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 |  | | | | 自己的一点感想：
6N136的二极管导通压降约为1.5v，电流传送比取为1/8。对于3.3v系统驱动电流取8mA，则驱动电阻为220。这样就能保证快速的开通时间，并且低电平可以拉至0.1-0.3v。负载电阻取5.1k，关断时间约为2us，开通时间为约为174n，至少可以适应100k的传输速率，如果对传输速率要求很高的话，可以适当减小负载电阻的值。 |
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| | | | | 对于5v系统，为保证驱动电流8mA驱动电阻取430欧姆即可。
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| | | | | 下面说一下6N136本身的延迟时间测试：
测试原理图如下： |
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|  |  | | | | | 好，问个简单问题，光耦原边导通，副边怎么导通的？副边三极管基级好像接的是光电二极管，那个光电二极管好像是反的，光电反的可以流电流马？ |
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| | | | | | | | | 呵呵，这个问题问的好！说实话，刚开始接触的时候我也不明白，也有你这样的疑问！ |
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| | | | | | | | | 首先你要明白6N136的输出侧是一个光敏二极管，然后你要明白光敏二极管的工作原理。
光敏二极管与普通光敏二极管一样，它的PN结具有单向导电性，因此，光敏二极管工作时应加上反向电压。当无光照时，电路中也有很小的反向饱和漏电流 ，一般为1 * 10<sup style="margin:0px;padding:0px;color:#3e4655;font-family:Arial, 'Liberation Sans', FreeSans, sans-serif;line-height:25px;text-align:justify;">-8[/sup] — 1X10 <sup style="margin:0px;padding:0px;color:#3e4655;font-family:Arial, 'Liberation Sans', FreeSans, sans-serif;line-height:25px;text-align:justify;">-9[/sup]A(称为暗电流)，此时相当于光敏二极管截止;当有光照射时，PN结附近受光子的轰击，半导体内被束缚的价电子吸收光子能量而被击发产生电子一空穴对O这些载流子的数目，对于多数载流子影响不大，但对P区和N区的少数载流子来说，则会使少数载流子的浓度大大提高，在反向电压作用下，反向饱和漏电流大大增加，形成光电流，该光电流随入射光强度的变化而相应变化。正是利用了这一特性从而将变化的光信号变成了变化的电流信号。
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| | | | | | | | | | | 说了这么多，意思就是无光，二极管截止，有光，二极管漏电流大，从而打开三极管的EC结？ |
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| | | | | 从上面的3个测试波形中可以得出：
从测量点1的波形中可以看出二极管的管压降约为1.5v
开通时间器件本身延时约为286ns |
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| | | | | 从上面的图形中我们可以看到参考高电平为4.5v，为90%VCC，延迟时间为2.16us。 |
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| | | | | 上面三图为在负载电阻一致的情况下，改变驱动电阻得到的折线图，从图中可以看出关断时间基本不随驱动电阻的变化而变化，开通时间随着驱动电阻的变大而变大。因此要改变开通时间的值的话，就要选择合适的驱动电阻的值。 |
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| | | | | 下图为 驱动电阻为220，则驱动电流为（3.3-1.5）/220=8mA时所测关断时间与开通时间的波形图。
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| | | | | 由以前的实验结果得知在驱动电阻为220欧，负载电阻为5.1K时关断时间值接近2us，为进一步减小关断时间，设想通过上图所示的电路来实现，R3为1k的电位器，通过调节其阻值观察关断时间的变化。
结果发现关断时间基本保持不变，反而开通时间有所加长。 |
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| | | | | | | 从测试电路图也可以从理论上看出开通时间随着R3的减小而增加，上图即为在光耦刚刚可以运作的情况下的开通时间，达到1.44us。 |
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| | | | | 为啥大家都观而不语呢？这种看帖的习惯可不好哈！！！  ，观而不语者，要被打屁屁的！！！ |
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| | | | | | | 为什么观而不语呢，是因为大家没看到你这样详细分析的意义，体会没到那个深度，更多的只是看有光、无光 |
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| | | | | | | 不错的帖子，收藏之！该顶！
我早些时候用这中东西传输过PWM，后来效果不好，不知道是电路不行还是参数没有搞好，不了了之了，后面用了硅隔离器件，所有烦劳一扫而光了！ |
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| | | | | | | | | 硅隔离器件是什么东西？能简单介绍一下吗？价格高不？ |
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| | | | | | | | | | | 搜索SI8420，价格2元多， 我大批量再用的器件，速度可以上M，么有光耦的那些麻烦。高地电平很漂亮的说！ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 很好用的，而且系列很多，以满足不同应用，其中有些是带驱动输出的，驱动电流超过4A |
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| | | | | 6N136差不多就是这个速度，不能满足一般工程需要，还是用6N137吧。
此外，楼主的参数比较偏，一般这类电路，原边驱动电阻R1不宜大于300R，付边负载电阻R2不宜大于1K，出来的波形才好。 |
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| | | | | | | | | | | 苍老师，还行，上课时语言不多，就那么几个字，能表达清楚就行了， |
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| | | | | 楼主，请教个问题，一般的光耦在高温（100度）下光电三极管的CE漏电流大概有多大？有可能超过30uA么？ |
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| | | | | | | | | 不好意思，之前没有看到，在高温下漏电流的大小和具体的工作电压Vce也是有关系的，但是一般的光耦，在正确的应用下漏电流在100度下是不会超过1ua的 |
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