咨询MOS管恒流区的疑惑-综合电源技术-世纪电源网社区

飞翔2004

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2021-1-28 11:52:19

10问答币

如下图在MOS管开通到T2时刻时为什么ID最大，而DS两端的电压是最大的VDD？按MOS管的输出特性曲线，这个时刻算恒流区了，从输出特性看恒流区这个时刻DS电阻基本是高阻，DS两端的电压是最大的VDD,ID怎么会是最大？VDS=ID*RDS,,,怎么理解?

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zhuliu09

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恒流和高阻不是一个概念吧？高阻是没有电流或者电流极小，不是恒流。从MOS的特性和工作过程分析，当VGS恒定，温度恒定，器件确定的情况下，沟道的载流子浓度保持不变，这个时候电流的大小取决于载流子的漂移速度，线性区，载流子的漂移速度随着电压VDS的上升的增加，所以电流增加，导通电阻减小，当VDS上升到一定值后，载流子的漂移速度达到饱和漂移速度（载流子存在散射，所以漂移速度不可能无限增加），不再增加，就进入了饱和区 ...

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zhuliu09

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2021-1-28 17:12:40
倒数5

你那个图里的恒流区我们一般称为饱和区，饱和区在VGS一定的情况下，IDS不随VDS的增加而增加，这个区一般沟道电阻很小，不是高阻。截止区（沟道电阻极大）-线性区又叫可变电阻区（沟道电阻随着VGS的增加从大到小变化）-饱和区（沟道电阻很小），这就是MOS的开通过程呀。

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			3 飞翔2004 飞翔2004 离线 LV8 副总工程师积分：6915 \| 主题：14 \| 帖子：525 访问空间发消息积分:6915 LV8 副总工程师 2021-1-28 17:31:55 倒数4
			看曲线图恒流区RDS就是高阻啊，VGS一定时，斜率就是RDS,那么恒流区是接近一条直线，恒流区的斜率RDS= (VDS2-VDS1)/(ID2-ID1),恒流区ID2≈ID1,所以ID2-ID0≈0,RDS算出来不就无穷大吗？。第一张图的T2时刻，如果恒流区RDS电阻比较小，ID最大了，为什么VDS还是接近VDD?VDS应该是变小了才对啊，怎么理解这个呢？回复 \| 举报 \|

				4 haohaobaxia haohaobaxia 离线 LV8 副总工程师积分：2715 \| 主题：2 \| 帖子：166 访问空间发消息积分:2715 LV8 副总工程师 2021-1-29 17:30:00 倒数3
				不要拿着导通曲线图分析开通过程。 Inked114702x3m2sd272dds8df2_LI.jpg (48.84 KB, 下载次数: 93) 下载附件 2021-1-29 17:29 上传回复 \| 举报 \|

				5 zhuliu09 zhuliu09 离线 LV8 副总工程师积分：4283 \| 主题：0 \| 帖子：849 访问空间发消息积分:4283 LV8 副总工程师 2021-2-1 11:02:56 倒数2
				恒流和高阻不是一个概念吧？高阻是没有电流或者电流极小，不是恒流。从MOS的特性和工作过程分析，当VGS恒定，温度恒定，器件确定的情况下，沟道的载流子浓度保持不变，这个时候电流的大小取决于载流子的漂移速度，线性区，载流子的漂移速度随着电压VDS的上升的增加，所以电流增加，导通电阻减小，当VDS上升到一定值后，载流子的漂移速度达到饱和漂移速度（载流子存在散射，所以漂移速度不可能无限增加），不再增加，就进入了饱和区，也就是恒流区。当VDS电压持续增加，器件将发生击穿。至于你问的T2时候，IDS上升到最大，VDS应该减小的问题。这个是很典型的负载为电感的开通模型，你就可以用BOOST结构为例进行分析，MOS的漏极连接电感和续流二极管，在开通的过程中，一般假定电感电流恒定不变（这个假定很重要，请注意），开通过程中MOS的沟道电流IDS上升到电感电流IL之前，都需要二极管导通续流，即MOS的VDS不可减小，必须保持在输出电压VO+二极管的导通电压降的大小，只有沟道电流IDS上升到电感电流IL（T2时刻的最大值）时，才不需要二极管续流，MOS的漏极电压VDS才可以下降。不晓得这样讲，你能不能明白？回复 \| 举报 \|

					6 飞翔2004 飞翔2004 离线 LV8 副总工程师积分：6915 \| 主题：14 \| 帖子：525 访问空间发消息积分:6915 LV8 副总工程师最新回复 2021-2-1 14:53:37 倒数1
					你的意思是那张波形图的负载为下图的电感L与续流二极管D。如果电感L与续流二极管D换成电阻负载就不一定是这个波形图了。没注意到负载是电感，明白了，谢谢。 5656.png (32.04 KB, 下载次数: 81) 下载附件 2021-2-1 14:38 上传回复 \| 举报 \|