并电容不然换管子, 换电流大点的管子,

并电容有个缺陷,驱动电流需要大,不利于芯片本身。 同时开关速度都一直变慢,本身与MOS特性相驳。 这种做法不推荐。
夜雨雨夜
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LV8
副总工程师
最新回复
  • 2020-9-25 15:37:15
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1.png

关断改到500,关断波形畸变了,这个是为什么?
蓝色Vds 黄色 Vg
wangdongchun
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专家
  • 2020-9-18 22:35:12
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结电容效应     
夜雨雨夜
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LV8
副总工程师
  • 2020-9-21 08:52:41
  • 倒数3
 
您好,可否讲得更详细点?驱动的影响怎么理解呢?
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