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| | | | | | | 这个电阻不用,关断速度会很快的,但是,VEBO电压会超的哇,我实测,电阻取值500R的时候,VEBO电压有4.95V关断速度70NS,取值1K的时候,电压为3.95V左右关断速度120NS, |
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| | | | | | | | | 加这个电阻减慢关断速度,加三极管又是为了加快关断速度,有点晕 |
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| | | | | | | | | 这个一般用2907,但前面一般都没电阻啊
好像也没出现不良哦 |
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| | | | | | | 没有负压的时候,这个电阻只在开关时刻有损耗,因为这个时间很短只有数十nS,在频率不是极高的情况下功耗不是主要考虑因素,要考虑的是三极管基极的峰值电流,对于像2sb772这些管子IBM可以去到-2A((tP < 5ms),这个电阻用数十Ω就可以了(从尽可能快的管短时间来看),S8550这些管子规格书上并没有IBM这个参数,但在一些标注参数给定的测试条件是有50mA,我们可以认为50mA是安全的,vcc=12V时基极电阻取300Ω是合适的,取得太大就起不到快速关断的作用啦...至于VEBO,如果IBM没有超出安全值,VEBO应该也是安全的。
以上纯属个人观点 |
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| | | | | | | | | 谢谢武哥哥的回复哇,但是如果取值300R的话,驱动电压为15V的时候,那么三极管的VEBO电压肯定是要超过5V的,因为这个电阻取值500R的时候,VEBO电压有4.95V了,电流是可以的,但是VEBO会超出范围的啊。
我现在做了个实验,把这个电阻取值22R,现在实测VEBO电压为7.6V左右(忘记了,反正超VEBO额定值很多),工作了一天管子没有坏的哇,我的用的PBSS5140
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| | | | | | | 小功率,用过二极管是可以的哇,大功率的时候,关断速度和效率有很大的关系了哇 |
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| | | | | | | | | | | 二极管加速和三极管加速是有明显区别的,特别在米勒临界处,张工上图给脖导看看 |
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| | | | | | | | | | | 目的有2个的:
1 ,可以加速关断MOS,在大功率电源中,MOS关断速度快可以提高效率的,大功率电源的MOS的CISS都比较的大的。
2,可以抗干扰, |
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| | | | | | | | | | | | | | | 可以看到当电阻取值为22R时候关断速度为36.8NS,但是VEBO的电压为7.16V远远超过了VEBO的额定值5V,但是工作一天也没坏的哇,为什么呢? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 能否用一个小电容,比如几十到100个pF,把这个尖峰消减掉。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 尝试用MOS管关断看看。我觉得用300欧的限流电阻问题不大。这个5V的东西要是有厂家工程师来回复就更专业了。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 我的使用情况
输入功率:240W
驱动芯片: L6562AD
MOS: FDPF18N50
栅极电阻:15欧
基极电阻:0欧
三极管: 9012
测到Vb峰值5V左右
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 波形很漂亮的哇,标准的驱动波形,慢开快关体现的淋漓尽致哇。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 你这个取电阻为0R的都安全的哇,不错。我的取值到1K才是合理安全的,我今天把电阻取值到0R(VEBO远大于5V),放在55度的烤箱中工作了一天,也没有问题的,我猜想可能和IBM还是有很大关系的。 |
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| | | | | 问题1: max_Vebo = -5V,这个地方的规格是说发射极不能小于基极电压5V,也就是保证eb的pn结不能反偏大于5V,而你帖子中所有的电压,pn结都是正偏,当然不会击穿三极管了。
此时三极管是否击穿,主要看它的电流能力了。 |
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| | | | | | | 感谢您的回复,我好像有一点明白了,惭愧,我一直对PNP三极管规格书上的参数的意思搞的很模糊的,天天搞电源,倒是对MOS的参数意义比较的熟悉。
那么VEBO=-5V的意义在于要保证eb的pn结正偏,那么我示波器测试的VEBO的波形有什么意义呢?
请电工大侠帮我解惑哇, |
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| | | | | | | | | | | 谢谢,当驱动为高电平的时候,由于MOS的CISS电容很大,那么势必会导致在开机瞬间VE的电压要小于VB的,那么就会导致VB>VE,当这个电压大于5V的时候,三极管就会有危险了的吧,也即是VEB<-5V,那么我现在测试的波形中(示波器直径勾在B-E之间),这个电压超过了5V,我想知道我这个波形有没有意义呢? |
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| | | | | 第一,电流支路分为两路。一路是Q3的EC,一路是R7。
确定电流Iin=12v/(Rec+R7) Rec是未知的,R7是常数。算这个电流的原因,用来回答为啥导通情况下为啥不烧管子,因为烧管子要满足电流,电流过大才会烧管子。
所以在这里就可以来合理的选择R22,R7来得到一个比较小的IEC电流,以保证Q3不被烧毁。
Rec包含了一个电流源以及E级电阻和C级电阻(直流脉冲,不要理解成AC,否则R22也是输出电阻,记住这里Q3是开关作用)。
Rec、R7共同组成了Q3的输出电阻,由于mos是电压器件,他的输入阻抗忽略。
求Q3的Rec???
(思考,R7不要会不会烧管子?为什么)
第二,算电压Vb,根据bjt的等效模型,下图是比较精确的模型。
VBEO是由厂家给出的,定义是在open C的时候 BE的最大容许的反向电压。
根据模型,VB的最佳电压应该是以不达到最大IC而导致的Q3击穿为条件,那么只要选择足够大的放大倍数就ok了,减小开关从截至
到导通饱和的过渡时间。从而减小过渡导致的IC变大。
根据模型以及第一步,等到的Iin,那么Vb=(Ibc反向泄漏电流+Ib+Ie)(Re+Rb+Vth
第三,算最佳R22
R22的最佳值的关系是由他所参与组成的时间常数而决定的,那么就是由三极管模型的CB'C'、CB'C'两个参数(仔细看图示!)。
即:t(套)=R22*CB'C'*CB'C' 那么由该式子就知道,改变R22可以改变反向恢复时间。
那么最佳值是由你自己的要求的范围来决定的!(当然是调试出来的 )
解释完毕。
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| | | | | | | 如果将此电阻换成SS12确实可以解决计算问题,且关段速度很快,但是在实际的电路应用中,我把该电阻换成LL4148,在自举驱动电路上,驱动电压会被吃掉一部分,比如高端的自举驱动电压为13V,将该电阻换成LL4148后,驱动电压变成10V左右了,理论上不至于这样的哇,但是实际确实这样的,我猜想和改二极管的寄生参数有关。但是低端的驱动波形挺好,高端驱动会被吃点一点。故用二极管替代用在低端,或者不是自举驱动的应该很好。
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| | | | | | | | | 你12楼的图看VEBO很小啊,直接用0欧可以了,正向那个是正向恢复电压哇
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| | | | | | | | | | | 武哥哥,我示波器测试的时候是故意反向了的哇,哈哈,纵观各大公司的批量生产的电路,次电阻基本都是取值1K的,但是我是不知道是这么计算的。 |
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