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《环球电源讲义》书中技术讨论帖

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xkw1cn
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  • 2011-5-30 14:32:39
抽空读了一些章节。感觉这确实是一本不错的建议。从理论到工程都有提及。是本很好的工程书。
正如每本书一样;可能是每个人对工程解读不同,在赞叹全面的同时;也感到一些异议。希望得到大家指导、拍砖。
tomzhang
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  • 2011-5-30 14:43:13
 
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long223349
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  • 2014-11-2 19:39:27
 
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long223349
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  • 2014-11-2 22:02:17
 
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  • 2011-5-30 14:48:43
 
P9 1。1。4中第二段
疑问一:关于同步BUCK发热问题。
无论如何;BUCK发热至少包含两部分:开关损耗和通态压降损耗。而文中只提了管压降问题,似乎完全没有提及MOSFET体二极管回复特性对损耗的影响和寄生电感及集肤效应的作用。
疑问二:“对于较高输出电压;效率提升有限”
对于较低输入电压的DCDC讲;0.3V肖特基壓降是基本可接受的;而對于教高輸入電壓讲;恐怕要到0.5压降损耗了。因此;对于损耗;是否是较高电压输入可能更关系肖特基的损耗。且输入、输出压差越大,损耗越大。
YTDFWANGWEI
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  • 2011-5-30 14:54:28
 
对于体二极管恢复特性造成的影响,好像很多书上都没有提到过,不知道在设计的时候该如何考虑?
xkw1cn
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  • 2011-5-30 15:02:45
 
因为;这个参数在表面上不是很重要(相当数量的人不太会关注这个东西)而它又很影响制造成本。因此;在许多场合被有意无意的弱化了。
甚至;有些原厂都不一定能说清楚这个东西。唉!
只要器件的二极管被流过电流;且可能工作在比较高的温度和较高频率场合,这个参数都是致命的。
jimmmy1125
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  • 2011-5-30 17:45:07
 
许工,你研究的真深的哟。。。。。。。。。
佩服。。。。。。。
nc965
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  • 2011-6-1 16:58:14
 
特定对Buck,MOS的体二极管反向恢复特性优劣对损耗影响不大。
goupanda
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LV8
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  • 2011-6-1 22:38:27
 
我在做一款2000W的同步BUCK,体二极管引起的开关损耗占主要的比重,最后不得不降低开关频率
nc965
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  • 2011-6-2 00:36:04
 
我是说Buck开关的体二极管,不是指同步整流的MOS。
xkw1cn
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  • 2011-6-2 09:09:47
 
标准的BUCK拓扑上管;对体二极管没啥速度要求。但是;因为是硬开关,所以;对这个MOSFET的寄生二极管PN结电容(电荷)Coss有要求。
零下12度半
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高级工程师
  • 2016-2-18 19:16:28
 
我现在做的BUCK,上管发热很严重,怎么回事啊
xkw1cn
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  • 2016-2-18 20:10:31
 
电路是啥样的?上原理和PCB吧。
零下12度半
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高级工程师
  • 2016-2-18 20:52:03
  • 倒数10
 
占空比50%,但是发热明显是上管比下管厉害,驱动的波形也还好
SB[5J4$6LU4KG`F[LYXII80.png
VRO1CGZH%%~R_7K{M
ThaisenRen
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  • 2017-4-25 15:38:21
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大神,学习了。。。
daxia4540827
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  • 2012-9-23 12:21:05
 
做成软开关就不用考虑了!
拒绝变帅
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  • 2011-5-30 20:58:20
 
许工不好好看书,下面“注意”第二点就说到MOS体二极管存在反向恢复问题。担心它作怪的话,再并个肖特基,体二极管就bye-bye了。
请轻拍。
xkw1cn
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  • 2011-5-30 22:51:29
 
这正是明天想讨论的。这肖特基是瞎并;基本为白搭。
YTDFWANGWEI
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  • 2011-5-31 11:08:38
 
提到了肖特基,我想顺便问一下,一般说肖特基的导通压降都是0.4-0.5V,可如果我们用到50%左右电流的时候,从图表中可以看出,这个时候的压降基本都在0.6V以上。这是为什么?
jimmmy1125
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  • 2011-5-31 11:29:55
 
