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可编程高压电子负载

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xkw1cn
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  • 2010-4-29 14:39:40
这是DIY的高压电子负载电路的功率子电路系统,是电流型负载特性。额定功率180W。可以多个子电路并联;实现积木化结构,很容易扩充。且每个子电路即可以独立工作;也可以由上位逻辑控制。
如果可变电阻用数字电位器实现,则可以用上位机程序控制负载电流。实现全自动化测试。
WANGYUREN
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  • 2010-4-29 14:47:16
 
U2干啥用?
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  • 2010-4-29 15:04:12
 
做冲击负载控制,由逻辑信号直接驱动。
WANGYUREN
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  • 2010-4-29 15:06:10
 
那样CC反馈环会否开路?
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  • 2010-4-29 15:12:34
 
不会!冲击逻辑只是将驱动信号短路,反馈环路仍然有效。
WANGYUREN
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  • 2010-4-29 15:21:52
 
被旁路的驱动信号是CC控制运放输出的。
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  • 2010-4-29 15:27:40
 
就是在一定时间里;把驱动信号短路,负载关闭。另一时间里将负载打开;进入设定负载状态。
WANGYUREN
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  • 2010-4-29 15:53:57
 
驱动信号短路→Q1截止→R5上无压降→358反相输入端电位<同相输入端电位→U1输出高电压(输出端高电位饱和)。
xkw1cn
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  • 2010-4-29 16:32:57
 
继续
WANGYUREN
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总工程师
  • 2010-4-29 16:42:27
 
一般的CC模式电子负载根据俺的使用感受,带负载开机时对RCC或QR变换器都比较挤兑(可能是输出电压没建立起来时无CC反馈信号造成电子负载开环工作的原因),但是不敢确定。
long223349
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  • 2014-11-2 19:44:16
 
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long223349
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  • 2014-11-2 21:57:18
 
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blueskyy
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  • 2010-4-29 16:33:02
 
此分析严重赞同!我觉得搂主电路有个重要的缺陷。当U2 关断时刻,因为运放从饱和退出到放大,受到摆率的限制 ,需要一定的时间。这个时候将会出现大的电流尖峰。所以一定不要运放进入饱和VCC ,让运放接成跟随器的形式(请看名"改进"附件中红色的部分)。为了克服这两个光耦器件本身的时间延时的影响,人为地让靠近Mosfet的光耦时延长一点 而加了一个电容 ,也可在它的驱动级加。故意让后面光耦动作慢于前面的。电路没有实验过,不知道效果。哈哈
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  • 2010-4-29 16:36:14
 
你忽略了一个严重参数!FET的栅电容!有了它;一切将变得美好!
WANGYUREN
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  • 2010-4-29 16:37:01
 
将你的图放出来:
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  • 2010-4-29 16:40:03
 
无需增加光耦。如果真这样接了;问题就大了。可能在可变电阻那里加高电平来的可靠。
blueskyy
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  • 2010-4-29 16:47:14
 
不是说一定要增加另外一个光藕, 只是为了表达一个思想: 这里要增加一个要与U2 同步动作的开关.
xkw1cn
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  • 2010-4-29 16:47:53
 
你看;我用的栅电阻是不是比你平时用的大多了
blueskyy
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  • 2010-4-29 16:40:14
 
G-S 电容不够, 延时效果不明显.这里加电容, 还有一个目的:暂时的记忆作用,,,, 你是怎样将图放出来的,我一直不知道怎样弄的. 只好用文件的方式哈哈,很不方便.
xkw1cn
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  • 2010-4-29 16:45:12
 
将图画好后;用键盘右上角的“PrtSc”键做屏考备。再在画板里粘贴。用剪切功能切下你要的部分,再建立新画板文件,点“粘贴”,保存成JPG格式就可以了。
blueskyy
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  • 2010-4-29 16:49:04
 
哈哈 , 是的.
xkw1cn
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  • 2010-4-29 16:46:39
 
延时常数是栅电容和栅电阻的乘积。可以用栅电阻调延时啊!
blueskyy
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  • 2010-4-29 16:54:21
 
也行. 不知道要选多大的电阻才能找到合适的时延,,多试试. 幸运的是MOSFET 输入端(高阻输入)不吸取电流.,是压控型的. 要是流控型的话,栅电阻会导致驱动能力不足。
xkw1cn
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  • 2010-4-29 16:56:01
 
