 |  | YTDFWANGWEI- 积分：109861
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积分:109861 版主 | | | CCM+理想情况下。你说的开环输出电压不受控制是什么意思？ |
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| |  | | | | | 我等下传些波形上来吧...
王工所说的理想情况是这么回事,但现实中这些非理想因素基本上改变了这个公式,所以突然发现,这个VIN*DUTY=VO,只教科书上的简便,实际中差距不小 |
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| |  | | YTDFWANGWEI- 积分：109861
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积分:109861 版主 | | | | | 不仅仅需要波形，还需要输入输出参数及分布参数例如MOS管内阻,电感内阻这些参数. |
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| | | | | | | | | | | 这些参数最重要的影响应该是效率，
对以伏秒平衡所计算的占空比增加一个效率修正，应该和实际占空比比较接近。
好像是哪本书上看到过类似的计算方法。
只是一个想法，并未试验验证正确性。 |
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| | | | | 来源于另一个论坛的一个题目,再加上自己目前在测一个BUCK电路:
题目是:
CCM模式下,输入电压不变,负载电流增加:
1. 开环BUCK,Duty变化吗?理由... (如果变化其中稳态与暂态下DUTY是否不同,当然如果DUTY没有变化的话,不必考虑)
2. 闭环BUCK,Duty变化吗?理由... (如果变化其中稳态与暂态下DUTY是否不同,当然如果DUTY没有变化的话,不必考虑) |
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| | | YTDFWANGWEI- 积分：109861
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积分:109861 版主 | | | | 我觉得CCM模式下,如果内阻类占输出电压的比重不是很大的话,闭环占空比应该变化不大吧,另一个问题,既然开环,占空比不就是固定的吗?那里来负载变化占空比是否变化之说?如果占空比变化还叫开环吗? |
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| | | | | | | | | 我曾做过实验，拿反激IC做DC－DC BUCK，一般都是CCM哈，基本没有做DCM的。
OB2273 IC最大占空比限制78%了
输入49V，只恒流反馈，输出空载时候为49V，只要带一点轻载，电压就下降到40V左右，CV档时，超过37V电流就大幅变小，在CV 37V以下才能出得来设定的恒流电流 |
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| | | | | 如果楼主说的是CCM的Vout<Vin*D.
应该是续流二极管导致的。
推导如下：
(Vin-Vout)*Ton/L=(Vout+Vf)*Toff/L
-> Vin*Ton/L= Vout*(Ton+Toff)/L+Vf*Toff/L
-> Vout=(Vin*Ton-Vf*Toff)/T
-> Vout=Vin*D-Vf*(1-D)
如果续流二极管的forward电压无限小，会让Vout=Vin*D |
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| | | | | 补充一下，我发现的问题：也有人提过；
开环Buck，理想情况下，输出理应不会随负载电阻变化而改变，实际仿真时则不然；
输出电阻的减小，会造成输出电压的略微减小；
输出电阻的增大，会造成输出电压的略微减小：
这是为何？？
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| | | | | | | | | 有没有什么具体过程？或相关资料？我把电容的等效串联电阻删去后，还存在，看来是MOSFET等的影响，可我想知道是怎么影响的？版主帮忙解释一下。
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| | | | | | | | | | | | | 这样恐怕需要修改元器件的model了！其实不过想知道器件内阻影响输出电压的机理而已。
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| | | | | | | | | | | | | | | 例如看看MOSFET开通时，D是Vin， S是Vin-Rds*Id，这样真正的输入比Vin稍低，自然Vo也较低了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 你错了，对于某些MOS管而言，譬如我仿真时用的，开环时输出电压Vo比Vin*D高，这是因为MOS管的开关特性所致，实际的占空比不等于施加的占空比。所以，恐怕你这个建议不可行。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 哪里错了？我讲的是MOS内阻影响输出的机理，和MOS开关延迟改变占空比是两码事。
可以在MOS上串联一个小电阻，用来模拟它的内阻，看看用不同的阻值下对输出的影响。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我再看了你上一次的回复，忽然想通了，虽然在值的大小上仍存在问题，但是趋势是正确的；
（1）输出电阻减小，电流增大，MOS管内阻上压降变大，输出电压有所减小；
（2）输出电阻增大同理可得；
按理讲，输出电压的改变量，应为△I*Ron*D；然而，事实变化幅度略大；
这个问题我可以自己解决了~