不知道这个是不是和二极管的电阻RD有点关系。。。。。
上次有个网友讨论过的。。。。。。。
楚天?
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  • 2011-5-31 11:34:51
 
恩。
从原理上来看,D是应该有个R的。毕竟载流子浓度是有限的。
xkw1cn
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  • 2011-5-31 12:09:48
 
从纯理论上;理想化的讲,无论肖特基还是二极管,正向压降V-I特性都可以等效成反电势和寄生电阻的串联。

xkw1cn
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  • 2011-5-31 12:14:01
 
对于硅管讲;25C时的E是0.45~0.7V,每度温漂2~3mV。
对于肖特基讲;25C时的E是0.18~0.45V,每度温漂2~3mV.
jimmmy1125
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  • 2011-5-31 12:19:20
 
许工,你这总结的好。。
学习了。。
xkw1cn
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  • 2011-5-31 12:21:34
 
以14楼为例;
25C时;这个二极管的反电势压降是0.55V;电阻是Rsd=(0.8-0.55)/65=3.8mohm
175C时;反电势压降是0.08V电阻是Rds=(0.55-0.08)/60=7.8mohm
jimmmy1125
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  • 2011-5-31 16:30:15
 
许工,你这个计算电阻的公式怎么理解的啊?
R=DU/DI这个明白,但是你带入的值就看的有点晕了。。。第一个公式:Rsd=(0.8-0.55)/65=3.8mohm,还好理解,但是第二个:Rds=(0.55-0.08)/60=7.8mohm的电流怎么就变成60A了啊?你这个应该是近似值吧?希望指点一下。。
xkw1cn
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  • 2011-5-31 16:32:16
 
第一个是25C的那个曲线;第二个是175C的那个曲线。
jimmmy1125
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副总工程师
  • 2011-5-31 16:36:41
 
这个知道,就是对你那个电流的取值不太明白。。
你那个值应该是175的曲线和V=0.55V电压的交点吧?
xkw1cn
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  • 2011-5-31 16:49:31
 
这是安啮合线看的值。只要在啮合线附近都是可以取的。理论上;越往右的取值;越小有偶然误差。
jimmmy1125
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  • 2011-5-31 17:20:01
 

晕了。。。。
晚上回家再看。。。
Bodoni
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  • 2011-8-20 11:33:10
 
MOS并肖特基不能凑效是因为Vf不同,电流自动选择Vf低的流向?
YTDFWANGWEI
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  • 2011-5-31 12:23:47
 
这个是个硅管还是肖特基,额定电流是多少A的?
xkw1cn
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  • 2011-5-31 12:34:33
 
IRFP4468
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  • 2011-5-31 12:28:35
 
我们不难发现;高温下,反电势压降只有很小份额;主要以电阻压降为首。
当MOSFET的寄生二极管和外肖特基并联时;续流状态下的管压降;大体可以看作两个二极管寄生电阻并联下;流过续流电流而产生电压差。
电流大小和寄生电阻有关;和二极管种类关系不是很大。
也就是说并了肖特基后;二极管还是流过了续流电流,电流大小和它们的寄生电阻有关;电阻越大;电流越小。
xkw1cn
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  • 2011-5-31 12:34:00
 
这是忽略了分布参数后的纯理想状况下的结果。工程实际中;结果会比这更恶劣!
YTDFWANGWEI
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  • 2011-5-31 12:44:05
 
那么在工程实际中,应该如何应用避免这种情况的出现呢?
拒绝变帅
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  • 2011-5-31 13:40:59
 
上午没来,没想到许工开讲这么多了,好像挺有道理的,但仍然有点疑问:
1,按许工的说法,体二极管与并的肖特基都有电流流过了??两个二极管压降一样了?我理解是肖特基导通后,把体二极管两端电压钳位了,所以体二极管无法流过电流。
2,按许工的说法,那么现在集成肖特基的MOS管就是一个失败的产品了?
请轻拍
xkw1cn
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  • 2011-5-31 14:16:57
 
是的!有所改善;离理想很远!只有肖特基结构的体二极管才是合理的。这也是为啥IR的低压MOSFET;即便标称值不见得很高;效率却很高的原因之一。
YTDFWANGWEI
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  • 2011-5-31 16:46:01
 