建议按我的值试试
blueskyy
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  • 2010-4-29 19:09:51
 
仔细想了想,如果栅电阻R4大小选择合适的话,你的电路图是对的。上班时没有仔细考虑好。光藕三极管ON ,将Q1关闭,反馈开环,运放饱和输出VCC ,VCC→ 光藕三极管通过R4限流→到地。U2 驱动信号解除,光藕三极管OFF, 此时刻反馈环路没有建立,因为此时刻MOSFET G-S 电压尚未建立到开通值。VCC→ R4→栅电容 充电。第一次到达V g-s开通值,MOSFET 工作点开始由截止区移向放大区,反馈环路开始建立,此时运放的输出从VCC被强制下拉,同时 运放输→ R4→栅电容 继续栅电容对充电,但不是以VCC的值充电。也就是说:运放的输出一方面下降,mosfet的V g-s同是也在增加。由于负反馈的作用很快就达到平衡 即:运放的输出不再下降,mosfet的V g-s也不再增加。如果栅电阻和栅电容组成的RC时延足够的话,MOSFET Ids,将不会出现过冲尖峰。假如,栅电阻和栅电容组成的RC时间常数足够小,RC响应速度比运放负反馈调整速度还要快很多,并且假设Mosfet也能快速的响应,Ids的过冲尖峰将不可避免。。。如果G-S 到Gand 不额外增加电容延时的话(增加电容目的:让运放输出值缓慢到达MOSFET 的G-S,强行地让运放等待负反馈的调整),这里的运放需要高带宽的运放。浅浅分析供参考。另外,请问R2 100欧姆的用意是??是开机 阻尼C2和走线电感的震荡吗?请教 请教。
再补充一下:假如我们故意在负反馈回路加一个电容,人为地降低反馈速度 如图:在U2 驱动信号解除,光藕三极管OFF瞬间会有什么发生?Ids的过冲尖峰电流有吗?做个实验 并不断地增加这个电容100U F,1000UF 再看看光藕OFF瞬间,Ids会有什么情况发生?
这一切,都是让运放开环的后果。所以,我觉得不要让运放开环为好。
决战
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  • 2010-4-29 19:33:37
 
请问为什么要采用高带宽的运放呢?而且一般的运放带宽都已经很大了吧。R2和C2应该是个吸收纹波用的吧。呵呵
有待许工讲解。
blueskyy
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  • 2010-4-29 19:57:03
 
因为在U2驱动信号使能的时候,运放是开环状态的。为了能迅速地从饱和状态回到放大状态,需要高摆率的运放。运放的摆率和带宽正相关。
xkw1cn
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  • 2010-4-30 00:13:42
 
这里的R2和C2是标准用法。这个RC抑制了外环路的电磁噪音。另外;运放输入接10K电阻也是起保护作用。即便此时由于某种原因;AC220V或类似等级电压通过10K电阻到运放输入端,运放本身不会损坏。
blueskyy
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  • 2010-4-29 20:20:36
 
为了提高跟踪能力和电流精度,建议 运放的“-”和输出之间并联一个电容,如图(红色部分)。
xkw1cn
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  • 2010-4-30 00:09:54
 
这电容起了积分效果,实质上抑制了运放的响应。在这里起了矫正系统响应;提高稳定度的作用。即便不加积分;该电路是稳定的,因此;不建议这样用。
blueskyy
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  • 2010-4-30 08:23:31
 
