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讨论:反激式开关电源RCD吸收电路的设计

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伟林电源
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  • 2010-4-28 22:38:58
在讨论前我们先做几个假设:
1、开关电源的工作频率范围:20~200KHZ;

2、RCD中的二极管正向导通时间很短(一般为几十纳秒);

3、在调整RCD回路前主变压器和MOS管,输出的参数已经完全确定。
伟林电源
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  • 2010-4-29 13:01:51
 
有了以上几个假设我们就可以先进行计算:

一﹑首先对MOS管的VD进行分段:
1、输入的直流电压VDC;
2、次级反射初级的VOR;
3、主MOS管VD余量VDS;
4、RCD吸收有效电压VRCD1。

二﹑对于以上主MOS管VD的几部分进行计算:
1、输入的直流电压VDC。
在计算VDC时,是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V,即DC375V。
   VDC=VAC*√2
2、次级反射初级的VOR。
VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的,
如输出电压为:5.0V±5%(依Vo =5.25V计算),
二极管VF为0.525V(此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值).
VOR=(VF+Vo)*Np/Ns
3、主MOS管VD的余量VDS.
VDS是依MOS管VD的10%为最小值.如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V.
VDC=VD* 10%
4、RCD吸收VRCD.
MOS管的VD减去1、3三项就剩下VRCD的最大值。
实际选取的VRCD应为最大值的90%(这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性,温度漂移和时间飘移等因素得影响)。
VRCD=(VD-VDC -VDS)*90%
後會絠萋
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  • 2010-4-29 13:14:57
 
这个问题是值的讨论。我建议,凡是经典讨论贴,在最后,各位版主应该综合大家的观点来个总结,给出一个普遍认可的答案。
huarley
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LV2
本网技师
  • 2012-9-26 20:07:48
  • 倒数2
 
值得学习。我想请教RC可以用电压吸收器代替吗?如果可以它是如何选取的,效果跟RC有什么区别吗?如下图显示:
lsylsylsy5
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LV6
高级工程师
最新回复
  • 2012-10-1 12:20:26
  • 倒数1
 
请问楼主,VRCD是代表哪两端的电压?谢谢
伟林电源
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  • 2010-4-29 13:59:07
 
注意:

1、VRCD是计算出理论值,再通过实验进行调整,使得实际值与理论值相吻合.

2、VRCD必须大于VOR的1.3倍.(如果小于1.3倍,则主MOS管的VD值选择就太低了)

3、MOS管VD应当小于VDC的2倍.(如果大于2倍,则主MOS管的VD值就过大了)

4、如果VRCD的实测值小于VOR的1.2倍,那么RCD吸收回路就影响电源效率。

5、VRCD是由VRCD1和VOR组成的VRC时间常数T确定.

T是依开关电源工作频率而定的,一般选择10~20个开关电源周期。
deltaups
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LV6
高级工程师
  • 2010-4-29 19:31:16
 
樓主,我想請教下,這些值是經驗值還是有理論依據呢!
伟林电源
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  • 2010-4-29 22:19:25
 
1楼为理论计算值,3楼为经验值。
lgdyl1983
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LV8
副总工程师
  • 2010-8-30 14:27:47
  • 倒数7
 
反激式开关电源RCD吸收电路的设计

反激式开关电源RCD吸收电路的设计!!!.pdf

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nightyjl11
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LV6
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  • 2010-4-30 12:20:45
 
请继续,供后来者学习.
go123
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  • 2010-7-21 16:07:06
 
伟林班主, 2、VRCD必须大于VOR的1.3倍.(如果小于1.3倍,则主MOS管的VD值选择就太低了), VRCD是不是等于VOR加上初级漏感和次级漏感引起的电压吗?如果VRCD小1.3倍那么是不是意味你第3点所说影响吸收电路效率或者漏感产生对MOS的电压很小,与MOS的VD有关系吗?
伟林电源
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  • 2010-4-29 22:34:40
 
三﹑试验调整VRCD值
首先假设一个RC参数,R=100K/RJ15, C=10nF/1KV。
通上市电,应遵循先低压后高压,再由轻载到重载的原则。
在试验时应当严密注视RC元件上的电压值,务必使VRCD小于计算值。如发现到达计算值,就应当立即断电,待将R值减小后,重复以上试验。
(RC元件上的电压值是用示波器观察的,示波器的地接到输入电解电容“+”极的RC一点上,测试点接到RC另一点上)
一个合适的RC值应当在最高输入电压,最重的电源负载下,VRCD的试验值等于理论计算值。
dwl15858
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LV6
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  • 2010-5-4 23:39:14
 
学习了
伟林电源
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  • 2010-5-5 10:54:53
 
四﹑试验中值得注意的现象
输入电网电压越低VRCD就越高,负载越重VRCD也越高。
那么在最低输入电压,重负载时VRCD的试验值如果大于以上理论计算的VRCD值,是否和(三)的内容相矛盾哪?
其实一点都不矛盾,理论值是在最高输入电压时的计算结果,而现在是低输入电压。
重负载是指开关电源可能达到的最大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。
magic
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  • 2010-7-21 17:53:38
 
做个记号,关注中
cmg
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  • 2010-7-21 21:42:53
 
这个值一般考实验,计算一般不准确,原因来自几个方面:1)漏感不准确,漏感并不全是变压器漏感,好包括布板等引起的漏感,2)D的回复时间有举足轻重的影响,用UF4007, 1N4007结果差距太大。
go123
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  • 2010-7-22 08:50:19
 
敢请问大师,这几点:
2、VRCD必须大于VOR的1.3倍.(如果小于1.3倍,则主MOS管的VD值选择就太低了)

3、MOS管VD应当小于VDC的2倍.(如果大于2倍,则主MOS管的VD值就过大了)

4、如果VRCD的实测值小于VOR的1.2倍,那么RCD吸收回路就影响电源效率。

是不是一个很好的实验目的的参考呢????
伟林电源
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  • 2010-8-18 00:30:04
 
确实如此,不知道cmg有更好的办法吗?
go123
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LV6
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  • 2010-8-26 11:13:07
 
伟林班主,Vrcd大于VOR的1.3倍,可能1.5倍,2倍,还是多少呢?不同的值可能有不同的效率,谢!
龙虾
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  • 2010-7-24 22:44:16
 
伟哥的帖子,必须顶。。。
nc965
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  • 2010-8-26 12:03:40
  • 倒数10
 
强贴,现在才看到。
oyangao
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LV6
高级工程师
  • 2010-8-30 09:20:58
  • 倒数9
 
好贴,学习了!
powerliu
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  • 2010-8-30 12:55:19
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RCD吸收,我都是按经验来取,好像算出来也不大准,
比如,R=100K,C=2N,和R=180K,C=4N7差不 多。。
hk2008
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  • 2010-9-4 17:02:29
  • 倒数6
 
不知道你是如何取舍的,我是把开关管地电压控制在安全范围内,就算可以了。若是看波形的话 ,怎么看?
powerliu
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  • 2010-9-5 19:02:32
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把开关管地电压控制在安全范围内,这个是当然要的,但还要看其它的因素,比如温度和EMI,还有就是效率,这个对小功率电源来说,特别重要。
powerliu
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  • 2010-9-5 19:06:59
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hlp330
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  • 2010-9-5 22:26:07
  • 倒数3
 
RC的选取其实要注意很多的,也就是一种效率与电压抑制的一种平衡,也就是刚好吸收漏感尖峰,这些可以从波形上面看出来。不错很多时候都是取经验值了
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