如果MOS管内部集成二极管不是肖特基的,那么外部并联肖特基还是可以减小流过内部体二极管的电流的。按照你后面的说法,这样也是有改善的。那给MOS管并联肖特基二极管不属于画蛇添足吧?
xkw1cn
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  • 2011-5-31 17:38:38
 
39楼算了一下最好情况下的分流能力。
对于3A左右的DCDC;是有一定工程效果的,可对再大的电流;就只有象征意义了。
xkw1cn
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  • 2011-5-31 14:19:33
 
二极管反向回复特性和温度及流过的电流大小都有关系;分流能减少寄生二极管里实际流过电流;却无法完全封死它。所以;有改善;却不彻底。
分流作用随温度及电流大小和死区时间而变。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2011-5-31 14:40:07
 
肖特基的导通压降远小于0.7V,要到多少的温度达到0.7V呢?
假设导通时以0.3V左右压降计,这个电压能让体二极管导通吗?
请轻拍
xkw1cn
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  • 2011-5-31 14:51:37
 
无论0.7还是0.3,都是建立在一定电流下的压降。光看数字没用处!
如果一个肖特基在通100微安时;只有0.2V压降,你真能那它做常规DCDC吗?
xkw1cn
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  • 2011-5-31 16:35:54
 
在工程中;将两个V-I曲线叠在一起;对X轴划线;曲线交点就是两种管子在这点电压的流过电流值。两电流之和就是当这两管并联时;这个压降下的总电流。
xkw1cn
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  • 2011-5-31 16:47:21
 
19楼是在MOSFET和肖特基结温相同时;高温下的一般规律。实际上;由于肖特基只在死区时间里流过电流;相同封装时;MOSFET的结温一般要大于肖特基。
如;设MOSFET结温为85C;肖特基结温为55C
它们的反电势压降大约是:
二极管:0.6-(85-25)*2.5mV=0.45V
肖特基:0.2-(55-25)*2.5mV=0.125V
两者压降差为:0.45-0.125=0.325V
当续流电流峰值为10A时;理论允许肖特基最大体电阻为:32mohm。这是理想条件下;外并肖特基后;寄生二极管不流过电流的极限值。
xkw1cn
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  • 2011-5-31 16:50:45
 
如果设定MOSFET结温到105C呢?建议大家自己算一下。
daxia4540827
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总工程师
  • 2012-9-23 11:32:14
 
这个导通压降就是和电流有关系的吧!
楚天?
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  • 2011-5-31 11:24:58
 
我一直觉得,对于正向开关的mos来说,体二极管不起作用。对于反向导通的mos,并肖特基也不起作用。
xkw1cn
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  • 2011-5-31 16:54:00
 
实际上;工程上要复杂些。所有MOSFET和肖特基都是有封装的,为了保持效率;低压DCDC很少有大都100nS死区时间的。
如果用的是TO-220或D2PAK或DPAK的化;源极封装引线大约有3~4.5nH的寄生电感.
xkw1cn
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  • 2011-5-31 17:36:33
 
忽略PCB覆铜等电感效应;仅按3nH引脚寄生感量计算;两个相并器件的引脚感量达到了6nH,而肖特基与二极管压差一般不超过0.5V。
100nS死区设置;在电路里的实际死区时间为20nS左右;在20nS内最多能被切换的电流为:
E=Ldi/dt( MOSFET在t0-关闭;由于电感电流不能突变;沟道里电流被挤入寄生二极管,t0时刻;寄生二极管里电流开始向肖特基切换,肖特基寄生电感电流的初始条件为零)
注:E为两种管子之间的管压降差。
I=E/L*t=0.5*20EXP-9/6EXP-9=1.7A
既当最佳PCB设计和肖特基配置的时候;当DCDC峰值电流超过1.7A;MOSFET寄生二极管里的电流无法被完全分流到肖特基。或者说;最多能分流1.7A的水平。
因此;外并肖特基,更多的象征意义。对大电流DCDC的实际工程意义不大。
呆头鹅
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副总工程师
  • 2011-5-31 21:35:36
 
,管压降和温度因素很多人都考虑了,寄生感量考虑的就很少了
拒绝变帅
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总工程师
  • 2011-5-31 21:58:58
 
学习
决战
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副总工程师
  • 2011-6-1 18:15:00
 
这段分析精辟,必须顶了。
蒋江黔
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  • 2011-6-17 21:32:57
 
被人拉来观贴,对许工39楼不是很认同.