是的,负端和输入加电容的确是利用积分思想. 目的是, 克服运放同相和反相间微小 再微小的 以致运放都不能检测的"差摸"信号带来的误差. 理论上运放对多么细小的差摸信号都能起反应,但实际上不是这样. 加积分电容,就是让这个细小的误差在时间上的积累. 让输出无穷地逼近期望值. 以克服"静差", 开关电源反馈环中就有这样的应用. 另外, 加积分电容,也让运放输出调整速度降低.( 一边比较一边上升,而不是瞬间就将比较的结果一下子输出来 产生一个类似的突变, 如果后面没有栅电阻(R4) , 这个"突变" /或者说是运放快速变化的调整输出 会和栅电容,走线电感形成一个高Q 值的震荡. 因为栅荷效应,栅电容的大小也于MOSFET 的工作电流/电压大小有关,在小电流时,这个震荡可能看不到, 但不断地减少电流取样电阻, 没有这个积分电容话,可以看到MOSFET的G 有高频震荡,以前我碰到过这个问题.
这里引出了另外一个问题: 是不是高的Q值L-C 环路就能一定产生过冲震荡,答案是否定的. 还要看输入信号的类型(或者说输入信号的带宽). 比如: 加入阶跃信号 可以看到明显的过冲震荡,如果将阶跃信号换成 y(t)=k * x(t) 一次函数, K 很小的一次函数呢? 就看不到震荡. 输入信号的转折频率如果远远超过L-C 环路的谐振频率,才会看到明显震荡 ,这就是前面的话题: 还要看输入信号的类型(或者说输入信号的带宽, 这个问题可以从拉氏反变换的时域表达式清楚地看到, 震荡的暂态响应被缓慢变化的输入信号淹没了,但震荡暂态响应还是真实地存在着, 只是被掩盖.). 所以, 运放快速调整也不就是件好事.相关的分析,越深入也难. 如果慢了,也不知道CC 电流给出的速度和控制信号在时间上,客户有什么严格的限制? 依客户要求,有目的地选择和平衡各种因数吧. 浅浅分析供参考, 欢迎你指正!
决战
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  • 2010-4-30 08:49:32
 
同意楼上的关于加电容的讲解,我也遇到过加10K电阻,环路高频振荡,个人觉得是10k电阻过大引起了,10k电阻和放大器的栅极电容形成一个零极点。减小10k电阻振荡消除,当时问题出来后,理论上是这样分析的,不知道对不对,负相和输出加电容可以使放大器的低频增益变大。望指正。
xkw1cn
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  • 2010-4-30 10:23:55
 
FET实际上也可以看成是一个比例积分电路。它的积分延时也要在分析里体现出来。
当加了高值栅电阻后;FET的积分现象将非常明显。
xkw1cn
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  • 2010-4-30 00:15:42
 
这电路里的最大延迟项是R4/Q1。LM358已经足够快了。
blueskyy
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  • 2010-4-30 09:18:10
 
同意! 在光偶ON时间, 运放有开环的情况下: 光偶OFF 瞬间,抑制电流尖峰, R4 和Q1的时延是关键.
lism
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  • 2011-7-19 17:57:00
 
晕~ 运放输出挂电容内部会严重震荡,严重发热的。
bridgnsl
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  • 2013-12-13 17:43:02
 
U2的作用就是让运放工作在比较器方式。


虽然不知道具体调试情况,但应该是遇到了点问题,才会导致如此做法吧?


其实,总的来说,没有光藕是正确的。


因为这才是电子负载嘛!


Anyway,加入光藕后,358输出最大,但实际的G电压在降低。


于是乎,就变成了一个通过光藕给定的,G端电压降低的,MOSFET的放大电路。


输出的就是G端给定电压设置的负载电流。



xkw1cn
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  • 2013-12-13 22:31:11
 
电子负载的作用,不光只是做大小可调的负载。还有测量系统阶跃响应的功能。
这是台全功能电子负载,可以做各种响应的动静态测试。
xkw1cn
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  • 2013-12-13 22:35:15
 
对于358讲,光耦只是给它施加了阶跃响应而已,系统阻尼达到0.72以下后,不会有过冲问题。
xkw1cn
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  • 2010-4-29 15:10:43
 
这个电子负载可以承受450V的电压。对于低压电源;可以适当调整RL和D1,以满足需要。实质上;只要调整D1/RL/R6,这个电路可以做成想要的所有直流负载。
RLD1反并二极管后;还可以做交流电子负载。只是这时的负载电流是近似方波。
foiuye
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LV3
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  • 2010-4-30 14:25:01
 
顶 好帖
xkw1cn
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  • 2010-4-30 15:50:49
 
这个电路里;R4的取值非常关键。由于FET工作在线性区,过小的栅电阻会引起自激振荡。1K是FET工作在线性区时的典型值。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-4-30 16:31:51
 
1. 过小的栅电阻会引起自激振荡 ?? 能仔细说是如何满足自激振荡相位条件的吗?
2. 为什么说 : 1K是FET工作在线性区时的典型值。能仔细说说所以然吗?
xkw1cn
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  • 2010-4-30 16:44:09
 
