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PNP三极管和稳压二极管串联去控制NMOS 有何益处

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QWE4562009

QWE4562009
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2020-11-17 15:41:44

10问答币

PNP三极管和稳压二极管串联去控制NMOS 有何益处

PNP三极管和稳压二极管串联去控制NMOS 有何益处.png (145.93 KB, 下载次数: 68)

PNP三极管和稳压二极管串联去控制NMOS 有何益处.png

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		2 春野春野离线 LV6 高级工程师积分：890 \| 主题：8 \| 帖子：142 访问空间发消息积分:890 LV6 高级工程师 2020-11-17 17:05:13
		倒相+保护回复 \| 举报 \|

			3 QWE4562009 QWE4562009 离线 LV10 总工程师积分：13484 \| 主题：774 \| 帖子：2308 访问空间发消息积分:13484 LV10 总工程师 2020-11-18 18:11:16
			说清楚些回复 \| 举报 \|

				4 ruohan ruohan 离线 LV8 副总工程师积分：7543 \| 主题：21 \| 帖子：1109 访问空间发消息积分:7543 LV8 副总工程师 2020-11-18 19:10:40
				应该是个防倒灌检测的作用，回复 \| 举报 \|

					5 QWE4562009 QWE4562009 离线 LV10 总工程师积分：13484 \| 主题：774 \| 帖子：2308 访问空间发消息积分:13484 LV10 总工程师 2020-11-19 09:15:52
					会倒灌电流？？？回复 \| 举报 \|

		6 davidwang davidwang 离线 LV8 副总工程师积分：2510 \| 主题：4 \| 帖子：287 访问空间发消息积分:2510 LV8 副总工程师 2020-11-20 08:35:59
		稳压管是防止驱动电压过高烧坏MOS管，增加的BJT是用来扩流的，提高驱动能力，使MOS管快速开通回复 \| 举报 \|

			7 QWE4562009 QWE4562009 离线 LV10 总工程师积分：13484 \| 主题：774 \| 帖子：2308 访问空间发消息积分:13484 LV10 总工程师 2020-11-23 09:39:18
			王总具体的说说工作原理回复 \| 举报 \|

			8 QWE4562009 QWE4562009 离线 LV10 总工程师积分：13484 \| 主题：774 \| 帖子：2308 访问空间发消息积分:13484 LV10 总工程师 2020-11-23 09:40:36
			这个D12是稳哪个地方的电压回复 \| 举报 \|

		9 care123 care123 离线 LV6 高级工程师积分：563 \| 主题：5 \| 帖子：35 访问空间发消息积分:563 LV6 高级工程师 2020-12-25 13:26:39
		这个D12应该是防止VB-电压倒灌的，Q3应该是扩流增强驱动MOS开管的吧回复 \| 举报 \|

			11 QWE4562009 QWE4562009 离线 LV10 总工程师积分：13484 \| 主题：774 \| 帖子：2308 访问空间发消息积分:13484 LV10 总工程师 2020-12-28 08:53:25
			这个是B-啊如何倒灌？回复 \| 举报 \|

		10 st.you st.you 离线 LV10 总工程师积分：16765 \| 主题：8 \| 帖子：3792 访问空间发消息积分:16765 LV10 总工程师 2020-12-25 15:09:33
		芯片和MOS的栅极之间存在比较大的压差，别的方式能实现也是可以的。要说益处，电路简单算不算益处？回复 \| 举报 \|

			12 QWE4562009 QWE4562009 离线 LV10 总工程师积分：13484 \| 主题：774 \| 帖子：2308 访问空间发消息积分:13484 LV10 总工程师 2020-12-28 08:54:49
			芯片和MOS的栅极之间存在比较大的压差------------什么意思啊，MOS栅极电压不也是芯片来的吗。。。。。。。。回复 \| 举报 \|

				13 st.you st.you 离线 LV10 总工程师积分：16765 \| 主题：8 \| 帖子：3792 访问空间发消息积分:16765 LV10 总工程师 2020-12-28 11:02:37
				电路结构上就存在很大的压差，就这意思啊回复 \| 举报 \|

		14 boy59 boy59 离线 LV10 总工程师积分：16430 \| 主题：118 \| 帖子：2779 访问空间发消息积分:16430 LV10 总工程师 2020-12-28 14:30:20
		如果电池电量低接上充电器后VB-端负压较大，可能导致充电MOS管半导通而充电控制端失效，加上PNP三极管后可以避免这种情况发生。回复 \| 举报 \|

			15 QWE4562009 QWE4562009 离线 LV10 总工程师积分：13484 \| 主题：774 \| 帖子：2308 访问空间发消息积分:13484 LV10 总工程师 2020-12-29 10:05:43
			可能导致充电MOS管半导通而充电控制端失效-----------为什么会半导通和失效回复 \| 举报 \|