意见:就算20nS死区期间,10A的电流全部被挤进体二极管, 设体二极管VF为1V, 开关频率高达300K, 那么体二极管的损耗也仅仅为1V*10A*20^10-9*300*10^3=0.06W,由于体二极管比肖特基压降多0.5倍,因此损耗只多30mW, 对于几十W(10A)的DC-DC来说,只不过占千分之一上下,不会是“IR的MOS效率高许多”的根本原因。

个人认为用肖特基结构的体二极管能够显著提升SR效率的本质,要以布线电感,封装电感的储能的辞放来考虑,这些能量相对上面的60mW要多得多
xkw1cn
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  • 2011-6-17 23:16:00
 
大侠教训的是!
二极管通一下的损耗确没多少。关键是“通”一下的后果是在“通”后数十甚至上百纳秒里,即便给二极管“A”加上正电压,那个破玩意还是处在“短路”状态。
在有续流工况时(如ZVS/DCDC/INV等应用场合)那斯正续流时;对侧管就开了,而二极管还在愣神间;短路电流就串它而过。电流峰值通常能达到续流电流的两到六倍。
如果按两倍计算;热态二极管恢复时间设为50nS;300KHz工作。DCDC12V转5V10A
那么;二极管反向恢复损耗为:50EXP-9×12×10×2×300EXP3=3.6W
如果恢复时间缩短到20nS,损耗为1.44W
这就是“通”一下的后果。“通”的时间长短是次要问题;关键是“寄生二极管特性很重要;后果很严重”。
蒋江黔
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  • 2011-6-18 01:14:22
 
在许工面前,那里敢称大侠. 不知许工这里指的是什么拓朴? 怎么会在继流管开通后50nS时,有一个对角管导通?让二极管反偏呢?请许工明示
现在讨论的是继流管的开的过程,并不是继流管关的过程。(关的过程,不管是体二极管改成SBD,还是外置SBD,都面临SBD结电容的充电,结电容的充电能量将在MOS沟道及二极管的体电阻上以热量消耗。)
xkw1cn
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  • 2011-6-18 22:55:49
 
同步BUCK
在死区时间里,续流二极管会开通。哪怕只有数纳秒,都会引起二极管的恢复过程。
只要死区时间已过;无论二极管是啥特性,高边的MOSFET都会“ON”而引起短路。短路电流大小和幅值都和二极管特性及高边MOSFET开启速度有关。
蒋江黔
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  • 2011-6-19 11:38:31
 
不要假如,咱们量化一下:
1, 在继流向BUCK主开关过渡的死区发生初始, 设电感电流为谷值为8.5A, 进入死区后, "短路"发生, 由于继流开关的引
脚电感需要辞放, 放电电压为6V(还有BUCK主开关的电感分量分压), 这个过程需要t=IL/V=8.5*3*10^-9/6=4.25nS
2, 剩下的15.75nS,“短路电流”线性增长,终止电流最大为I=12*15.75*10^-9/6*10^-9=31.5A, 体二极管的电阻分量
为30mohm, 压降不足1V,这里是RL串联回路,可见R消耗的能量极少。能量大部份储存在引线电感内。每秒储能总量
WL=0.5*6*10^-9*31.5*31.5*300*1000=0.9J, 实际上,回路中的布线杂散电感及主滤波电容ESL之和,要比功率管引线电感大一个数量级,那么实际上储能要只有0.09J
主开关的引线电感储能在关闭后可部份储放到输出端,而继流开关的储能则大部份由阻尼振荡消耗, 因此实际上由此引起的损耗不足0.1w, 仅仅为50W的0.2%,仍然不足已说明“高很多”的命题。
蒋江黔
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  • 2011-6-19 11:55:40
 
电流回路中处处均有电感, 数量级远超器件封装的电感


零下12度半
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  • 2016-2-18 20:53:18
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这个文档在哪里找到的呀
呆头鹅
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  • 2011-6-19 12:38:02
 