将FET化成实际的等效电路并叠代后;就会发现,这东西和负载及驱动栅电阻(包括栅寄生内阻)刚好构成了文氏桥振荡电路。如果一旦满足条件;系统就会出现振荡。
如果你是发烧友的话;一定做过或听过FET做的功放,那类似电子管的音色迷倒了相当多的友友们!
你打开看;就会发现,栅电阻几乎都是这个值!它是大家经验的结晶!
blueskyy
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总工程师
  • 2010-4-30 16:52:53
 
能帮助将这个文氏桥振荡模型画出来,让大家一起欣赏下,如何? thanks !
xkw1cn
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  • 2010-4-30 17:00:26
 
这是FET在电路里的等效交流模型:
blueskyy
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总工程师
  • 2010-4-30 20:27:54
 
谢谢, 但是将这个FET交流模型和你的运放结合在一起, 是文氏桥振荡模型吗? 差别还是蛮大的, 请帮再分析下吧? thanks
请你帮助将这个FET交流模型和你的运放结合在一起的模型画出来 (我现在画不了.....) ,大家再讨论讨论. 为什么R4小了会引起震荡? thanks
xkw1cn
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  • 2010-4-30 22:22:30
 
文氏桥是驱动和MOSFET的等效电路模式,和运放无关。FET+驱动就构成了这振荡电路,在满足增益和移相后就自激了。
blueskyy
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总工程师
  • 2010-4-30 23:18:10
 
第一: 按照你的说的震荡和运放无关, 我暂且认为就是这样, FET 的驱动信号从哪里来? 既然和运放无关,那它必然来自自身的反馈. 显然按照MOSFET的等效交流模型, 只有Cgd构成反馈元件, 按照米勒等效, 这个电容可以折算为: Cgs' 和 Cds' , MOSFET本体就是一个压控电流源, 这个电路模型是无论如何也不会有自激震荡产生的. 它根本就不具备自激震荡的条件. 输入模型是: Rg + Cgs// Cgs' , 这是个RC网络, 一阶的惯性系统是绝对稳定的系统. 对你说的"震荡和运放无关" 论点我不敢苟同. 就是 按照三点式震荡电路来理解,MOSFET的等效交流模型也不具备自激震荡的相位条件, 接在珊极G的元件属性必须是相反的. 而Cgd和Cgs是同性的. 虽然MOSFET的等效交流模型看上去长的有点象文氏自激震荡, 其实不是.
第二, 那么自激震荡是如何产生的呢? 我肤浅地认为: MOSFET输入结构是: 走线电感L+ Cgs// Cgs' ,有最大180度相移, 运放负反馈至少也有90度相移(这是保守的算法) ,这就有满足自激震荡相位条件, 大的珊极电阻串联, 这样的做法是增加了系统的阻尼(相当于Cgs// Cgs' 并联一个小电阻) , 对应的是提高相位裕度, 让可能事不易发生. 上面分析,望朋友们指正! 谢谢.
xkw1cn
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  • 2010-4-30 23:33:48
 
如果CGD上有电阻呢?如果你将多个FET胞安现在的模型并联的化;就不同了。
由于每个FET胞到栅引出位置的距离不一样,rg是不同的。而Rg和Rload是共用的
blueskyy
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  • 2010-5-1 11:01:02
 
祝五一节快乐! 对你的这个说法,我仍然理解不了. 能否详细地将这个模型画出来, 并指出可能满足自激震荡的相位条件? 谢谢, 同是也希望有更多的朋友参入这个话题. Happy labor day to all !
blueskyy
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  • 2010-5-4 08:16:27
 
自己顶一下, 请许工帮助解惑 ! thanks !
xkw1cn
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  • 2010-5-4 10:23:22
 
好样的!这问题已经偏了原来主题了。我将另开一贴;专门讨论FET的等效电路。
blueskyy
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  • 2010-5-4 10:25:21
 
thanks a lot !
xkw1cn
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  • 2010-4-30 17:29:42
 
手动程控设置电路:
luyan
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  • 2010-5-3 17:29:20
 
感谢许工!
zhangzhanglili
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  • 2010-5-27 14:28:52
 
多谢许工!太感谢了!
ahome
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  • 2010-5-30 14:18:13
 
