| | | | | 计算通态损耗应该是可以用I*I*Rds这个公式的吧,你用这个公式计算误差有多大?一般的mos都会给出能够承受多大的短路电流多长时间的,从而我们可以控制检测VDS的带到设定值的时间的方法来设置具体的短路保护时间。现在的IGBT大多也都是这样做的。 |
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| | | | | | | 如果是利用瞬间上下桥臂短路来计算,取直流母线电压360v ,导通电阻取datasheet最大值0.11(45N60),此时电流为360/0.22=1636A,耗散功率为1636*1636*Ron=294545W,再求Zjc=109/294545/0.3=0.00113 ,这个值在表中根本就查不到了,按照曲线往下推测这个值至少低于1us了,这个时间太短了吧?常理说mosfet短路撑个10us应该不成问题吧? |
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| | | | | | | | | 电流实际没有那么大,你忽略了回路中线路的电感和电容的分布参数的影响。只要按照datasheet中给出的时间进行正确的设置是没有问题的,没必要去按照你的这个方法去计算,因为好多参数你都是没有办法准确知道的。 |
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| | | | | | | | | | | | | 或者说基本上这个类型的mosfet都有个大致的时间参数?比如20us或者10us(看igbt常用这个值),这个时间应该和母线电压也有一定的反比关系吧? |
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| | | | | | | | | | | | | | | 看了一下你所给出的datasheet,不知是否可以根据这个来决定短路保护时间呢?平时设计一般都是时间越短越好。
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| | | | | | | | | | | 果断要支持啊 ,只想讨论出来一个满意的结果,让其他看到这个帖子的时候也能有所得嘛 |
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| | | | | | | 哎我发现我看到的计算过程就是这个文章的节选。这里仍然是用的母线电压除以导通电阻算的短路电流,关于线路附加的寄生参数只是说很小就忽略了。。。还有datasheet中的安全工作范围貌似也不包括短路时的情况,这里最大电流也只有不到200A,而短路时要大于1000A的样子。难道需要破坏性实验先测一测短路电流么。。。 |
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| | | | | | | | | 你看一下安全工作范围的那个图,个人认为不同的VDS在同样的电流下对应着不同的损耗,而我们要控制这个损耗不超过安全工作区域,所以我们控制在短路的时候,VDS达到一个安全的电压立刻就保护就可以了。 |
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| | | | | | | | | | | 是这样的,当电流达到一定数值在mosfet内阻上达到一定压降的时候保护动作,就是说从电流上升到一个特定值保护动作,现在考虑的就是保护需要避开我驱动信号的死区时间,在这段时间内保护是不会误动的,但是从电流上升到保护值这个时间点到保护动作这段时间,短路电流还在上升,我就是想知道保证这段时间内温升不会过限,有没有什么具体的计算方法,或者从datasheet中能看出来也可以。因为我这也不是做批量产品联系厂家的事还是算了吧。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | 为了安全起见,是否可以考虑将VDS的值设置为几倍的额定电流立刻就保护(也就是设置的小一些),这样即使存在你所说的电路延迟时间(当然这个时间要越短越好),电流会爬升一些,但是也不会超过MOS的最大功耗。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 现在看来也只能这样了,在避开死区延时的情况下尽量缩短延时时间,具体整定的话到时候炸几回管子应该就能定下来了 。多谢您的回答了~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 不客气,以后多交流,短路这东西不是好玩的,先把电源的其他实验做完了再进行这项测试吧 |
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| | | | | | | | | 那个图只是给出了一部分,你看一下9楼的图给的更加详细(给出了更大电流的安全工作区域),你所用的那个MOS可以咨询一下厂家。 |
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