1.终止电流最大为I=12*15.75*10^-9/6*10^-9=31.5A,
2.主开关的引线电感储能在关闭后可部份储放到输出端
a.当续流管完全关断时,以你计算主管电流为31.5A,还应加上此时电感电流8.5A,才是主管的最大电流,应为40A
b.因为输出电感远大于分布电感,40A的峰值电流就像个巨浪撞上座山,只有很少的能量释放到输出,大部分也由阻尼振荡消耗了
另外,体二极管反向恢复时间是一个重要的值,反向恢复峰值电流是个更重要的值,如果以上计算中体二极管的反向恢复峰值电流只有8A的话,损耗会大幅下降
蒋江黔
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  • 2011-6-19 12:54:14
 
注意方向, 若回路中无其它寄生电感(如上面说说的主滤波电容ESL, 回路电感, 仅仅考虑封装电感), 那么20nS死区结束时是31.5A, 不是40A.
需要注意的是回路中的那些杂散电感加起来, 远不及31.5A这么多, 而且是三角波, 能量减半, 这个损耗对效率影响不大.
呆头鹅
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副总工程师
  • 2011-6-19 15:38:43
 
1.续流MOS二极管反向恢复不在死区内,而在死区后。
2.只有当主管电流等于输出电感电流后,二极管的反向恢复才开始,所以主管峰值电流要计入8.5A
3.主电容以C3225X7R1E335KB为例,谐振点为2M以上,等效电感不足2nH,至于回路影响,足够短和宽的线条加上正反面平行走,不一定会等效为电感
蒋江黔
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  • 2011-6-19 16:29:03
 
1. 注意看贴, 考滤死区时间, 是计算电流, 反向恢复发生在死区后, 这谁都懂;
2. 再提醒一遍, 注意方向, 死区期间二极管电流为正向, 要等寄生电感辞放完储能后, 才承受反向电压, 一正一反, 各是各的, 不能加;
3. 通常下, 走线长度不会很短, 宽度也不会很宽, 低压大电流条件下, 走线间的磁场能量比电场能量大的多, 这是决定走线呈感性还是容性的条件, 有兴趣的话, 可以算一算的
呆头鹅
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LV8
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  • 2011-6-19 22:27:28
 
我的理解是反向恢复是在二极管电流有0开始往负值走开始,回复到接近0为止。前面讲要加是指上管的电流。
至于感性容性,有多大感性影响,有板子才讲的明白
xkw1cn
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  • 2011-6-19 22:56:38
 
不同封装和PCB设计;对效率影响是非常大的。
我这里测试过无引脚封装(DirectFET),由于无引线;小电流时的效率反而低;电流达到3A以上时,无引线封装优势非常明显。
forestgump1003
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副总工程师
  • 2014-1-16 13:11:45
 
如果是低频100nS死区,应该还是有意义的,因为有时候空满载不能同时优化,满载超过100nS是可能的
至尊
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  • 2011-7-13 19:41:22
 
好奇地问一下各路大虾,啥子是体二极管
heiyang
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  • 2011-5-31 09:24:24
 
多谢许工~期待中~
yunyun
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  • 2011-5-31 12:20:41
 
跟许版学习学习
haha0
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  • 2011-5-31 14:33:31
 
关注学习。
情人看刀
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  • 2011-5-31 20:38:09
 
强帖!
hznx123
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  • 2011-5-31 22:21:49
 
网上很多精华
如果l整理出来功德无量。
youyoujiasu
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  • 2011-5-31 22:40:42
 
这书我还没有呢,关注下
abc017035
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  • 2011-6-1 17:35:18
 
ABC侠:
你能不能不在别人贴里发广告啊!
渔舟唱晚
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  • 2011-6-1 19:30:54
 
目前也正在观看此书。。。写得很到位。。。。是本好书。
wuzhonggui
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  • 2011-6-1 22:17:28
 
什么时候分享哟!
xkw1cn
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  • 2011-6-2 09:30:01
 
P12 BUCK变换总结
这段貌似有点冲突
1、CCM 理想BUCK输出电压只和输入电压和占空比有关。但是;工程中的寄生电感和电阻及死区时间的设置长短;应该会导致DCDC有随电流增大而电压跌落的现象(电源寄生内阻)。
DCM状态下;DCDC工作在超越函数曲线特性中;在非同步模式下,这垫总结是对的。可是;同步模式明显和这不同。
实际上;无论是DCM(电流出现了负值)还是CCM对同步DCDC没有本质区别。我们可以看作同步DCDC只有临界连续和连续两个状态。
xkw1cn
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  • 2011-6-2 09:35:29
 