1楼的电路MOS如何并联工作呢?
yj603
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  • 2010-5-30 22:51:15
 
好东西!
xkw1cn
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  • 2010-5-30 22:57:11
 
建议不要并FET。多做两台电子负载,电子负载可以直接并。
ahome
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  • 2010-5-31 20:38:35
 
多做几台电子负载太麻烦了,还是直接做一台大功率的比较好些噢,以下电路是否可以?
WANGYUREN
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  • 2010-5-31 20:52:20
 
电子负载和开关电源不一样,功率器件一个工作在模拟状态,一个工作在开关状态。
MOSFET工作在模拟状态,Vgs(th)是负温度系数,直接并联容易电流集中。
MOSFET工作在饱和状态,Rds(on)是正温度系数,直接并联容易均流。
blueskyy
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  • 2010-6-1 08:14:05
 
good !
xkw1cn
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  • 2010-5-31 21:03:21
 
不行!至少要每路都进行电流深度负反馈。
ahome
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  • 2010-6-1 15:19:36
 
这样行吗?
xkw1cn
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  • 2010-6-1 18:09:46
 
栅电阻太小。
lism
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  • 2011-7-19 18:10:56
 
电子负载是线性电路,你当开关电源来设计了。

运放用放大方式,不要做比较器。

mosfet最好不要直接并,因为每个的VGS对应的电阻曲线是不一样的。
smz20050101
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  • 2013-3-31 09:21:36
 
多个MOSFET直接并联时,因为MOSFET的导通电阻具有正温度系数,可自动均流,理论上不需要常用均流措施,但如果在高频动态工作条件下,由于时间周期极短,各并联器件间来不及建立结温差,故功率MOSFET正温度系数的优点不能得到充分发挥。此外,在每次功率管导通和关断的瞬间,并联MOSFET难免会有开通或关断时刻的先后之分。最先到同或最后关断的那个MOSFET在瞬间将会承受所有并联功率管的故在电流,这种情况下,若无有效地呃驱动电路和均流措施进行均流,因通断时间不一直而造成各并联MOSFET开关损耗不同,运行中很快会使得各并联MOSFET开关损耗不同,运行中很快会使得功率损耗负担重的器件过热损坏。因此,对于MOSFET并联,需要关注起动态均流特性。
因此可以总结为:
线性状态下,不需要特别的均流措施,如为保险,可以加上适当的栅极均流电阻,不宜过大。
开关状态下,需要加上均流措施,加入栅极均流电阻后,功率管的开关速度变慢。改善均流特性是以MOSFET开关时间变长和增加开关损耗为代价的。
如果并联MOSFET工作在不同的开启电压下,最好在每个功率管的源级引入100nH的电感,提高动态均流特性。但这种做法仍然会使MOSFET的开关时间变长,不利于高频工作状况。一般MOSFET的源级都有内部寄生电感,所以尽量寄希望于并联MOSFET相关参数一直还是最好的做法。
鱼和熊掌不可兼得,想要均流,必然要付出其他代价。呵呵O(∩_∩)O~
xkw1cn
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  • 2013-3-31 21:19:02
 
线性工况下,同一个MOSFET一样栅电压下,温度和ID电流成正比。
smz20050101
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  • 2013-4-3 21:13:41
 
许工,我用Multisim把你的电路仿真了一下,有些问题。
MOSFET在调节输入的滑动变阻器的时候,很快就进入了饱和区,电流无法再控制了(此时反馈环不起作用了)。而进入饱和区的MOSFET的漏极电流却受到待测电源的影响。也就是说待测电源不同的时候,电子负载电流(MOSFET漏极电流)就不同。
所谓恒流电子负载,负载电流应该只取决于设定值,不应随着待测电源电压的改变而改变,是否是这样呢?
换成IGBT,换句话说基本就是可控开关,几乎无导通电阻,反馈环不起作用,电流依然无法稳定在设定值,随着待测电源电压的改变而改变。
我换成大功率三极管(电力三极管),才可以实现功能。三级管的放大区比较宽阔,输入的滑动变阻器从零调整至百分之百,都可以比较均匀的改变电子负载的电流。

xkw1cn
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  • 2013-4-3 21:31:15
 
