| | | | | LLC 半桥mos 在用探头测试Vds时也会影响LLC的正常工作,输出不太稳定。。同样疑问 |
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| | | | | | | 示波器探头的输入电容还是挺大的
高频的LLC用普通探头测的话,应该会影响比较大。
以前发现过用普通探头测反激的Vds,会让次级零流后的震荡非常厉害。 |
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| | | | | | | | | 探头的输入电容据之前了解是10pF...可能有误差。。
如果输入电容太大,测出来的波形会失真、、 |
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| | | | | | | | | | | 具体多少没注意过,但是应该不会这么小,至少我用的那个不会这么小。
因为MOSFET的Coss远不止这么大,如果探头输入电容很小的话,我测反激Vds的时候不会有那么明显的影响。
示波器探头中可调的那个电容是用来补偿引线阻抗的,调的不好确实会失真。但是示波器的输入电容不止那个电容那么大。 |
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| | | | | | | | | | | | | 如果你用1:1探头,那么那个电容的确是并联在被测电路上的,不过这时候那个电容实际上是没有用处的;如果你用10:1的探头,那么并联电容将是调整电容+示波器输入电容的10分之一。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 嗯,貌似是。
不过这个不是我问题的重点啊
我想问的是LLC的空载增益的问题。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 我的意思其实是说示波器探头电阻其实不一定大。
空载增益恐怕要仔细分析状态方程。
但问题是LLC实际上是一个非线性的系统——Coss的的非线性;负载一侧有整流滤波电路,等效成一个电阻实际上是不准确的——所以不清楚用线性系统去分析究竟会有多大误差。
或许,用仿真工具能得到一些结论吧,不过这无法给出解析解。
等等!空载增益或许并不见得有多难分析,负载一侧可以按开路考虑。
这儿和标准的LLC分析似乎有明显的差异,标准的LLC分析是按50%+50%占空比来推导的,这种情况下,Coss以及并联的(分布)电容应该是不起作用的,因为它总是被开关管短路的。所以这个电容应当仅仅在两只开关管均开路的时候起作用…… |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 当两某只晶体管关断,电压过渡到另一侧晶体管寄生二极管导通之前,开关管并联电容和谐振电容串联,这个阶段谐振频率和其他时刻有较大的差异——这应该是影响增益的缘故。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 谐振电容一般在几十NF级别,你哥示波器探头电容只有几十PF左右,这怎么回影响?而且一般在设计LLC的时候,对于MOS结电容的考虑是要考虑这个结电容值与谐振电容大小关系的,应该不至于吧 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 应该不是和谐振电容比较,而是和Coss作比较。
两者是串联关系,谐振电容容量大,对过渡过程的影响比较小。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 别跑题了。。。
这个话题本来和示波器探头没什么关系。
我是说在DS上并联的用来限制Vds变化率的电容对空载增益的影响。
谐振电容根据不同的工作频率范围、输入电压和输出功率会有很大的差别。
我最大用到过6uF,输入电压低、工作频率低、输出功率大。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我也能想到这一点。
只是如何去定量的分析它啊。。
哪怕得不到解析解,能有方程也可以啊。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 我用100:1的探头量测发现对LLC 工作有影响。。 |
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| | | | | | | 我做的机型都是外接的谐振电感。
但是这个应该没什么影响。 |
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| | | | | 开环时,并联的电容加大,增益是如何变化的?是不是应该变小呢? |
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| | | | | | | | | 初步分析,电压环开环,应该工作在最小频率,也就是会工作在谐振点左边,励磁电感的能量会给电容充电,达到泵升的效果,加大VDS的电容,会降低这个泵升的效果,
假设你把最低频率控制在谐振点右边,不知道加大VDS的电容,还会有影响吗?
瞎分析一下,呵呵,也不知道你的工作频率是多少?不会小于30K吧? |
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| | | | | | | | | | | 测的这个的最小工作频率略小于30K,大概是27-28K左右。
你的第一句我没看太懂,第二句让工作频率大于谐振频率这个没试过。。 |
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| | | | | | | | | | | | | 励磁电感参与谐振时,就会对Cr和Cds进行充电,这会抬升Cr上面的电压,这好像也是谐振点左边增益大于1的原因,如果你加大Cds,Cr上面的电压会变小,增益就小了。
(错了请指正,呵呵) |
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| | | | | | | | | | | | | | | 哦,但是,为什么加大Cds,Cr上面的电压会变小?
Cds只是改变了换向时的暂态过程而已。 |
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| | | | | | | | | | | 副边电压波形虽然没测过,但是我猜用眼是看不出区别的
太细微的差别也不太好比较。 |
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| | | | | | | | | | | | | 等着吧,我正在写得程序里面加一个功能,把增益曲线描绘出来大概能满足你的要求。 |
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| | | | | 好像VDS电容并联不能太大,不要超过471,不过这也要看MOS。
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