			16 QWE4562009 QWE4562009 离线 LV10 总工程师积分：13484 \| 主题：774 \| 帖子：2308 访问空间发消息积分:13484 LV10 总工程师 2020-12-29 10:06:32 倒数10
			如果电池电量低接上充电器后VB-端负压较大---------------为什么B-会有负压啊？本来就是GND啊参考点啊回复 \| 举报 \|

				17 st.you st.you 离线 LV10 总工程师积分：16765 \| 主题：8 \| 帖子：3792 访问空间发消息积分:16765 LV10 总工程师 2020-12-29 10:37:32 倒数9
				芯片的参考地是电池的负极，而不是B- 这应该是个保护板，B-是保护板的输出负极，可以断开的，这时候的B-电位就不保证了。回复 \| 举报 \|

					18 QWE4562009 QWE4562009 离线 LV10 总工程师积分：13484 \| 主题：774 \| 帖子：2308 访问空间发消息积分:13484 LV10 总工程师 2020-12-29 11:15:38 倒数8
					输出是P- 充电是C- B-就是电池负极啊也就是电路的参考地啊回复 \| 举报 \|

						20 st.you st.you 离线 LV10 总工程师积分：16765 \| 主题：8 \| 帖子：3792 访问空间发消息积分:16765 LV10 总工程师 2020-12-29 13:11:43 倒数6
						你瞎说，标有微信图片_20201229131108.png (735 Bytes, 下载次数: 60) 下载附件 2020-12-29 13:11 上传的符号的才是电路的参考地别的不是回复 \| 举报 \|

							22 QWE4562009 QWE4562009 离线 LV10 总工程师积分：13484 \| 主题：774 \| 帖子：2308 访问空间发消息积分:13484 LV10 总工程师 2020-12-29 16:48:58 倒数4
							不要生气。B-就是参考地GND 在电池包中。。。你可以找资料看看回复 \| 举报 \|

								23 st.you st.you 离线 LV10 总工程师积分：16765 \| 主题：8 \| 帖子：3792 访问空间发消息积分:16765 LV10 总工程师 2020-12-29 17:24:11 倒数3
								分析电路要讲逻辑，既然你觉得B-和GND是同一个网络，也就是可以短路咯？干脆MOS拿掉短路算了，省钱省事 112330zif4fp5tut7gz7g3.gif (1.53 KB, 下载次数: 64) 下载附件 2020-12-29 17:21 上传回复 \| 举报 \|

				19 boy59 boy59 离线 LV10 总工程师积分：16430 \| 主题：118 \| 帖子：2779 访问空间发消息积分:16430 LV10 总工程师 2020-12-29 12:51:06 倒数7
				PT6111.jpg (73.89 KB, 下载次数: 60) 下载附件 2020-12-29 12:41 上传 CH_FET是充电控制端高电平为充电，假设没有三极管CH_FET为0V时也会充电且MOS管Q1处于半导通状态。如果CH_FET能提供负压这个问题就不存在了，没查到详细的资料只是猜测一下。回复 \| 举报 \|

					21 QWE4562009 QWE4562009 离线 LV10 总工程师积分：13484 \| 主题：774 \| 帖子：2308 访问空间发消息积分:13484 LV10 总工程师 2020-12-29 16:48:24 倒数5
					感谢回复，，，这里没有三极管啊！你是做BMS的吗回复 \| 举报 \|

						24 boy59 boy59 离线 LV10 总工程师积分：16430 \| 主题：118 \| 帖子：2779 访问空间发消息积分:16430 LV10 总工程师 2020-12-30 09:29:00 倒数2
						上面分析的是没有三极管的情况，这两个MOS管Q1应该是防过充Q2是防过放的，把NMOS换成PMOS可能容易理解些。电池防过充.jpg (56.36 KB, 下载次数: 64) 下载附件 2020-12-30 09:19 上传两个图功能是一样的只是管子由低端放置高端NMOS换PMOS、PNP换NPN。右图如果不加NPN三极管当充电电压V_Charge>V_Batter时由于MCU最大只能提供V_Batter的电压所以Q1管（PMOS）无法关断失去了防过充保护功能。而如果MCU可以提供≥V_Charge的电压则三极管可以不加，同样的道理左图电路如果MCU能够提供负压则PNP三极管可以不加。回复 \| 举报 \|

							25 QWE4562009 QWE4562009 离线 LV10 总工程师积分：13484 \| 主题：774 \| 帖子：2308 访问空间发消息积分:13484 LV10 总工程师最新回复 2020-12-30 10:45:57 倒数1
							原来是这样就是高压隔离的作用回复 \| 举报 \|

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