这是参数设置不合理导致的。
首先;基准信号为3V*(10k/(10k+50k))=0.5V,那么;运放控制的电流范围为:
0.5V/0.02ohm=25A即0~25A。
而Q2的限流电阻R4为500ohm,可通电流为0~0.2A。
如此;用MOSFET时;可用线性范围为0.8%,呵呵!怎能不给你弄的直“开-关”?
建议将R5改到2ohm,R4改成60ohm再试试。
smz20050101
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  • 2015-6-12 21:03:00
 
哈哈,感谢许工,当年我还是本科毕业生,现在快硕士毕业了,在做电机控制方面的研究。
xkw1cn
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  • 2015-6-12 21:39:44
 
smz20050101
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  • 2013-4-3 21:15:05
 
还望您指导一下,谢谢!
samwei
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  • 2010-6-6 19:24:14
 
很好很强大!
liyonghe
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  • 2011-7-18 22:51:12
 
w137155390
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  • 2013-4-1 00:05:12
 
学习了~~~~
灰狼行天下
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  • 2013-12-10 17:29:48
 
控制芯片是用单片机还是DSP,您能推荐下嘛
xkw1cn
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  • 2013-12-11 01:43:01
 
无所谓,能驱动光耦即可。我用555即可实现介越控制和复杂逻辑定时控制。单片机已足够用了。
灰狼行天下
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  • 2013-12-13 16:57:30
 
如果要同时实现CC、CV模式呢?
xkw1cn
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  • 2013-12-13 22:37:43
 
加外环反馈。
leail
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  • 2014-3-25 15:54:21
 
为什么要与MOS串联一个电阻?直正在卖的电子负载,我没有看到串有这个电阻,而且这个电阻的阻值这么大?如果做一个比较低的CV负载,在电阻上分得电压后,CV无效?
xkw1cn
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  • 2014-3-25 21:35:27
 
首先,这是MOS。任何MOS都需要栅电阻。
其次,MOS是电场驱动器件,不需要电流。因此驱动源电流大小不决定MOS的电压电流。
aninstone
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  • 2014-7-18 18:21:57
 
gaohq
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  • 2015-6-12 21:52:01
 
D1的作用是 ?
xkw1cn
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  • 2015-6-13 08:50:33
 
这是防治反接短路。MOSFET有寄生二极管,反接会短路。
gaohq
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  • 2015-6-13 10:09:30
 
谢谢!准备借用此图,不知许工做过实物没有?性能如何?主要关心网上讨论的震荡问题。
我公司的电源12VDC到56VDC不等,想做通用型的,不知要注意那些地方?
另外问一下,在选型MOSFET时要注意哪些地方?MOSFET的SOA区越大越好吗?推荐几个型号的管子。
释迦雨果CN
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  • 2015-6-13 14:57:29
 
实验室的几台电子负载,都是这个原理做的。非常稳定,从来没震荡过
这个负载用MOS,对RDSON等基本都没要求,关键是散热。所以,需要注意热组问题。这样;老式的IRFP450/460可能是最好选择。一般经验,用陶瓷散热片时,每只460的极限功耗大体在120~180W。如果可能,用漏极串电阻的方法,可以提高每只功率管的实际承受功率。
由于是电流反馈,所以并联非常容易。我这通常是独立控制;直接并联。即一只控制承受1A;另一只可以控制承受2A。这个电路直接并后,两者电流不会变。
这样,一台负载可以做N多通道。任意组合使用。
gaohq
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  • 2015-6-13 15:15:05
 
漏极串电阻,让一部分电压降在这个电阻上来分担MOSFET上的功耗是吧?
释迦雨果CN
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  • 2015-6-13 15:31:43
 
是的
释迦雨果CN
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  • 2015-6-13 15:03:38
 
图中U2,建议不要省去。它可以帮你做各种状态下的冲击响应。
如一台5A电源,做0.5至4.5的冲击响应,用一个通道设在0.5A,另一通道设在4A,驱动4A通道的U2;就可以实现0.5-4.5A负载冲击响应了。
0-100%,5-100%,0-50%。。。都可依次类推。
释迦雨果CN
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高级工程师
  • 2015-6-13 15:05:47
 
用这方法做负载介越,电流非常准且干净,没有任何超调和迅速。比市面程控的强多了。
xkw1cn
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  • 2015-6-13 19:03:44
 
cruos007
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  • 2015-10-4 18:11:02
 