2、一个周期内;电感电流的变化量为零?
这是否意味着电流平均值不变(如果感量不变的化)?负载变化咋办?
如果电感电流变化量和负载挂钩是否更合理?
对磁元件;貌似Vt积是平衡的。应该没有电流平衡一说。
xkw1cn
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  • 2011-6-2 09:38:50
 
3、这点总结的很棒!稳态DCDC输出电压平均值不变;电容充放电自然是平衡的。
xkw1cn
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  • 2011-6-2 09:43:41
 
4、无论输出是否连续变化,由于DCDC里包含了LC网络。因此;DCDC是有复阻抗的电源。输出或负载变化时,都会因此而产生电源内阻压降。
V0=Vin*D是理论输入、输出关系,加上复阻抗后,就是工程DCDC模型。
dianyuanlearner
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  • 2011-6-2 11:24:59
 
请问许工,那里有"环球电源"讲义这本神书可以下载?
dianyuanlearner
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  • 2011-6-2 11:26:40
 
这本神书对于我们这些人来说,基本等于习武之人苦求的九阳神功秘诀了吧
xkw1cn
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  • 2011-6-2 11:38:10
 
注册QQ群!21dianyuan就有可能送!
dianyuanlearner
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  • 2011-6-2 15:09:29
 
QQ群号码是?
xkw1cn
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  • 2011-6-2 15:13:39
 
xkw1cn
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  • 2011-6-3 10:30:57
 
P17 BOOST变换临界电感
对于临界模式;BOOST实际有三个工作状态:
1)“ON”
2)“OFF”
3)LC自由振荡(IL=0C=Vp 当t0=0时)
第三阶段会使磁通进入第三象限工作。
因此;实际能用电感量要小于这个理论值。
xeulian2004
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  • 2011-6-7 15:59:57
 
留个记号 请版主继续
真心朋友
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本网技师
  • 2011-6-7 14:30:27
 
关注
seducer
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  • 2011-6-8 10:20:25
 
再顶 请继续高手们
xkw1cn
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  • 2011-6-8 10:58:17
 
P19 最后一段:
BOOST变换二极管的选择标准。这5个标准当然很重要;但是;貌似没完全切中要害。对于BOOST;有三个工作模式:连续和断续及两者兼有的临界准谐振模式。它们对二极管要求是完全不同的。

反向速度快: 这里唯一对速度要求的一条三个模式对于速度要求是不一样的。
对于临界模式;在电流断续后;二极管已经恢复,速度只要适当就行了。关键是二极管的PN结电容要足够稳定,这样才能比较好的过渡过程一致性。
对于连续模式;而二极管的反向恢复特性决定了损耗。硬恢复特性二极管;虽然可能有更快的恢复速度,但是;高的反向恢复电流及陡的di/dt将带来高的损耗及电磁噪音。而即便是相对慢却恢复特性软的二极管,损耗和噪音陡要好的多。
另外;提防厂家数据表的“作假”,高的电流会引起长的反向恢复时间和大的反向恢复电荷。高温会严重退化某些型号的产品特性!注意测试条件及你用条件是否一致,不要盲目的仅以数据说事!

足够的反向击穿电压是保证电路安全所必须的必要条件,但适可而止是明智之举。高耐压会带来高的损耗。另外;特别当心有些型号的快恢复二极管虽然电流及电压额定值都很高;而且可能有不错的雪崩耐量,却抗不住ESD一击。

额定正向电流 这是很重要的参考量。究竟用多大电流的管子;需要用热计算来验证。单纯比较和按额定电流打折使用;都是有风险的。

较低的正向导通压降 任何二极管都是可以近似用反电势压降和寄生体电阻的串联来等效二极管在以一定电流下的压降。如同样硅片;不同封装时的热阻是不一样的;直接导致额定电流值的不同,如果单纯看压降;高热阻封装由于额定电流小而显得压降更低。这种藏眼法使得比较扑溯迷离。通过这个公式;你可以看的更清楚;能用较大电流的管子来达到低压降的目的;也可以用较小电流的低压降管子。可以方便的用经济价值理论选取最佳器件。
xkw1cn
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  • 2011-6-8 11:07:55
 
