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未解决

咨询几个关于传统半桥硬开关

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1
dianyuanlearner
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高级工程师
  • 2013-3-16 00:12:45
10问答币
如图传统硬开关半桥拓扑(输入176~264V,输出800W),有几个问题想请教一下大家:
1.请问如何确定这两个储能电容C1 C2的容值大小?
2.功率管V1 V3两端是否有必要增加RC吸收还是用如图的R3 C3吸收方式?如果用后者,那么R3 C3又该如何确定合理值?
3.副边采用全波整流方式,滤波电感值是否和全桥计算方式一样的?
以上,还请各位帮忙指点一下,

谢谢



dianyuanlearner
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高级工程师
  • 2013-3-16 21:23:24
  • 倒数5
 
恳请各位大神不吝指教!
YTDFWANGWEI
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版主
  • 2013-3-17 12:07:00
  • 倒数4
 
1、电容容量大小跟输出功率,可以按照反激输入电容方法计算。道理是一样的。
2、如果是MOS管可以不加,只在变压器原边加个RC即可。
3、对于全波整流还是桥式整流,整流后的波形及频率是一样的,因此电感计算方式一样。
dianyuanlearner
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高级工程师
  • 2013-3-17 16:42:11
  • 倒数3
 
谢谢了
dianyuanlearner
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高级工程师
  • 2013-3-17 17:00:01
  • 倒数2
 
王工,按照反击电源输入电容计算,800W输出功率所需输入电容容量为1300UF左右,岂不是要拿两个200V/3000UF的两个大电解来串联?怎么会这样?
我按照的是反击电源这个计算公式:

环城曦阳
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本网技师
最新回复
  • 2020-5-17 18:37:39
  • 倒数1
 
1,从图上看,您没有加隔直电容,我默认您是想通过C1,C2去实现偏磁校正,那么C1,C2容量可以按照带满载情况下,C1,C2中点电压峰峰值变化为5%-10%VIN去选取。如果您想的不是上诉所想,那么需要加隔直电容,隔直电容容量选取仍然是电压峰峰值变化为5%-10%VIN,

2,采用MOS管就不需要加吸收,漏感震荡过大会通过体二极管去钳位,当然会引起体二极管恢复等问题。归根结底,还是因为漏感引起,您只需要尽可能的把漏感做小即可。R3,C3我没有看出具体作用,您是想对绕组吸收吗?我认为没有必要加,次级整流管加吸收就可以了。

3,和全桥一样

半桥比较忌讳的就是瞬态下,初级绕组电压偏离1/2VIN,只要把这个解决好了,就没有大问题

如果采用同步整流,需要处理好能量双向流动的问题。
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