MOS的g接电源,直接控制源极的电流,可能要好一些,用个低压三极管+受控运放的恒流源电路就可以了。

xkw1cn
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  • 2015-10-4 22:21:26
 
看来你比较熟悉三极管射极电流负反馈。MOSFET和三极管是对偶的;一个电压控制,另一个电流控制。
在这里;MOSFET驱动要简单的多和无二次击穿效应,允许有更高的结温。
cruos007
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本网技师
  • 2015-10-4 22:59:28
 
主要是提高动态响应,据说好多buck类型的单芯片led芯片,都是这么克服米勒电容,不过这样最小压降就有局限了
释迦雨果CN
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  • 2015-10-4 23:02:01
  • 倒数10
 
唉!三极管还有基区储存效应呢。算上这;MOSFET快一个数量级。
cruos007
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  • 2015-10-4 23:16:49
  • 倒数9
 
也不尽然,三极管是电流型驱动,有高频管能到吉赫兹的截止频率呢,关键还是看电路形式,元件早满足了,运放输出达林顿驱动,末级用大功率开关管,估计反应速度就快多了,主要开关管饱和压降使得需要外部电源至少要大于1v才能很好满足线性限流。
xkw1cn
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  • 2015-10-5 11:56:31
  • 倒数8
 
谢谢建议。如果你用过大功率高频三极管,你就会体会到“难”字。都不用太高100V5A100M截止频率即可用作负载试试。真用到G频段,多是双栅管。
做负载,要的是能承受大的功率。MOSFET结温到450C都不会有问题,三极管到250C;基本就挂了。
cruos007
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  • 2015-10-5 12:36:14
  • 倒数7
 
只是建议而已,没那么极端的条件,三极管只是限制MOS的源极电流而已,关键先看看前面的运放多少速度哦,明显是驱动电流不足引起的,运放带载尤其是容性负载是导致电路出现不稳定和长的环路反馈导致响应速度慢的原因,何况358里全是双极型元件,以前的电流源,都是三极管和稳压管做的,刚下了坛子里的一篇 电流源 的老书,看着还很带劲,完全可以套过来作为参考的。另高频电路主要在拓扑和布局上麻烦一些,理论和低频功率电路不是一套路数,在这里基本用不上的。三极管的饱和压降是不完美的,看安森美出的Vces=50mv的开关管,奇葩了,不知道怎么搞的,有没有大侠分析下原理呢。
xkw1cn
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  • 2015-10-5 13:13:45
  • 倒数6
 
MOSFET线性驱动,是个完全游离于开关应用的话题。不能用常规的开关驱动理论讨论。
三极管控制源极电流,实际上就是三极管的共基放大,这在高压小电流高频场合有它的合理性。
cruos007
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  • 2015-10-5 14:33:13
  • 倒数5
 
开关属于动态,其实也是由稳态变换得到的,每个状态电流的变化率不同,只要电路拓扑稳定,元件耐受性正常,没设么可以区分的,只是受控件而已,另外放大是形式,还是共射跟随,只不过是射极反馈取样。
cruos007
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  • 2015-10-5 18:14:34
  • 倒数3
 
徐工,刚在论坛里找了一个别家的图,转贴一下,看建议和比较探讨哦?

这个是坛子里哪位大侠的原图,只做学习和比较

这个是坛子里哪位大侠的原图,只做学习和比较
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  • 2015-10-5 22:20:10
  • 倒数2
 
这是我最早DIY的负载电路,甚至简单到去掉运放直接用电位器给定都没问题。可这线路的最大问题是高压负载限制,典型二次击穿效应导致额定功率偏小和不能通吃高压和低压负载。而MOSFET没这事情,最后DIY的几台电子负载,用了快20年了,到现在还好好的,3到400V通吃。
cruos007
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最新回复
  • 2015-10-5 22:31:09
  • 倒数1
 
难怪,我看了又看,感觉游戏奇葩了,为什么末级不用MOS,不过如果要求精确控制的话,要好好掂量下用点料考虑极端情况的 。个人觉得,至少零温漂的稳零运放的应用还是很必要的,还要加个负压电源变换。
gmcg
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  • 2015-10-5 17:16:05
  • 倒数4
 
好东西,谢谢分享,学习了
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