P20 式1-51 Pd=Vd*Io
对于连续模式的二极管;开关损耗占到整体损耗的一半甚至更高。二极管损耗不经和它自己发热有关;而且直接影响到了开关器件的损耗状况。“开关损耗相对于其导通损耗比较小”是非常主管的异断。建议hqeepower能推敲一下。
Io究竟是BOOST的输出电流值还是流过二极管的电流值?是有效值还是平均值?
在这本书里;没有发现注释说明,盼望作者能答疑解惑。
谢谢!
决战
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LV8
副总工程师
  • 2011-6-8 18:15:12
 
俺头这样说过:“二极管不会被静电击穿”,我想想挺有道理,现在许工说可以被击穿,我一头雾水啊,望答疑谢谢
xkw1cn
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  • 2011-6-8 18:18:09
 
这跟结构有关。至于为啥?。。。得等你遇到后问原厂AE了。
呆头鹅
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副总工程师
  • 2011-6-8 21:16:24
 
,有不少东西是吃了亏,才发现自己PDF读得不够细。雪崩耐量就更是一笔糊涂帐
ESD问题还没遇到,能不能提示一下?
fxacfiko
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LV4
初级工程师
  • 2011-6-8 18:25:24
 
学习!
myship02
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  • 2011-6-9 14:59:32
 
此帖要顶,好帖
xiaoliangyl
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  • 2011-6-10 10:11:35
 
大师能帮我解释下:110页第一种情况的传递函数:G(s)=19.4*(1+s/1225)*(1-s/33k)/(1+s/33)和111页第二种情况的传递传递函数:G(s)=19.4*(1+s/5.3k)*(1-s/33k)/(1+s/33)我按照110页上面的公式,把各个参数代进去,得出的传递函数跟书里的差别很大
xkw1cn
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  • 2011-6-10 10:51:02
 
xiaoliangyl
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  • 2011-6-10 11:01:32
 
板主真逗哦,三朵花就算解释了
xkw1cn
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  • 2011-6-10 11:03:34
 
不好意思;还没看到。
前面的三朵花是给你的,花后的小人;代表我正努力中。
xiaoliangyl
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  • 2011-6-10 11:07:50
 
应该反过来才对,花送你自己,小人给我还差不多,跟你们这些大师比起来我还差很远呢,最近给环路补偿搞的头都大了
xiaoliangyl
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  • 2011-6-10 11:10:45
 
好不容易会补偿了,因为不知道清楚整个环路的传递函数,就是不知道怎么验证补偿后的相位余量,
xiaoliangyl
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  • 2011-6-11 10:59:36
 
这本书像是给我们做了个系统的总结,把平时零零散散的知识汇聚在一起,以前一知半解的地方看过这本书很多都能更深入的理解,虽然有些地方不大严谨(可能是我水平有限),但瑕不掩瑜,对一般的工程技术人员确实很有帮助,真是一本难得的好书,相信作者为这本书也付出过很多的心血。
决战
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  • 2011-6-11 14:00:43
 
今晚去买书。
看来此书很给力
myship02
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  • 2011-6-18 09:01:04
 
前几天刚刚收到《环球电源讲义》,确实是很好,很实用。要认真研究。
abc017035
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本网技师
  • 2011-6-21 15:22:09
 
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faithtechhuangbin
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助理工程师
  • 2011-6-23 15:02:08
 
******广告已经删除******
powerliu
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副总工程师
  • 2011-6-30 08:57:24
 
感觉这本讲义写的很一般,大多数东西都是抄袭资料上的。作者既然想写书就要下点心思吧。。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2011-7-2 12:56:58
 
作者从没有说要写书吧,而且书名就叫讲义啊!
你看大学上的课的讲义PPT,全是抄的书上的,或者说浓缩书上的,你当时没想过抗议?
YTDFWANGWEI
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版主
  • 2011-7-11 17:07:53
 
拒绝变帅
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总工程师
  • 2011-7-11 21:45:26
 
其实应该是很多人嫌卖得贵,如果10块钱一本,估计那些骂的也会边骂边掏钱买的~
abc017035
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本网技师
  • 2011-7-11 15:24:32
 
删除广告
6678924
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初级工程师
  • 2011-8-19 17:09:37
 