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 打扰了。。有点小问题还需请教一下
情况一、MOSFET内阻80mΩ，输入电压400V，理想情况下输出电压为320V；
现仿真情况如下：
（1）0-20ms： 负载25Ω；输出电压321V；
（2）20-40ms：负载50Ω；输出电压323.5V；
（3）40-60ms：负载25Ω；输出电压321V；
（4）60-80ms：负载12.5Ω；输出电压为317.7V；
情况二、与MOSFET串联一80mΩ电阻，同样的输入电压及占空比；
（1）0-20ms： 负载25Ω；输出电压320.25V；
（2）20-40ms：负载50Ω；输出电压323V；
（3）40-60ms：负载25Ω；输出电压320.25V；
（4）60-80ms：负载12.5Ω；输出电压为316V；
MOS管导通电阻的确影响了输出电压，这一点没错，且
影响的趋势也是正确的；然而，
（1）现在不看输出电压的绝对值，比较两种情况下的△Vo；
情况二的△Vo理应是情况一相应△Vo的二倍，是吗？？？
（2）然后，再分别看情况一与情况二各自的△Vo值，好像
△Vo并不等于内阻与电流变化量的乘积！
然后，就猜测：
（1）导通电阻是不是造成了什么别的影响，比如实际占空比？？？
（2）或者还有别的因素也在影响输出电压？？？
（3）仿真的问题？？注：仅仅是简单的开环电路。（4）我的仿真参数（如驱动电压不够高）情况下，内阻并非80mΩ？？
你觉得该如何解释，方才通顺？？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你是在论坛网遇到的第二个热心人。顺便把我另外两个疑问拉出来，如果你有相关方面的研究，请你帮忙指导一下，谢谢！
疑问一：测试一个4kW的Buck电路，可以测到2kW，但发现只能看到瞬间的功能实现，持续时间长的话，会
出现MOS管栅氧击穿的问题，不知怎么回事儿？
电路中实现在栅源间并有稳压二极管；有人说在稳压二极管不能吸收瞬态尖峰；于是，我打算下一步在栅源
间并联两个TVS二极管，这个还没有实测；你觉得这个方法是否有效？是否有别的更有效的方法？？
疑问二：Buck电路中添加了软开关ZVT结构；Buck电路中MOS管的驱动采用自举原理法，用IR公司的驱动芯片；测试软开关时，发现异常状况【没添加软开关时，波形正常，栅源驱动信号良好】，具体情况如下：
（1）在scope11中，红色为主功率管栅源驱动信号波形；蓝色为主功率管驱动芯片VBS波形；
由图可以看出，栅源驱动信号波形顶部不平，这源于自举电容储能不够，然而换为调节自举电容值至10uF，依然没有改善；且没有ZVT时波形正常，难道因为ZVT的引入缩短了主功率管驱动芯片自举电容的充电时间所致？？？
(2)在scope14中，红色为辅助功率管驱动芯片的VBS波形，蓝色为辅助功率管Vgs；首先辅助功率管的栅源波形在两个管子均关断期间有一个平台期，大概1-2V的样子。
初步猜测是主功率管vds耦合所致，然而接着又推翻了自己的猜测，如果是主功率管耦合所致，那么辅助功率管的vds也应能够耦合到主功率管vgs上，可在主功率管vgs上并未看到平台期。
（3）在图片1中，蓝色为辅助功率管vgs波形；红色为主功率管vgs波形；绿色为谐振电感电流波形；注：谐振电感自己绕制，总感觉不是很放心。由谐振电感电流波形，可看出，谐振应该是实现的，但接下来有一个更有趣的现象。
（4）基于前面栅源波形不够好，然后调节自举电容容值，如此栅源波形的确有改善，如图片2所示，绿色为辅助功率管栅源波形，红色为驱动芯片VBS波形，蓝色为谐振电感电流波形；
由该图可看出，自举电容容值增加后，辅助功率管栅源波形顶端的确良好，然而！！！自举电容容值仿佛影响了谐振，谐振电感电流波形不对，理论上而言，二者不应该有什么牵连，这一点始终没有想通。
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ZVT Buck
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主功率管
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辅助功率管
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scope15
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 输出电阻的降低会导致输出电压有所降低，电阻的增高则导致输出电压升高。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 回24楼：
其实Vo不是这样按比例变化的，如下
假设只有MOS是不理想的，其余都是理想器件，为方便解说，又假设电感电流IL是一平直电流，
电感伏秒平衡：(Vin-IL*Rds-Vo)*D = Vo*(1-D)
又有： IL= Io= Vo/RL
最后得： Vo＝ Vin*D/(1 + Rds*D/RL)
回27楼：
1. 有时栅极可能出现高压寄生振铃，损坏MOS，试在接近栅处串一10欧左右电阻作阻尼。TVS也不妨一试。
2. IR的驱动IC未用过，不敢乱说。第4点谐振电流改变，唯有围绕它的电容电阻改变，才有可能？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1.嗯，你对于24楼的补充很有道理，我之前进入误区了，忽略的因素太多了；
当初我的想法是，比如负载为Ro时，输出电流为Io，则
MOS管内阻上承受压降Io*r；
在电容，电感无穷大时，VS处电位的直流分量等于Vo，因此MOS管内阻所致的输出电压的变化
应为Io*r*D;
同样当负载为2Ro时，输出电流为Io/2，于是MOS管内阻所致输出电压变化为Io*r*D/2。
所以，得出△Vo=Io*r*D/2。
2.（1）栅极的确串联有电阻，可能阻值有点小吧，3-5Ω，担心太大影响上升沿；
（2）软开关就不提了吧，你也没整过这块东西，只是自举电容的变化实在不该引起谐振电流波形的变化，
不知道板子上什么非理想因素干扰了.
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