说实话这本是适合有一点基础的人看。
书非常
mmc_21
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副总工程师
  • 2011-8-20 11:47:28
 
关注
cdzx11
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总工程师
  • 2011-8-25 14:45:43
 
笨小孩1114
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高级工程师
  • 2011-9-16 12:53:18
 
大师,您好!《环球电源讲义》这本书哪里有买啊?大家对这本书的评价很不错,想好好地看一下啊。
拒绝变帅
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总工程师
  • 2011-9-16 17:08:54
 
淘宝有卖的,你也可以直接联系admin看看。
笨小孩1114
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高级工程师
  • 2011-9-18 13:52:09
 
谢谢啦!去看看啦!
ti-chang
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高级工程师
  • 2011-10-10 10:58:56
 
这本书我也有幸得到一本,感觉蛮适合初入门2-5年的朋友们看是一本实践的书!
tom-liang
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本网技师
  • 2011-11-9 11:36:58
 
我也想要一本这书
22世纪电星人
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副总工程师
  • 2011-11-10 13:18:31
 
关注,我也得到这书了
heiyang
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助理工程师
  • 2011-11-24 09:39:37
 
我也得到这本书了,说实话书还是不错的,有点错误那是难免的。
还是要感谢下作者
myship02
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版主
  • 2011-11-13 14:40:05
 
请大家继续讨论《环球电源讲义》
http://bbs.21dianyuan.com/52875.html
fugems
  • fugems
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副总工程师
  • 2011-11-13 17:10:37
 
路过,没有看到此书。
1155050
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高级工程师
  • 2011-11-24 12:54:48
 
是本好书~
she0800
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高级工程师
  • 2012-3-20 22:31:40
 
对新手来说非常好
一个小兵
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高级工程师
  • 2012-9-24 10:08:18
 
这本书的确很好
cx123
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高级工程师
  • 2013-4-8 22:18:39
 
关注
haodeyiwange
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高级工程师
  • 2013-4-17 14:03:10
 
请问这本书还有没有的卖啊?
cxm3141
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高级工程师
  • 2013-10-17 22:46:12
 
路过,走马观花
lailinjun88
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高级工程师
  • 2013-10-18 20:53:00
 
哇 研究的够透彻,,,
batteryli
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副总工程师
  • 2013-10-19 16:37:53
 
书在哪,没看到
cx123
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高级工程师
  • 2014-3-8 11:20:41
 
baiyeyou
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本网技师
  • 2015-12-11 09:51:24
 
有赠书吗  还是 只是讨论
xkw1cn
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版主
  • 2017-6-8 17:20:39
  • 倒数3
 
基本每次活动;都有这本书赠送。
多参加,一定能得到。
admin
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管理员
  • 2014-6-27 11:35:05
 
《环球电源讲义》很喜欢的一本书
zy550sc
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高级工程师
  • 2014-6-27 21:10:36
 
我也在看,但是好多不明白
nongfu
  • nongfu
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高级工程师
  • 2014-8-12 21:27:04
 
此讲义已经正式出版了,京东有卖:
http://item.jd.com/11457837.html

000123
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副总工程师
  • 2017-6-9 07:25:22
  • 倒数2
 
朋友这本和《环球电源讲义》不是一本书!
powervfan
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初级工程师
  • 2014-8-4 15:37:26
 
支持
神采奕奕
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高级工程师
  • 2015-12-2 12:40:14
 
来学习!!
epinnf006
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本网技师
  • 2017-3-30 17:30:47
  • 倒数8
 
这本书很早听同事说过 不过本人手里是没有了  知道了解的不多 希望有机会的话可以得到一本                                   
wenpeng123
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副总工程师
  • 2017-3-31 08:32:09
  • 倒数7
 
好好……
jienengda
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助理工程师
  • 2017-4-12 11:37:19
  • 倒数6
 
可惜手里没有这本书  还希望楼主可以赠送一本让我学习看看
zjxiao886
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初级工程师
  • 2017-6-2 11:43:32
  • 倒数4
 
一直没机会拥有这本书 希望再有送书活动可以通知我一下
浪迹天涯1885
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初级工程师
最新回复
  • 2018-9-21 22:32:09
  • 倒数1
 
讲的不错,围观!!
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